wersja mobilna
Online: 370 Środa, 2018.06.20

Biznes

Filtry SAW strategicznym komponentem nowoczesnej telekomunikacji

poniedziałek, 18 grudnia 2017 12:59

Sieci telefonii komórkowej 5 generacji wywołają znaczny wzrost zapotrzebowania na filtry w.cz. używane w układach front-end sprzętu komunikacyjnego, przede wszystkim w smartfonach. Od momentu, gdy w 2000 roku smartfony pojawiły się na rynku liczba pasm częstotliwości toru radiowego zwiększyła się z pierwotnych 4 do ponad 30 aktualnie, i zapewne dalej się będzie zwiększać.

Z tej przyczyny filtry dla toru radiowego stają się jedną z najważniejszych grup podzespołów pasywnych, a ich sprzedaż szybko się zwiększa. W 2022 roku ma sięgnąć 16 mld dolarów, przy stopie CAGR na poziomie 8%.

W takich zastosowaniach (poniżej 6 GHz) wykorzystuje się filtry z akustyczną falą powierzchniową, które są tanie i pozwalają się łatwo integrować na PCB, dzięki małym wymiarom. Elementy SAW, TC-SAW, BAW-FBAR, BAW-SMR produkowane są przez kilku silnych graczy o międzynarodowej pozycji, jak Broadcom, Skyworks, Taiyo Yuden, Murata, Kyocera, Hitachi, Samsung czy Seiko Epson, którzy zdecydowanie zmniejszają penetrację nowych firm w tym sektorze. Co więcej, ostatnie i liczne fuzje i przejęcia doprowadziły do ​​wzmocnienia portfeli graczy. Akwizycja firmy Broadcom przez Avago Technologies jest tutaj dobrym przykładem.

Wraz z kształtowaniem się protokołów komunikacyjnych 5G, firmy te opracowują obecnie filtry, które będą spełniać wymagania zarówno aplikacji "sub-6 GHz", jak i przyszłego rynku 5G. Warto dodać, że atrakcyjność nowego standardu komunikacyjnego może doprowadzić do licznych przetasowań w tym obszarze, napędzanych także "wojnami patentowymi".

Prognoza wzrostu rynku komponentów w.cz. w rozbiciu na 4 typy wg Yole Developpement Filtry z powierzchniową falą akustyczną - czołowi producenci i liczba posiadanych przez nich patentów
 

World News 24h

środa, 20 czerwca 2018 10:04

imec presented considerable progress in enabling germanium nanowire pFET devices as a practical solution to extend scaling beyond the 5nm node. In a first paper, the research center unveiled an in-depth study of the electrical properties of strained germanium nanowire pFETs. A second paper presents the first demonstration of vertically-stacked gate-all-around highly-strained germanium nanowire pFETs. “With a number of scaling boosters, the industry will be able to extend FinFET technology to the 7- or even 5nm node,” says An Steegen, EVP at imec’s Semiconductor Technology and Systems division.

więcej na: www.imec-int.com