Produkcja elektronikiPCBKomponentyZasilanieElektromechanikaKomunikacja Mikrokontrolery i IoTOptoelektronikaPomiaryProjektowanie i badania
RynekFirmyProduktyGospodarkaRaportyWywiadyTechnikaOpiniePuls branżyKalendariumMagazynDla firm
Produkty
Kategorie
Produkcja elektroniki
Usługi CEM/EMS Obwody drukowane Obudowy dla urządzeń Urządzenia i wyposażenie produkcji Materiały do produkcji Narzędzia ręczne Oprogramowanie projektowe Laboratoria pomiarowe i badawcze Biura inżynierskie Usługi
Automatyka przemysłowa
Automatyzacja procesów Komponenty automatyki
Aparatura pomiarowa
Aparatura elektroniczna Aparatura energetyczna Mierniki wielkości nieelektrycznych Systemy pomiarowe Sprzęt i usługi kalibracji
Podzespoły elektroniczne
Podzespoły półprzewodnikowe Podzespoły energoelektroniczne Podzespoły elektromechaniczne Elementy optoelektroniczne Podzespoły pasywne Moduły elektroniczne OEM Źródła zasilania Oświetlenie LED
Przeglądaj kategorie
Złóż zapytanie ofertowe
Zobacz katalog firm

Podzespoły elektroniczne

60-amperowy moduł Power Block o gęstości mocy 29 W/cm³ 60-amperowy moduł Power Block o gęstości mocy 29 W/cm³
Ceramiczne elementy grzewcze PTC do pojazdów elektrycznych Ceramiczne elementy grzewcze PTC do pojazdów elektrycznych
Zegar RTC o poborze prądu 300 nA i stabilności wewnętrznego wzorca 5 ±23 x 10<sup>–6</sup> Zegar RTC o poborze prądu 300 nA i stabilności wewnętrznego wzorca 5 ±23 x 10–6
Najmniejsze na rynku cewki do transponderów samochodowych Najmniejsze na rynku cewki do transponderów samochodowych
Szybkie, wysokonapięciowe diody Schottky\'ego 600 V/30 A o grubości poniżej 1,1 mm Szybkie, wysokonapięciowe diody Schottky\'ego 600 V/30 A o grubości poniżej 1,1 mm
Jednokanałowy komparator do urządzeń pracujących z napięciem zasilania od 1,6 do 5,5 V Jednokanałowy komparator do urządzeń pracujących z napięciem zasilania od 1,6 do 5,5 V
Pierwszy na rynku półmostkowy moduł GaN FET o parametrach znamionowych 80 V/10 A Pierwszy na rynku półmostkowy moduł GaN FET o parametrach znamionowych 80 V/10 A
Najmniejsze na rynku cyfrowe tunery STB z technologią loop-through Najmniejsze na rynku cyfrowe tunery STB z technologią loop-through
Mikrokontrolery z rdzeniem ARM Cortex-M4F o ultraniskim poborze mocy Mikrokontrolery z rdzeniem ARM Cortex-M4F o ultraniskim poborze mocy
Miniaturowy kontakt sprężynowy MicroClip 1,4 x 1,4 mm o obciążalności 3 A Miniaturowy kontakt sprężynowy MicroClip 1,4 x 1,4 mm o obciążalności 3 A
Pamięci SuperFlash SQI 16, 32 i 64 Mb o czasie kasowania zawartości równym 35 ms Pamięci SuperFlash SQI 16, 32 i 64 Mb o czasie kasowania zawartości równym 35 ms
3-bitowa pamięć NAND Flash o pojemności 128 GB 3-bitowa pamięć NAND Flash o pojemności 128 GB
Tranzystory SiC HEMT 650 W na pasmo 960...1215 MHz Tranzystory SiC HEMT 650 W na pasmo 960...1215 MHz
Podwójna, niskoprofilowa cewka indukcyjna do wzmacniaczy mocy klasy D Podwójna, niskoprofilowa cewka indukcyjna do wzmacniaczy mocy klasy D
90-amperowy konwerter DC-DC POL z możliwością łączenia w systemach wielofazowych 90-amperowy konwerter DC-DC POL z możliwością łączenia w systemach wielofazowych
Bezpieczna pamięć SSD 64 GB z samoczynnym kasowaniem zawartości Bezpieczna pamięć SSD 64 GB z samoczynnym kasowaniem zawartości
20-woltowy MOSFET o powierzchni 1 mm² 20-woltowy MOSFET o powierzchni 1 mm²
Modułowe przetwornice DC-DC o mocy do 600 W do zastosowań w przemyśle i lotnictwie Modułowe przetwornice DC-DC o mocy do 600 W do zastosowań w przemyśle i lotnictwie
100-woltowy kontroler DC-DC LT3748 w wersji na militarny zakres temperatur pracy 100-woltowy kontroler DC-DC LT3748 w wersji na militarny zakres temperatur pracy
Seria modułów POL o wymiarach 50,8 x 19,1 x 9,7 mm i wydajności prądowej 90 A Seria modułów POL o wymiarach 50,8 x 19,1 x 9,7 mm i wydajności prądowej 90 A
50-amperowy konwerter DC-DC do zasilania układów FPGA, ASIC i mikroprocesorów 50-amperowy konwerter DC-DC do zasilania układów FPGA, ASIC i mikroprocesorów
Najszybsze na rynku diody krzemowe 150 V/10...40 A o małych stratach przy pracy impulsowej Najszybsze na rynku diody krzemowe 150 V/10...40 A o małych stratach przy pracy impulsowej
Nowe mikroprocesory aplikacyjne rodziny ApP Lite z kontrolerem Bluetooth i żyroskopem Nowe mikroprocesory aplikacyjne rodziny ApP Lite z kontrolerem Bluetooth i żyroskopem
MOSFET-y 80 i 100 V o rezystancji R<sub>DS(on)</sub> od 1 mW MOSFET-y 80 i 100 V o rezystancji RDS(on) od 1 mW
Liniowy regulator napięcia 5 V/200 mA o dopuszczalnej temperaturze pracy +175°C Liniowy regulator napięcia 5 V/200 mA o dopuszczalnej temperaturze pracy +175°C
30-amperowy konwerter DC-DC dla układów FPGA 10. generacji 30-amperowy konwerter DC-DC dla układów FPGA 10. generacji
Niskoprofilowe złącza sprężynowe Wire-to-Board o parametrach znamionowych do 9 A/300 V Niskoprofilowe złącza sprężynowe Wire-to-Board o parametrach znamionowych do 9 A/300 V
80-watowe moduły SMU do analizatorów poboru mocy N6700 80-watowe moduły SMU do analizatorów poboru mocy N6700
Modułowy radiomodem 868 MHz o zasięgu 500 m i szybkości transmisji 56 kbps Modułowy radiomodem 868 MHz o zasięgu 500 m i szybkości transmisji 56 kbps
Militarne wzmacniacze mocy w.cz. 20 i 50 W na pasmo 225 MHz...1,9 GHz Militarne wzmacniacze mocy w.cz. 20 i 50 W na pasmo 225 MHz...1,9 GHz