Tsinghua Unigroup, kontrolowany przez państwo chińskie konglomerat, przejął w lipcu Wuhan XinXin Semiconductor Manufacturing Corp., w skrócie XMC, producenta układów pamięci NOR flash, który za 2 lata ma wejść na rynek z ofertą własnych pamięci flash 3D, poinformował Bloomberg. Przejęta firma otrzyma nową nazwę - ChangJiang Storage - przy czym ChangJiang po chińsku oznacza najdłuższą w kraju rzekę - Jangcy.
Fabrykę układów XMC założyły władze miasta Wuhan powierzając zarządzanie obiektem wytwórni półprzewodników typu pure play - SMIC. Początkowo XMC była zakładem foundry, by później skupić się na produkcji układów pamięci NOR flash i czujników obrazu. Obecne plany zakładają rozpoczęcie w 2018 r. produkcji trójwymiarowych pamięci flash - wydajność zakładów ma sięgnąć 200 tysięcy płytek miesięcznie.
Jeśli tak się stanie, Tsinghua dopnie swego i zrealizuje wielki plan Państwa Środka, aby doprowadzić do powstania własnego potencjału produkcyjnego układów pamięci NAND. W tym celu rok temu firma Tsinghua zaproponowała kupno Microna i była gotowa zapłacić za niego 23 mld dolarów. Intel zdecydował się zainwestować 5,5 mld dolarów. w produkcję pamięci 3D NAND flash we własnej fabryce w chińskim mieście Dalian. Także w roku ubiegłym za 3,8 mld dolarów Tsinghua Unigroup kupił 15% akcji w Western Digital.
» Tsinghua wycofała się z zakupu akcji WD za 3,8 mld dolarów
» Smartfony będą miały 1 TB pamięci wewnętrznej
» Jeszcze przed końcem 2017 roku Chiny rozpoczną produkcję chipów 3D NAND
» Tsinghua zbuduje największą na świecie fabrykę 3D NAND Flash
» Tsinghua Unigroup chce zbudować własną fabrykę układów DRAM
» Tsinghua Unigroup zainwestuje 47 mld dolarów w budowę półprzewodnikowego imperium
» Tsinghua Unigroup kieruje uwagę na rynek SSD
» Tsinghua chce zainwestować 4,7 mld dolarów w układy mobilne
imec demonstrates for the first time the possibility to fabricate state-of-the-art spin-orbit torque MRAM devices on 300mm wafers using CMOS compatible processes. With an unlimited endurance (>5x1010), fast switching speed (210ps), and power consumption as low as 300pJ, the SOT-MRAM devices manufactured in a 300mm line achieve the same or better performance as lab devices. This next-generation MRAM technology targets replacement of L1/L2 SRAM cache memories in high-performance computing applications. SOT-MRAM has recently emerged as a non-volatile memory technology that promises a high endurance and low-power, sub-ns switching speed.
więcej na: www.imec-int.com
