wersja mobilna
Online: 2204 Wtorek, 2017.12.12

Biznes

Toshiba produkuje pamięć NAND flash w procesie 24nm

czwartek, 14 października 2010 07:45

Toshiba poinformowała o rozpoczęciu masowej produkcji pamięci NAND flash przy użyciu technologii procesu CMOS 24nm. Według firmy nowe układy charakteryzują się najmniejszą geometrią i największą gęstością spośród wszystkich dostępnych na rynku układów NAND flash.

Nowa produkcja Toshiby obejmuje 64-gigabitowe układy pamięci zdolne do zapisu 2 bitów w jednej komórce. Firma zapowiada także wykonane w powyższej technologii pamięci NAND flash 32Gb zapisujących 3 bity w komórce.

Migracja procesu Toshiby w produkcji pamięci może utrudnić wprowadzenie na rynek alternatywnych technologii pamięci, takich jak MRAM czy phase change menory (PCM). Wcześniej w tym roku IM Flash, spółka Microna z Intelem, ogłosiła rozpoczęcie produkcji 64-gigabitowych układów NAND flash typu MLC w procesie 25nm.

 

World News 24h

wtorek, 12 grudnia 2017 19:57

The upcoming handset had been expected to make its first official appearance at the Consumer Electronics Show in Las Vegas next month, but that has now been thrown into doubt. Instead, it appears that we’ll have to wait until March to get our first glimpse of the S9. A spokesperson for the South Korean firm has said it is “unlikely” that the S9 will be shown off at CES, the Korea Herald reports. That suggests Samsung is yet to make up its mind, which is somewhat bizarre considering CES is just weeks away. The rumoured Las Vegas appearance had been expected to be little more than a sneak preview, but it’s still slightly disappointing to hear that it might not happen. The S9 is likely to look very similar to the S8, but with one potentially very important design change.

więcej na: www.independent.co.uk