wersja mobilna
Online: 682 Sobota, 2018.02.24

Biznes

Toshiba produkuje pamięć NAND flash w procesie 24nm

czwartek, 14 października 2010 07:45

Toshiba poinformowała o rozpoczęciu masowej produkcji pamięci NAND flash przy użyciu technologii procesu CMOS 24nm. Według firmy nowe układy charakteryzują się najmniejszą geometrią i największą gęstością spośród wszystkich dostępnych na rynku układów NAND flash.

Nowa produkcja Toshiby obejmuje 64-gigabitowe układy pamięci zdolne do zapisu 2 bitów w jednej komórce. Firma zapowiada także wykonane w powyższej technologii pamięci NAND flash 32Gb zapisujących 3 bity w komórce.

Migracja procesu Toshiby w produkcji pamięci może utrudnić wprowadzenie na rynek alternatywnych technologii pamięci, takich jak MRAM czy phase change menory (PCM). Wcześniej w tym roku IM Flash, spółka Microna z Intelem, ogłosiła rozpoczęcie produkcji 64-gigabitowych układów NAND flash typu MLC w procesie 25nm.

 

World News 24h

sobota, 24 lutego 2018 08:05

Peter Trefonas, Ph.D., corporate fellow in Dow Electronic Materials, has recently been elected a Fellow of SPIE, for achievements in design for manufacturing and compact modeling. SPIE, the international society for optics and photonics, will promote 73 new Fellows of the Society this year, to recognize the significant scientific and technical contributions of each in the multidisciplinary fields of optics, photonics, and imaging. SPIE Fellows are honored for their technical achievements and for their service to the general optics community and to SPIE in particular. Trefonas has proven himself to be a leader in advanced lithographic technology with numerous highly cited and pioneering papers in key areas of advanced lithography.

więcej na: www.dowelectronicmaterials.com