wersja mobilna
Online: 618 Niedziela, 2018.06.24

Biznes

Smartfony będą miały 1 TB pamięci wewnętrznej

piątek, 12 sierpnia 2016 12:29

Firma Micron twierdzi, że do 2020 r. zwiększy możliwości układów 3D NAND Flash tak, by smartfony mogły dysponować wewnętrzną pamięcią 1 TB. Wiceprezes biznesu mobilnego Microna Gino Skulick powiedział, że celem jest dorównanie w tym zakresie komputerom PC i laptopom. Firma zaprezentowała właśnie swoje pierwsze chipy 3D NAND zoptymalizowane dla urządzeń mobilnych oraz pierwszy produkt bazujący na standardzie Universal Flash Storage (UFS) 2.1. Pierwsze 32 GB pamięci Microna 3D NAND przeznaczone są do wysokiej i średniej klasy smartfonów odpowiadających za 50% światowej sprzedaży.

Micron ma w zakresie układów 3D NAND Flash poważną konkurencję w postaci Samsunga. Południowokoreański gigant technologiczny wykorzystuje już chipy 3D Flash w swoich telefonach Galaxy S7 i Note 7. Telefony mają maksymalnie 64 GB pamięci, którą użytkownicy mogą rozszerzyć za pomocą kart SD. Układy 3D Flash Samsung stosuje również do budowy dysków SSD o pojemności 15,36 TB.

źródło: Techworm

 

World News 24h

niedziela, 24 czerwca 2018 19:52

TT Electronics has introduced SMD power inductors for use in high power density applications where size is critical. The low-profile devices are suitable for use in DC-DC converters using high switching frequencies up to 3MHz as well as EMI and low pass DC filters. Applications in the transportation field include powertrain, engine control, transmission control, LED driver, ABS braking systems, EPS, radar systems, and camera control systems. In the industrial sector they are suirable for use in automation systems as well as DC-DC converters. The HA66 series is a low profile, low loss, ferrite-based inductor designed with a wide range of inductances and package sizes. The series comprises a range of 38 inductors with inductance ratings from 2.5 to 220µH, DC resistances from 0.018 to 0.820Ω and Irms values from 1.22 to 11.2A.

więcej na: www.electronicsweekly.com