Samsung pełną parą wytwarza w Xi'an pamięci NAND 3D

Powyższa wielka wydajność produkcyjna została wypracowana w półtora roku od momentu uruchomienia fabryki w maju 2014 r. Początkowo miesięcznie powstawało tam 10 do 20 tysięcy płytek z układami NAND flash, a pułap 50 tysięcy firma przekroczyła w III kwartale 2015 r.

Popyt na układy NAND flash rośnie w tempie szybszym niż prognozowano i stąd taki rozmach inwestycji i wielkości produkcji. Samsung stosuje pamięci NAND 3D w kartach mikroSD, w serwerach, dyskach półprzewodnikowych i nieustannie rozwija ofertę produktów. W br. firma planuje wprowadzenie ich do urządzeń mobilnych, w tym smartfonów.

Samsung jako pierwszy wprowadził na rynek trójwymiarowe układy pamięci NAND (V-NAND) o 24 warstwach matryc komórek pamięci, stając się niekwestionowanym liderem innowacyjności w obszarze pamięci zewnętrznych. W drugiej generacji technologii NAND 3D komórki umieszczone były pionowo na 32 warstwach, a obecnie firma oferuje trzecią generację technologii, z 48 warstwami. W ubiegłym roku do grona wytwórców NAND 3D dołączyli rywale Samsunga, Micron wraz z Intelem (Intel Micron Flash Technologies), Toshiba (też już układa 48 warstw) oraz SK Hynix.

Era NAND 3D

Trójwymiarowa struktura układów NAND pozwala uzyskać większą gęstość upakowania komórek pamięci w porównaniu do struktur dwuwymiarowych, wytwarzanych w procesie 20 nm. Dzięki pionowemu rozmieszczeniu warstw, połączonych pionowymi przelotkami, uzyskana jest lepsza wydajność i niezawodność układów. Kości pamięci przy pionowej konfiguracji warstw są mniejsze, co znajduje odzwierciedlenie w cenach choćby dysków półprzewodnikowych o pojemności od 1 do 4 terabajtów.

Układ pionowy pozwala także budować fizycznie mniejsze układy, czyniąc je jeszcze lepszym rozwiązaniem do laptopów i tabletów. Ponadto przy konfiguracji 3D producenci nie muszą sięgać do najniższych procesów technologicznych - choć przy produkcji układów płaskich Samsung stosuje proces o wymiarze charakterystycznym 14 nm, do trójwymiarowych NAND wykorzystuje starszą technologię 32 nm.

Prognoza spadku kosztów wytwarzania pamięci NAND flash, źródło: Forbes

W opinii serwisu BusinessKorea Samsung w tym roku przeznaczy kolejne środki finansowe na rozwój zakładu w Xi’an. Pierwszy etap inwestycji pochłonął 2,3 mld dolarów, firma nie zapowiada jednak, jaką kwotę przeznaczy na zakład w roku bieżącym. Aktualnie tylko 231 tysięcy z 1,124 miliona metrów kwadratowych powierzchni terenu zakładu jest wykorzystane pod działalność produkcyjną. Z drugiej strony, w obecnych warunkach szybko spadających cen produktów pamięci na rynkach komputerów osobistych, urządzeń mobilnych i serwerów, przed podjęciem dalszych decyzji o rozbudowie fabryki Samsung z pewnością będzie obserwował rozwój sytuacji i poczynań głównych rywali.

Według analityków z firmy TrendForce w połowie ubiegłego roku dostawy układów NAND 3D stanowiły jedynie około 3% całkowitej sprzedaży pamięci NAND flash, głównie ze względu na to, że do połowy 2015 r. pamięć o strukturze pionowej produkował seryjnie jedynie Samsung, a inni dostawcy w tym czasie dopiero testowali nową technologię. Błyskawiczny wzrost popularności NAND 3D sprawił, że pod koniec ubiegłego roku udział NAND 3D w całości dostaw NAND flash miał wzrosnąć do 20%, przewidywał TrendForce. Zgodnie z prognozami, w 2017 r. technologia NAND 3D ma zdominować rynek pamięci flash, zyskując w nim 65,7% dostaw.

Marcin Tronowicz