wersja mobilna
Online: 713 Sobota, 2018.06.23

Biznes

Intel będzie wytwarzać pamięci NAND 3D w Chinach

wtorek, 01 grudnia 2015 07:53

Intel planuje wydać 5,5 mld dolarów na wyposażenie swojej fabryki w Chinach w narzędzia i sprzęt do produkcji układów flash NAND 3D przeznaczonych do dysków półprzewodnikowych firmy. Według planów firmy produkcja NAND 3D rozpocznie się w fabryce w północno-wschodnim mieście Dalian w II połowie przyszłego roku. Stworzenie przemysłu produkcji półprzewodników pamięci jest oczkiem w głowie rządu chińskiego już od dłuższego czasu. W połowie br. państwowa firma inwestycyjna Tsinghua oferowała 23 miliardy dolarów za Microna, jednak do przejęcia nie doszło z przyczyn politycznych.

Obecnie Intel odmówił komentarza czy dostał od rządu jakieś zachęty finansowe do inwestycji, niemniej jego przedstawiciele stwierdzili, że współpraca z władzami okręgu Dalian układa się znakomicie. Według Gartnera będąc w posiadaniu zaplecza produkcji pamięci nieulotnych Intel realizuje strategię rozwoju biznesu dysków SSD i eliminuje wąskie gardło dostaw urządzeń dla centrów danych.

 

World News 24h

piątek, 22 czerwca 2018 20:04

Samsung Electronics announced that it has launched the industry’s highest capacity NVMe solid state drive based on the incredibly small Next-generation Small Form Factor - an eight-terabyte NF1 SSD. The new 8TB NVMe NF1 SSD has been optimized for data-intensive analytics and virtualization applications in next-generation data centers and enterprise server systems. “By introducing the first NF1 NVMe SSD, Samsung is taking the investment efficiency in data centers to new heights,” said Sewon Chun, senior vice president of Memory Marketing at Samsung Electronics. “We will continue to lead the trend toward enabling ultra-high density data centers and enterprise systems by delivering storage solutions with unparalleled performance and density levels.”

więcej na: news.samsung.com