Produkcja elektronikiPCBKomponentyZasilanieElektromechanikaKomunikacja Mikrokontrolery i IoTOptoelektronikaPomiaryProjektowanie i badania
RynekFirmyProduktyGospodarkaRaportyWywiadyTechnikaOpiniePuls branżyKalendariumMagazyn
Produkty
Kategorie
Produkcja elektroniki
Usługi CEM/EMS Obwody drukowane Obudowy dla urządzeń Urządzenia i wyposażenie produkcji Materiały do produkcji Narzędzia ręczne Oprogramowanie projektowe Laboratoria pomiarowe i badawcze Biura inżynierskie Usługi
Automatyka przemysłowa
Automatyzacja procesów Komponenty automatyki
Aparatura pomiarowa
Aparatura elektroniczna Aparatura energetyczna Mierniki wielkości nieelektrycznych Systemy pomiarowe Sprzęt i usługi kalibracji
Podzespoły elektroniczne
Podzespoły półprzewodnikowe Podzespoły energoelektroniczne Podzespoły elektromechaniczne Elementy optoelektroniczne Podzespoły pasywne Moduły elektroniczne OEM Źródła zasilania Oświetlenie LED
Przeglądaj kategorie
Złóż zapytanie ofertowe
Zobacz katalog firm

Podzespoły półprzewodnikowe

Nowa generacja 64-bitowych mikroprocesorów przemysłowych STM32 do aplikacji edge AI Nowa generacja 64-bitowych mikroprocesorów przemysłowych STM32 do aplikacji edge AI
Diody Zenera z kwalifikacją AEC-Q101 na zakres napięcia progowego od 6,8 do 220 V Diody Zenera z kwalifikacją AEC-Q101 na zakres napięcia progowego od 6,8 do 220 V
8-kanałowe przełączniki do sterowania obciążeń low-side 8-kanałowe przełączniki do sterowania obciążeń low-side
200-woltowe tranzystory MOSFET rodziny OptiMOS 6 o dużej gęstości mocy 200-woltowe tranzystory MOSFET rodziny OptiMOS 6 o dużej gęstości mocy
Niskonapięciowy przesuwnik napięcia do szyn SMBus/I²C/I³C w obudowie o powierzchni 1,4 x 1,0 mm Niskonapięciowy przesuwnik napięcia do szyn SMBus/I²C/I³C w obudowie o powierzchni 1,4 x 1,0 mm
100-woltowy tranzystor GaN FET o rezystancji RDS(ON) równej 1 mΩ 100-woltowy tranzystor GaN FET o rezystancji RDS(ON) równej 1 mΩ
Tani 3-kanałowy sterownik diod LED z niezależnymi liniami sterującymi PWM Tani 3-kanałowy sterownik diod LED z niezależnymi liniami sterującymi PWM
Ultraniskoszumowy wzmacniacz 0,3...3 GHz o dużej odporności na promieniowanie jonizujące Ultraniskoszumowy wzmacniacz 0,3...3 GHz o dużej odporności na promieniowanie jonizujące
"Samochodowe" regulatory LDO 500 mA o szybkiej odpowiedzi na zmiany prądu obciążenia "Samochodowe" regulatory LDO 500 mA o szybkiej odpowiedzi na zmiany prądu obciążenia
Mikrokontrolery z modułem komunikacyjnym 2,4 GHz o mocy wyjściowej do +10 dBm Mikrokontrolery z modułem komunikacyjnym 2,4 GHz o mocy wyjściowej do +10 dBm
Tranzystory CoolSiC MOSFET o napięciu znamionowym 2000 V w obudowach TO-247PLUS-4-HCC Tranzystory CoolSiC MOSFET o napięciu znamionowym 2000 V w obudowach TO-247PLUS-4-HCC
100-woltowy półmostkowy sterownik bramek tranzystorów GaN FET do konwerterów DC-DC 100-woltowy półmostkowy sterownik bramek tranzystorów GaN FET do konwerterów DC-DC
100-woltowe diody Schottky'ego o krótkim czasie regeneracji ze strukturą Trench MOS 100-woltowe diody Schottky'ego o krótkim czasie regeneracji ze strukturą Trench MOS
Dwukierunkowy wzmacniacz pomiarowy current-sense do elektroniki samochodowej Dwukierunkowy wzmacniacz pomiarowy current-sense do elektroniki samochodowej
Tranzystory CoolSiC MOSFET 2. generacji o zredukowanych o 10% stratach na przełączanie Tranzystory CoolSiC MOSFET 2. generacji o zredukowanych o 10% stratach na przełączanie
Mikroprocesor RZ/V2H z akceleratorem AI do systemów sterowania czasu rzeczywistego Mikroprocesor RZ/V2H z akceleratorem AI do systemów sterowania czasu rzeczywistego
Pamięci Flash UFS 4.0 do zastosowań w motoryzacji Pamięci Flash UFS 4.0 do zastosowań w motoryzacji
Wzmacniacz operacyjny CMOS o paśmie 50 MHz z wejściem i wyjściem rail-to-rail Wzmacniacz operacyjny CMOS o paśmie 50 MHz z wejściem i wyjściem rail-to-rail
100-woltowe tranzystory MOSFET o szerokim obszarze SOA do aplikacji PoE i eFuse 100-woltowe tranzystory MOSFET o szerokim obszarze SOA do aplikacji PoE i eFuse
Małostratne 750-woltowe tranzystory CoolSiC MOSFET do zastosowań w przemyśle i motoryzacji Małostratne 750-woltowe tranzystory CoolSiC MOSFET do zastosowań w przemyśle i motoryzacji
Moduł komunikacyjny LPWA do pracy w sieciach komórkowych i sieciach mesh Moduł komunikacyjny LPWA do pracy w sieciach komórkowych i sieciach mesh
Monolityczne radary SoC na pasmo 76...81 GHz do samochodowych systemów ADAS Monolityczne radary SoC na pasmo 76...81 GHz do samochodowych systemów ADAS
Sterownik 3-fazowych silników BLDC o napięciu wejściowym z zakresu 6,3...36 V Sterownik 3-fazowych silników BLDC o napięciu wejściowym z zakresu 6,3...36 V
Elastyczne układy Secure Element do urządzeń pracujących w standardzie Matter Elastyczne układy Secure Element do urządzeń pracujących w standardzie Matter
Transceivery na pasmo 60 GHz do bezprzewodowej transmisji sygnałów eUSB2, I²C, SPI, UART i GPIO Transceivery na pasmo 60 GHz do bezprzewodowej transmisji sygnałów eUSB2, I²C, SPI, UART i GPIO
Sterownik 3-fazowych silników BLDC do elektronarzędzi i aplikacji e-Mobility Sterownik 3-fazowych silników BLDC do elektronarzędzi i aplikacji e-Mobility
Cyfrowy sterownik bramek do modułów SiC o napięciu roboczym do 3,3 kV Cyfrowy sterownik bramek do modułów SiC o napięciu roboczym do 3,3 kV
Moduły wysokoprądowe IGBT w zmodyfikowanych obudowach INT-A-PAK o małych stratach Moduły wysokoprądowe IGBT w zmodyfikowanych obudowach INT-A-PAK o małych stratach
30-woltowy tranzystor n-MOSFET o rezystancji RDS(ON) równej 0,71 mΩ 30-woltowy tranzystor n-MOSFET o rezystancji RDS(ON) równej 0,71 mΩ
Izolowany sterownik bramek tranzystorów GaN FET niewymagający układu bootstrap Izolowany sterownik bramek tranzystorów GaN FET niewymagający układu bootstrap