Produkcja elektronikiPCBKomponentyZasilanieElektromechanikaKomunikacja Mikrokontrolery i IoTOptoelektronikaPomiaryProjektowanie i badania
RynekFirmyProduktyGospodarkaRaportyWywiadyTechnikaOpiniePuls branżyKalendariumMagazynDla firm
Produkty
Kategorie
Produkcja elektroniki
Usługi CEM/EMS Obwody drukowane Obudowy dla urządzeń Urządzenia i wyposażenie produkcji Materiały do produkcji Narzędzia ręczne Oprogramowanie projektowe Laboratoria pomiarowe i badawcze Biura inżynierskie Usługi
Automatyka przemysłowa
Automatyzacja procesów Komponenty automatyki
Aparatura pomiarowa
Aparatura elektroniczna Aparatura energetyczna Mierniki wielkości nieelektrycznych Systemy pomiarowe Sprzęt i usługi kalibracji
Podzespoły elektroniczne
Podzespoły półprzewodnikowe Podzespoły energoelektroniczne Podzespoły elektromechaniczne Elementy optoelektroniczne Podzespoły pasywne Moduły elektroniczne OEM Źródła zasilania Oświetlenie LED
Przeglądaj kategorie
Złóż zapytanie ofertowe
Zobacz katalog firm

Podzespoły elektroniczne

Kondensatory elektrolityczne snap-in o napięciu pracy 550 V<sub>DC</sub> Kondensatory elektrolityczne snap-in o napięciu pracy 550 VDC
Dwuwejściowy przełącznik zasilania o wydajności prądowej 3 A Dwuwejściowy przełącznik zasilania o wydajności prądowej 3 A
Uniwersalne moduły komunikacyjne dla urządzeń przemysłowych Uniwersalne moduły komunikacyjne dla urządzeń przemysłowych
Energooszczędny mikrokontroler z pamięcią FRAM zachowuje dane po utracie zasilania Energooszczędny mikrokontroler z pamięcią FRAM zachowuje dane po utracie zasilania
Kontroler DC-DC Buck o dużej dopuszczalnej różnicy napięć między wejściem i wyjściem Kontroler DC-DC Buck o dużej dopuszczalnej różnicy napięć między wejściem i wyjściem
Generator sygnałów wektorowych USB 100 MHz...2,5 GHz w cenie 495 USD Generator sygnałów wektorowych USB 100 MHz...2,5 GHz w cenie 495 USD
Transformatory izolacyjne 4250 V rms do układów sterowania tranzystorów MOSFET/IGBT Transformatory izolacyjne 4250 V rms do układów sterowania tranzystorów MOSFET/IGBT
Wzmacniacz operacyjny 10 A/200 V do sterowania przetworników piezoelektrycznych Wzmacniacz operacyjny 10 A/200 V do sterowania przetworników piezoelektrycznych
Szybki izolator do sterowania tranzystorów IGBT w układach napędowych i zasilających Szybki izolator do sterowania tranzystorów IGBT w układach napędowych i zasilających
Absorpcyjny przełącznik SPDT 9 kHz...13 GHz o krótkim czasie stabilizacji sygnału Absorpcyjny przełącznik SPDT 9 kHz...13 GHz o krótkim czasie stabilizacji sygnału
n-kanałowe MOSFETy 600 V o bardzo małym ładunku regeneracyjnym n-kanałowe MOSFETy 600 V o bardzo małym ładunku regeneracyjnym
Przedwzmacniacz do współpracy z sensorami z wyjściem prądowym Przedwzmacniacz do współpracy z sensorami z wyjściem prądowym
Wodoszczelne diody LED serii CRM z wyprowadzeniami wsuwkowymi Wodoszczelne diody LED serii CRM z wyprowadzeniami wsuwkowymi
Zasilacze medyczne Xsolo zgodne z wymogami standardów medycznych IEC 60601 B/BF Zasilacze medyczne Xsolo zgodne z wymogami standardów medycznych IEC 60601 B/BF
Kontroler NFC z funkcją transmisji danych i zasilania Kontroler NFC z funkcją transmisji danych i zasilania
Najmniejszy na rynku czujnik światła w obudowie o wymiarach 1,66 x 1,15 x 0,32 mm Najmniejszy na rynku czujnik światła w obudowie o wymiarach 1,66 x 1,15 x 0,32 mm
Tranzystor E-HEMT 650 V/60 A o grubości obudowy 0,45 mm Tranzystor E-HEMT 650 V/60 A o grubości obudowy 0,45 mm
Ultrajasne diody LED z obudowach SMD z soczewkami kopułkowymi Ultrajasne diody LED z obudowach SMD z soczewkami kopułkowymi
Miniaturowe oscylatory TCXO/VCTCXO w ceramicznych obudowach 2,5 x 2,0 x 0,8 mm Miniaturowe oscylatory TCXO/VCTCXO w ceramicznych obudowach 2,5 x 2,0 x 0,8 mm
Tranzystor MOSFET 900 V/32 A zrealizowany w technologii SiC Tranzystor MOSFET 900 V/32 A zrealizowany w technologii SiC
Oscylatory MEMS 1...26 MHz o wymiarach 1,5 x 0,8 x 0,55 mm Oscylatory MEMS 1...26 MHz o wymiarach 1,5 x 0,8 x 0,55 mm
Rezystory drutowe z rdzeniem ceramicznym o dopuszczalnej temperaturze pracy +200°C Rezystory drutowe z rdzeniem ceramicznym o dopuszczalnej temperaturze pracy +200°C
Przetwornica DC-DC SEPIC/Boost z kluczem 70 V/2 A do zastosowań w elektronice samochodowej Przetwornica DC-DC SEPIC/Boost z kluczem 70 V/2 A do zastosowań w elektronice samochodowej
Wzmacniacz mocy na pasmo 20...1000 MHz o mocy wyjściowej do 12,5 W (41 dBm) Wzmacniacz mocy na pasmo 20...1000 MHz o mocy wyjściowej do 12,5 W (41 dBm)
Wysokoprądowy MOSFET 40 V/200 A do elektroniki samochodowej Wysokoprądowy MOSFET 40 V/200 A do elektroniki samochodowej
Tanie superkondensatory o grubości 0,6 mm w cenie poniżej 1 USD Tanie superkondensatory o grubości 0,6 mm w cenie poniżej 1 USD
Miniaturowe fotoprzekaźniki o małej rezystancji i pojemności wewnętrznej Miniaturowe fotoprzekaźniki o małej rezystancji i pojemności wewnętrznej
Ograniczniki typ 3 rodzina SEC Phoenix Contact Ograniczniki typ 3 rodzina SEC
Advanced Low Power SRAM od firmy Renesas GLYN Jones GmbH & Co KG Advanced Low Power SRAM od firmy Renesas
Wysokonapięciowe rezystory grubowarstwowe o wartościach do 10 TW i tolerancji od 0,25% Wysokonapięciowe rezystory grubowarstwowe o wartościach do 10 TW i tolerancji od 0,25%