Fotomaski przechodzą na 12 cali
Jednym z głównych obszarów rozszerzonej współpracy będzie rozwój platformy 12-calowych fotomasek przeznaczonych do przyszłych procesów wykorzystujących litografię High NA EUV. Samsung dołączy do branżowej inicjatywy pracującej nad tą technologią oraz infrastrukturą niezbędną do jej zastosowania w produkcji półprzewodników.
Od dziesięcioleci w przemyśle półprzewodnikowym stosowany jest format fotomasek o wielkości 6 cali. Wraz z rozwojem High NA EUV planowane jest przejście na większe, 12-calowe maski. Według firm rozwiązanie ma zwiększyć produktywność fabryk półprzewodników, obniżyć koszty produkcji układów oraz wyeliminować ograniczenia związane z łączeniem pól ekspozycji.
Większy format ma umożliwić producentom zaawansowanych układów pełniejsze wykorzystanie możliwości High NA EUV i poprawić ekonomikę produkcji kolejnych generacji półprzewodników wykonywanych w najbardziej zaawansowanych procesach technologicznych.
Samsung zamierza uczestniczyć w opracowaniu zarówno samych technologii masek, jak również wspierającej je infrastruktury. Firma wykorzysta przy tym doświadczenie zdobyte w produkcji pamięci, usługach foundry oraz dotychczasowym stosowaniu zaawansowanej litografii EUV.
High NA EUV w DRAM
Drugim istotnym elementem porozumienia jest plan wykorzystania systemów litograficznych High NA EUV firmy ASML w przyszłej produkcji pamięci DRAM. Samsung zakłada wprowadzenie tej technologii do wielkoseryjnej produkcji do 2028 roku.
Według zapowiedzi będzie to pierwsze w branży zastosowanie High NA EUV w masowej produkcji DRAM. Technologia ma wspierać dalsze skalowanie struktur pamięci dzięki poprawie rozdzielczości procesu litograficznego. Samsung i ASML wskazują również na możliwość uproszczenia procesów technologicznych oraz zwiększenia ich efektywności.
Planowane wdrożenie ma jednocześnie potwierdzić możliwość wykorzystania High NA EUV zarówno w zaawansowanych układach pamięciowych, jak i układach logicznych.
Rozwój zaawansowanej litografii
Rozszerzenie współpracy jest kontynuacją dotychczasowego partnerstwa Samsunga i ASML w obszarze technologii litograficznych stosowanych w produkcji półprzewodników. Firmy zamierzają wspólnie przyspieszać rozwój i wdrażanie rozwiązań odpowiadających na rosnące wymagania dotyczące wydajności i efektywności zaawansowanych procesów produkcyjnych.
Nowe działania koncentrują się przede wszystkim na przygotowaniu ekosystemu dla High NA EUV – od rozwoju większych fotomasek po ich przyszłe zastosowanie w procesach wytwarzania zaawansowanych pamięci.
Samsung i ASML zapowiadają również dalsze poszukiwanie obszarów współpracy dotyczących zaawansowanych technologii pamięci oraz nowych metod produkcji półprzewodników.
Źródło: Samsung
