Pozew przeciwko trzem największym producentom DRAM
Samsung, SK hynix i Micron zostały pozwane 25 czerwca przed Sądem Okręgowym Stanów Zjednoczonych dla Północnego Dystryktu Kalifornii. Pozew zbiorowy złożyło 17 powodów, którzy oskarżają producentów pamięci o nielegalne uzgadnianie działań mających ograniczyć podaż DRAM i doprowadzić do wzrostu cen.
Pozew powołuje się na Section 1 of the Sherman Act, czyli amerykańskie przepisy antymonopolowe dotyczące niedozwolonych porozumień ograniczających konkurencję.
Według treści skargi pozwane firmy kontrolują łącznie około 90% globalnego rynku DRAM. Według autorów pozwu taka koncentracja rynku umożliwiła producentom ograniczanie podaży bez ryzyka szybkiego wejścia konkurencji, ponieważ budowa nowej fabryki DRAM wymaga nakładów liczonych w dziesiątkach miliardów dolarów i zajmuje lata.
Przesunięcie mocy na HBM jako główny element zarzutów
Centralnym elementem pozwu jest twierdzenie, że Samsung, SK hynix i Micron wykorzystały skoordynowane przesunięcie produkcji w stronę pamięci HBM, czyli wysokoprzepustowych, warstwowych pamięci DRAM stosowanych w akceleratorach AI, jako pretekst do ograniczenia produkcji starszych modułów DDR3 i DDR4.
Zdaniem powodów zmniejszenie podaży standardowych pamięci DRAM miało doprowadzić do rekordowego wzrostu cen. W pozwie wskazano, że ceny DRAM wzrosły w ciągu czterech lat o około 700%. Powodowie argumentują, że ograniczenie produkcji pamięci DDR3 i DDR4 nie mogło zostać szybko zrównoważone przez innych dostawców ze względu na wysokie bariery wejścia na rynek.
Sprawa nawiązuje do wcześniejszego pozwu z 2018 roku
Nowy pozew odnosi się do wcześniejszej sprawy, która była rozpatrywana w tym samym sądzie. W 2018 roku kancelaria Hagens Berman złożyła pozew zbiorowy zawierający podobne zarzuty dotyczące równoległego ograniczania produkcji przez producentów DRAM.
Tamta sprawa została oddalona przez sąd okręgowy w 2020 roku, a w 2022 roku decyzję podtrzymał sąd apelacyjny. Sąd uznał wówczas, że zachowanie trzech producentów było bardziej prawdopodobnie skutkiem zgodnych z prawem, nieskoordynowanych działań rynkowych niż rezultatem nielegalnego porozumienia.
W poprzednim postępowaniu sąd stwierdził, że wskazane przez powodów tzw. „plus factors” nie wystarczyły do spełnienia wymogu wynikającego z Section 1 of the Sherman Act. Przepisy te wymagają wykazania faktycznego porozumienia, a nie jedynie świadomego równoległego działania, które może występować na rynku zdominowanym przez trzech głównych dostawców.
Nowy pozew opiera się na twierdzeniu, że zwrot producentów w stronę HBM stanowi dodatkowy element dowodowy, którego brakowało w poprzedniej sprawie.
Producenci wskazują na niezależne decyzje i popyt na HBM
Według źródłowego materiału Samsung, SK hynix i Micron publicznie deklarowały, że działają niezależnie, przekierowując moce produkcyjne na pamięci HBM. Przedstawiciele kierownictwa firm ostrzegali również, że niedobory pamięci mogą utrzymywać się przez lata.
Bank inwestycyjny Jefferies przewiduje, że ceny DRAM wzrosną o kolejne 40–50% w trzecim kwartale oraz o dalsze 30–40% w czwartym kwartale. Według tej prognozy istotna poprawa sytuacji podażowej nie nastąpi przed 2028 rokiem.
Zarzuty pozostają nieudowodnione
Samsung i SK hynix były już w przeszłości stronami spraw związanych z ustalaniem cen DRAM. SK hynix przyznał się do karnego naruszenia przepisów antymonopolowych i w kwietniu 2005 roku zapłacił grzywnę w wysokości 185 mln dolarów.
W obecnej sprawie zarzuty pozostają jednak nieudowodnione. Według informacji zawartych w materiale źródłowym pozwane firmy nie odpowiedziały jeszcze na pozew przed sądem.
Źródło: Tom's Hardware
