Intel będzie wytwarzać pamięci NAND 3D w Chinach
| Gospodarka ArtykułyIntel planuje wydać 5,5 mld dolarów na wyposażenie swojej fabryki w Chinach w narzędzia i sprzęt do produkcji układów flash NAND 3D przeznaczonych do dysków półprzewodnikowych firmy. Według planów firmy produkcja NAND 3D rozpocznie się w fabryce w północno-wschodnim mieście Dalian w II połowie przyszłego roku. Stworzenie przemysłu produkcji półprzewodników pamięci jest oczkiem w głowie rządu chińskiego już od dłuższego czasu. W połowie br. państwowa firma inwestycyjna Tsinghua oferowała 23 miliardy dolarów za Microna, jednak do przejęcia nie doszło z przyczyn politycznych.
Obecnie Intel odmówił komentarza czy dostał od rządu jakieś zachęty finansowe do inwestycji, niemniej jego przedstawiciele stwierdzili, że współpraca z władzami okręgu Dalian układa się znakomicie. Według Gartnera będąc w posiadaniu zaplecza produkcji pamięci nieulotnych Intel realizuje strategię rozwoju biznesu dysków SSD i eliminuje wąskie gardło dostaw urządzeń dla centrów danych.
