wersja mobilna
Online: 1251 Wtorek, 2017.11.21

Biznes

Qualcomm przechodzi z procesu 45-nm na 28-nm we współpracy z TSMC

wtorek, 02 lutego 2010 11:46

Amerykański dostawca układów bezprzewodowych Qualcomm poinformował, że współpracuje z tajwańską fabryką TSMC nad technologią procesu 28-nm, i że współpraca wkracza w etap zaawansowany. Opisy gotowych projektów w procesie 28-nm przejdą w fazę produkcji w połowie bieżącego roku.

 

Po ogłoszeniu przez Qualcomm zawiązania współpracy kontraktowej z GlobalFoundries, obecny komunikat największego na świecie producenta półprzewodników typu fabless jest deklaracją kontynuacji współpracy z największym producentem płytek krzemowych. Według Qualcomm, przejście z procesu 45-nm do 28-nm ma szczególne znaczenie dla chipsetu Snapdragon bazującego na architekturze ARM, która zapewnia zmniejszony rozmiar i pobór mocy. Obecnie Qualcomm i TSMC współpracują przy produkcji w procesie 65-nm i 45-nm oraz w procesie 28-nm nad użyciem materiałów o wysokiej stałej dielektrycznej do izolowania metalowej bramki (HKMG) i nad technologią wykorzystania tlenkoazotku krzemu (SiON).

 

World News 24h

wtorek, 21 listopada 2017 16:09

Chinese foundry SMIC has added direct bond interconnect capability from Invensas at its Avezzano, Italy, wafer fab. Invensas is a wholly owned subsidiary of Xperi Corp. The addition of DBI enables SMIC to manufacture hybrid stacked backside illuminated image sensors, as well as other semiconductor devices for applications in smartphones and automobiles. SMIC and Invensas previously signed a development license in March 2017. DBI technology is a low temperature hybrid wafer bonding solution that allows wafers to be bonded with scalable fine pitch 3D electrical interconnect without requiring bond pressure. DBI 3D interconnect can eliminate the need for through-silicon vias and reduce die size and cost while enabling pixel level interconnect for future generations of image sensors.

więcej na: www.eenewseurope.com

Produkty