Produkcja elektronikiPCBKomponentyZasilanieElektromechanikaKomunikacja Mikrokontrolery i IoTOptoelektronikaPomiaryProjektowanie i badania
RynekFirmyProduktyGospodarkaRaportyWywiadyTechnikaOpiniePuls branżyKalendariumMagazyn
Produkty
Kategorie
Produkcja elektroniki
Usługi CEM/EMS Obwody drukowane Obudowy dla urządzeń Urządzenia i wyposażenie produkcji Materiały do produkcji Narzędzia ręczne Oprogramowanie projektowe Laboratoria pomiarowe i badawcze Biura inżynierskie Usługi
Automatyka przemysłowa
Automatyzacja procesów Komponenty automatyki
Aparatura pomiarowa
Aparatura elektroniczna Aparatura energetyczna Mierniki wielkości nieelektrycznych Systemy pomiarowe Sprzęt i usługi kalibracji
Podzespoły elektroniczne
Podzespoły półprzewodnikowe Podzespoły energoelektroniczne Podzespoły elektromechaniczne Elementy optoelektroniczne Podzespoły pasywne Moduły elektroniczne OEM Źródła zasilania Oświetlenie LED
Przeglądaj kategorie
Złóż zapytanie ofertowe
Zobacz katalog firm

Podzespoły półprzewodnikowe

Cyfrowy enkoder magnetyczny o dużej elastyczności montażu i kilku opcjach wyjścia Cyfrowy enkoder magnetyczny o dużej elastyczności montażu i kilku opcjach wyjścia
Izolowane sterowniki bramek tranzystorów SiC, IGBT i MOSFET Izolowane sterowniki bramek tranzystorów SiC, IGBT i MOSFET
Szybkie diody prostownicze 200...600 V/2 A w obudowach SOD-123HL Szybkie diody prostownicze 200...600 V/2 A w obudowach SOD-123HL
Przełącznik zasilania o zakresie napięcia wejściowego 1,6...5,5 V i wydajności prądowej 1,5 A Przełącznik zasilania o zakresie napięcia wejściowego 1,6...5,5 V i wydajności prądowej 1,5 A
12-kanałowy kontroler do łatwej integracji z przyciskami pojemnościowymi 12-kanałowy kontroler do łatwej integracji z przyciskami pojemnościowymi
Asymetryczne transile do ochrony bramek "samochodowych" tranzystorów SiC MOSFET Asymetryczne transile do ochrony bramek "samochodowych" tranzystorów SiC MOSFET
Transceivery RS-485 half-duplex do pracy w ciężkich warunkach przemysłowych Transceivery RS-485 half-duplex do pracy w ciężkich warunkach przemysłowych
Monolityczny radar UWB na pasmo 6...8,5 GHz do domowych i przemysłowych aplikacji IoT Monolityczny radar UWB na pasmo 6...8,5 GHz do domowych i przemysłowych aplikacji IoT
Radar MMIC do samochodowych systemów obrazowania 4D nowej generacji Radar MMIC do samochodowych systemów obrazowania 4D nowej generacji
Układy CAN FD SBC z szybkim transceiverem CAN i 5-woltowym regulatorem LDO Układy CAN FD SBC z szybkim transceiverem CAN i 5-woltowym regulatorem LDO
Chipset USB PD EPR z kontrolerem portu typu C i ładowarką akumulatorów Buck-Boost Chipset USB PD EPR z kontrolerem portu typu C i ładowarką akumulatorów Buck-Boost
6-osiowe czujniki inercyjne do systemów wspomagania kierowcy 6-osiowe czujniki inercyjne do systemów wspomagania kierowcy
Podwójne diody ochronne ESD o bardzo małym napięciu ograniczenia Podwójne diody ochronne ESD o bardzo małym napięciu ograniczenia
600-woltowe tranzystory n-MOSFET z szybką wewnętrzną diodą regeneracyjną 600-woltowe tranzystory n-MOSFET z szybką wewnętrzną diodą regeneracyjną
Nowa generacja mikrokontrolerów STM32 z wbudowanym akceleratorem AI Nowa generacja mikrokontrolerów STM32 z wbudowanym akceleratorem AI
Przekaźniki PhotoMOS o wymiarach 2,2 x 1,4 x 1,75 mm do urządzeń pomiarowych i medycznych Przekaźniki PhotoMOS o wymiarach 2,2 x 1,4 x 1,75 mm do urządzeń pomiarowych i medycznych
600-woltowy przekaźnik SSR o izolacji 3750 V ms w obudowie SOP-4 600-woltowy przekaźnik SSR o izolacji 3750 V ms w obudowie SOP-4
Sterowniki bramek tranzystorów IGBT i SiC MOSFET ze wzmocnioną izolacją do 9,6 kV rms Sterowniki bramek tranzystorów IGBT i SiC MOSFET ze wzmocnioną izolacją do 9,6 kV rms
Projekt referencyjny optymalizatora fotowoltaicznego z tranzystorami GaN FET Projekt referencyjny optymalizatora fotowoltaicznego z tranzystorami GaN FET
40-woltowy tranzystor MOSFET w obudowie PowerPAK 10x12 o rezystancji RDS(ON) równej 0,34 mΩ 40-woltowy tranzystor MOSFET w obudowie PowerPAK 10x12 o rezystancji RDS(ON) równej 0,34 mΩ
Zaawansowany mikroprocesor RZ/T2H do wieloosiowych układów napędowych Zaawansowany mikroprocesor RZ/T2H do wieloosiowych układów napędowych
100-woltowy tranzystor GaN do aplikacji wysokoprądowych o dużej gęstości mocy 100-woltowy tranzystor GaN do aplikacji wysokoprądowych o dużej gęstości mocy
Precyzyjny, dwukanałowy wzmacniacz operacyjny z wejściem i wyjściem rail-to-rail Precyzyjny, dwukanałowy wzmacniacz operacyjny z wejściem i wyjściem rail-to-rail
Tani sterownik bramek tranzystorów MOSFET do układów napędowych z 3-fazowymi silnikami BLDC Tani sterownik bramek tranzystorów MOSFET do układów napędowych z 3-fazowymi silnikami BLDC
Dwukanałowe przełączniki zasilania o charakterystyce diody idealnej Dwukanałowe przełączniki zasilania o charakterystyce diody idealnej
Energooszczędne układy SoC 2,4 GHz do bezprzewodowej transmisji danych w aplikacjach IoT Energooszczędne układy SoC 2,4 GHz do bezprzewodowej transmisji danych w aplikacjach IoT
150-woltowy tranzystor n-MOSFET o rezystancji RDS(ON) równej 5,6 mΩ i małym współczynniku FOM 150-woltowy tranzystor n-MOSFET o rezystancji RDS(ON) równej 5,6 mΩ i małym współczynniku FOM
Miniaturowe 60-woltowe konwertery DC-DC buck do zastosowań w motoryzacji Miniaturowe 60-woltowe konwertery DC-DC buck do zastosowań w motoryzacji
Ultrazłączowe tranzystory MOSFET 200 V o dużej niezawodności i małej rezystancji RDS(ON) Ultrazłączowe tranzystory MOSFET 200 V o dużej niezawodności i małej rezystancji RDS(ON)
Komparatory z kwalifikacją AEC-Q100 o czasie propagacji 20 ns Komparatory z kwalifikacją AEC-Q100 o czasie propagacji 20 ns