Produkcja elektronikiPCBKomponentyZasilanieElektromechanikaKomunikacja Mikrokontrolery i IoTOptoelektronikaPomiaryProjektowanie i badania
RynekFirmyProduktyGospodarkaRaportyWywiadyTechnikaOpiniePuls branżyKalendariumMagazyn
Produkty
Kategorie
Produkcja elektroniki
Usługi CEM/EMS Obwody drukowane Obudowy dla urządzeń Urządzenia i wyposażenie produkcji Materiały do produkcji Narzędzia ręczne Oprogramowanie projektowe Laboratoria pomiarowe i badawcze Biura inżynierskie Usługi
Automatyka przemysłowa
Automatyzacja procesów Komponenty automatyki
Aparatura pomiarowa
Aparatura elektroniczna Aparatura energetyczna Mierniki wielkości nieelektrycznych Systemy pomiarowe Sprzęt i usługi kalibracji
Podzespoły elektroniczne
Podzespoły półprzewodnikowe Podzespoły energoelektroniczne Podzespoły elektromechaniczne Elementy optoelektroniczne Podzespoły pasywne Moduły elektroniczne OEM Źródła zasilania Oświetlenie LED
Przeglądaj kategorie
Złóż zapytanie ofertowe
Zobacz katalog firm

Podzespoły elektroniczne

200-woltowe tranzystory MOSFET rodziny OptiMOS 6 o dużej gęstości mocy 200-woltowe tranzystory MOSFET rodziny OptiMOS 6 o dużej gęstości mocy
Niskonapięciowy przesuwnik napięcia do szyn SMBus/I²C/I³C w obudowie o powierzchni 1,4 x 1,0 mm Niskonapięciowy przesuwnik napięcia do szyn SMBus/I²C/I³C w obudowie o powierzchni 1,4 x 1,0 mm
Wysokotemperaturowe złącze M12 o stopniu ochrony IP68 Wysokotemperaturowe złącze M12 o stopniu ochrony IP68
Złącza płytka-płytka o rozstawie wyprowadzeń 0,3 mm i dużej wytrzymałości mechanicznej Złącza płytka-płytka o rozstawie wyprowadzeń 0,3 mm i dużej wytrzymałości mechanicznej
Konwerter DC-DC buck o napięciu wejściowym 4,5...60 V i dopuszczalnej temperaturze pracy +125°C Konwerter DC-DC buck o napięciu wejściowym 4,5...60 V i dopuszczalnej temperaturze pracy +125°C
100-woltowy tranzystor GaN FET o rezystancji RDS(ON) równej 1 mΩ 100-woltowy tranzystor GaN FET o rezystancji RDS(ON) równej 1 mΩ
1000-watowe zasilacze Mean Well HRPG-1000N3 o dużej mocy szczytowej Mouser Electronics 1000-watowe zasilacze Mean Well HRPG-1000N3 o dużej mocy szczytowej
Ekranowane cewki SMD 1,2...1000 µH z kwalifikacją AEC-Q200 Ekranowane cewki SMD 1,2...1000 µH z kwalifikacją AEC-Q200
Tani 3-kanałowy sterownik diod LED z niezależnymi liniami sterującymi PWM Tani 3-kanałowy sterownik diod LED z niezależnymi liniami sterującymi PWM
Ultraniskoszumowy wzmacniacz 0,3...3 GHz o dużej odporności na promieniowanie jonizujące Ultraniskoszumowy wzmacniacz 0,3...3 GHz o dużej odporności na promieniowanie jonizujące
3-ogniwowe superkondensatory o napięciu znamionowym do 9 V i pojemności 0,33...5 F 3-ogniwowe superkondensatory o napięciu znamionowym do 9 V i pojemności 0,33...5 F
"Samochodowe" regulatory LDO 500 mA o szybkiej odpowiedzi na zmiany prądu obciążenia "Samochodowe" regulatory LDO 500 mA o szybkiej odpowiedzi na zmiany prądu obciążenia
Mikrokontrolery z modułem komunikacyjnym 2,4 GHz o mocy wyjściowej do +10 dBm Mikrokontrolery z modułem komunikacyjnym 2,4 GHz o mocy wyjściowej do +10 dBm
Transceivery IR o zasięgu transmisji 1 m i dużej odporności na wyładowania ESD Transceivery IR o zasięgu transmisji 1 m i dużej odporności na wyładowania ESD
Tranzystory CoolSiC MOSFET o napięciu znamionowym 2000 V w obudowach TO-247PLUS-4-HCC Tranzystory CoolSiC MOSFET o napięciu znamionowym 2000 V w obudowach TO-247PLUS-4-HCC
Kondensatory elektrolityczne 1...1000 μF/6,3...400 VDC o niezawodności 3000 h @ +105°C Kondensatory elektrolityczne 1...1000 μF/6,3...400 VDC o niezawodności 3000 h @ +105°C
Energooszczędne izolatory iSSI do sterowania tranzystorów OptiMOS, CoolMOS i FET Energooszczędne izolatory iSSI do sterowania tranzystorów OptiMOS, CoolMOS i FET
100-woltowy półmostkowy sterownik bramek tranzystorów GaN FET do konwerterów DC-DC 100-woltowy półmostkowy sterownik bramek tranzystorów GaN FET do konwerterów DC-DC
100-woltowe diody Schottky'ego o krótkim czasie regeneracji ze strukturą Trench MOS 100-woltowe diody Schottky'ego o krótkim czasie regeneracji ze strukturą Trench MOS
Dwukierunkowy wzmacniacz pomiarowy current-sense do elektroniki samochodowej Dwukierunkowy wzmacniacz pomiarowy current-sense do elektroniki samochodowej
Precyzyjne rezystory chipowe do pracy w temperaturze otoczenia od -55 do +155°C Precyzyjne rezystory chipowe do pracy w temperaturze otoczenia od -55 do +155°C
Tranzystory CoolSiC MOSFET 2. generacji o zredukowanych o 10% stratach na przełączanie Tranzystory CoolSiC MOSFET 2. generacji o zredukowanych o 10% stratach na przełączanie
Seria cewek chipowych do samochodowych aplikacji w.cz. Seria cewek chipowych do samochodowych aplikacji w.cz.
Mikroprocesor RZ/V2H z akceleratorem AI do systemów sterowania czasu rzeczywistego Mikroprocesor RZ/V2H z akceleratorem AI do systemów sterowania czasu rzeczywistego
Pamięci Flash UFS 4.0 do zastosowań w motoryzacji Pamięci Flash UFS 4.0 do zastosowań w motoryzacji
Wzmacniacz operacyjny CMOS o paśmie 50 MHz z wejściem i wyjściem rail-to-rail Wzmacniacz operacyjny CMOS o paśmie 50 MHz z wejściem i wyjściem rail-to-rail
100-woltowe tranzystory MOSFET o szerokim obszarze SOA do aplikacji PoE i eFuse 100-woltowe tranzystory MOSFET o szerokim obszarze SOA do aplikacji PoE i eFuse
Transformatory o małej pojemności międzyzwojowej do półmostkowych konwerterów LLC Transformatory o małej pojemności międzyzwojowej do półmostkowych konwerterów LLC
Małostratne 750-woltowe tranzystory CoolSiC MOSFET do zastosowań w przemyśle i motoryzacji Małostratne 750-woltowe tranzystory CoolSiC MOSFET do zastosowań w przemyśle i motoryzacji
Miniaturowe warystory klasy motoryzacyjnej do ochrony interfejsów LIN i CAN Miniaturowe warystory klasy motoryzacyjnej do ochrony interfejsów LIN i CAN