Produkcja elektronikiPCBKomponentyZasilanieElektromechanikaKomunikacja Mikrokontrolery i IoTOptoelektronikaPomiaryProjektowanie i badania
RynekFirmyProduktyGospodarkaRaportyWywiadyTechnikaOpiniePuls branżyKalendariumMagazyn
Produkty
Kategorie
Produkcja elektroniki
Usługi CEM/EMS Obwody drukowane Obudowy dla urządzeń Urządzenia i wyposażenie produkcji Materiały do produkcji Narzędzia ręczne Oprogramowanie projektowe Laboratoria pomiarowe i badawcze Biura inżynierskie Usługi
Automatyka przemysłowa
Automatyzacja procesów Komponenty automatyki
Aparatura pomiarowa
Aparatura elektroniczna Aparatura energetyczna Mierniki wielkości nieelektrycznych Systemy pomiarowe Sprzęt i usługi kalibracji
Podzespoły elektroniczne
Podzespoły półprzewodnikowe Podzespoły energoelektroniczne Podzespoły elektromechaniczne Elementy optoelektroniczne Podzespoły pasywne Moduły elektroniczne OEM Źródła zasilania Oświetlenie LED
Przeglądaj kategorie
Złóż zapytanie ofertowe
Zobacz katalog firm

Podzespoły półprzewodnikowe

n-kanałowe 100-woltowe tranzystory MOSFET o rezystancji RDS(ON) równej 7,5 mΩ n-kanałowe 100-woltowe tranzystory MOSFET o rezystancji RDS(ON) równej 7,5 mΩ
Wzmacniacze MMIC do terminali satelitarnych pracujących w paśmie Ku Wzmacniacze MMIC do terminali satelitarnych pracujących w paśmie Ku
Nowa rodzina mikrokontrolerów z modułem bezprzewodowym Wi-Fi 6/6E i Bluetooth LE 5 Nowa rodzina mikrokontrolerów z modułem bezprzewodowym Wi-Fi 6/6E i Bluetooth LE 5
Samoadaptujący się kondycjoner sygnału do portów USB 2.0 Samoadaptujący się kondycjoner sygnału do portów USB 2.0
Tranzystory JFET z kwalifikacją wojskową ELDRS o zwiększonej odporności na promieniowanie Tranzystory JFET z kwalifikacją wojskową ELDRS o zwiększonej odporności na promieniowanie
Układ embedded SIM zgodny z nowym standardem GSMA Układ embedded SIM zgodny z nowym standardem GSMA
Transile SMD rozmiaru 0201 o pojemności wewnętrznej 0,075 pF Transile SMD rozmiaru 0201 o pojemności wewnętrznej 0,075 pF
Podwójny wzmacniacz operacyjny o paśmie 52 MHz i napięciu zasilania do 36 V Podwójny wzmacniacz operacyjny o paśmie 52 MHz i napięciu zasilania do 36 V
Precyzyjne układy AFE CMOS z przetwornikami A/C ΔΣ o rozdzielczości do 24 bitów Precyzyjne układy AFE CMOS z przetwornikami A/C ΔΣ o rozdzielczości do 24 bitów
Miniaturowy sterownik diod LED z interfejsem LIN do elektroniki samochodowej Miniaturowy sterownik diod LED z interfejsem LIN do elektroniki samochodowej
Przekaźniki SSD o napięciu przebicia 1700 V i małej emisji elektromagnetycznej Przekaźniki SSD o napięciu przebicia 1700 V i małej emisji elektromagnetycznej
Wzmacniacz niskoszumowy na pasmo 0,3...4 GHz do pracy w przestrzeni kosmicznej Wzmacniacz niskoszumowy na pasmo 0,3...4 GHz do pracy w przestrzeni kosmicznej
4-kanałowy przełącznik obciążenia do zastosowań w motoryzacji 4-kanałowy przełącznik obciążenia do zastosowań w motoryzacji
Pierwsze 1- i 2-megabitowe pamięci nieulotne F-RAM do pracy w przestrzeni kosmicznej Pierwsze 1- i 2-megabitowe pamięci nieulotne F-RAM do pracy w przestrzeni kosmicznej
Wzmacniacz mocy na pasmo 27,5...31 GHz do terminali satelitarnych Wzmacniacz mocy na pasmo 27,5...31 GHz do terminali satelitarnych
Dwuchipowy izolowany sterownik bramek tranzystorów GaN FET z zewnętrznym transformatorem Dwuchipowy izolowany sterownik bramek tranzystorów GaN FET z zewnętrznym transformatorem
Switch zabezpieczający do portów USB-C o wydajności prądowej 7A Switch zabezpieczający do portów USB-C o wydajności prądowej 7A
Regulator LDO o wymiarach 1,0 x 1,0 x 0,37 mm i wydajności prądowej 300 mA Regulator LDO o wymiarach 1,0 x 1,0 x 0,37 mm i wydajności prądowej 300 mA
400-woltowe tranzystory CoolSiC MOSFET 400 V do układów zasilania serwerów 400-woltowe tranzystory CoolSiC MOSFET 400 V do układów zasilania serwerów
1200-woltowe tranzystory MOSFET SiC firmy Nexperia w obudowach D2PAK-7 1200-woltowe tranzystory MOSFET SiC firmy Nexperia w obudowach D2PAK-7
Szybkie opto-emulatory jednokanałowe o izolacji 3,75 kV rms Szybkie opto-emulatory jednokanałowe o izolacji 3,75 kV rms
2-kanałowe, jednopłytkowe sterowniki bramek modułów IGBT o mocy do 2,3 kV 2-kanałowe, jednopłytkowe sterowniki bramek modułów IGBT o mocy do 2,3 kV
Podwójny wzmacniacz operacyjny JFET do urządzeń audio Podwójny wzmacniacz operacyjny JFET do urządzeń audio
Mikrokontroler do systemów zarządzania akumulatorami samochodowymi 12 V Mikrokontroler do systemów zarządzania akumulatorami samochodowymi 12 V
Energooszczędne, 1200-woltowe diody Schottky'ego na podłożach SiC Energooszczędne, 1200-woltowe diody Schottky'ego na podłożach SiC
Sterownik tranzystorów MOSFET do układów sterowania 3-fazowymi silnikami BLDC Sterownik tranzystorów MOSFET do układów sterowania 3-fazowymi silnikami BLDC
Sterownik bramek tranzystorów MOSFET z portem SPI do programowania i diagnostyki Sterownik bramek tranzystorów MOSFET z portem SPI do programowania i diagnostyki
Układ zabezpieczania superkondensatorów w systemach zasilania awaryjnego Układ zabezpieczania superkondensatorów w systemach zasilania awaryjnego
32-bitowe mikrokontrolery PIC32CK ze sprzętowym modułem bezpieczeństwa HSM 32-bitowe mikrokontrolery PIC32CK ze sprzętowym modułem bezpieczeństwa HSM
Szybkie 16- i 32-gigabitowe pamięci LPDDR4X SDRAM o częstotliwości taktowania 2,133 GHz Szybkie 16- i 32-gigabitowe pamięci LPDDR4X SDRAM o częstotliwości taktowania 2,133 GHz