Podzespoły półprzewodnikowe

Tranzystor MOSFET 650V/17A w obudowie o grubości 1mm STMicroelectronics SA oddział w Polsce Tranzystor MOSFET 650V/17A w obudowie o grubości 1mm
Cyfrowy żyroskop 3-osiowy z wbudowaną pamięcią FIFO STMicroelectronics SA oddział w Polsce Cyfrowy żyroskop 3-osiowy z wbudowaną pamięcią FIFO