Toshiba zainwestuje 7 miliardów jenów w budowę Fab 7

Dzięki wpływowi 17,7 mld dolarów od inwestora Bain Capital, Toshiba jest gotowa do podejmowania nowych działań. Obecnie kontynuuje budowę obiektu produkcyjnego Fab 6, którego ukończenie szacowane jest na czwarty kwartał 2018 roku. Nie odwiodło to firmy od projektowania nowego obiektu w Kitakami w Japonii. Toshiba ogłosiła plany zainwestowania 7 mld jenów, czyli ok. 1,06 mld dolarów, w przygotowanie terenu i wstępną budowę Fab 7. Przedstawiła też kolejne informacje o zwiększeniu produkcji pamięci w zakładzie Yokkaichi.

Dodaj do ulubionych źródeł w Google
Posłuchaj
00:00

Western Digital planuje podpisanie umowy z firmą Toshiba, która dotyczyć będzie współpracy realizowanej właśnie w nowym zakładzie w Kitakami. Wspólne przedsięwzięcie Toshiby i Western Digital ma zapewnić korzystną pozycję w rywalizacji z rywalami, czyli firmami Samsung, Intel Micron Flash Technologies i Sk Hynix.

źródło: Tom's Hardware

Chcesz częściej widzieć nasze artykuły w Google? Dodaj ElektronikaB2B do ulubionych źródeł
Powiązane treści
Toshiba sfinalizowała wartą 18 miliardów dolarów sprzedaż jednostki chipowej konsorcjum Bain
Toshiba sfinalizowała wartą 18 miliardów dolarów sprzedaż jednostki chipowej konsorcjum Bain
Toshiba zbuduje nową fabrykę, by zwiększyć zdolność produkcji pamięci 3D flash
Toshiba zbuduje nową fabrykę, by zwiększyć zdolność produkcji pamięci 3D flash
Toshiba Corporation powołała Nobuaki Kurumatani na stanowisko prezesa i dyrektora generalnego
Toshiba sprzedaje Westinghouse
Półprzewodnikowy biznes Toshiby w nowych rękach
CEO Firmy Western Digital przeprasza Toshibę za spory przy sprzedaży chipowej jednostki
Toshiba raportuje wielomiliardową stratę
Toshiba rozpoczyna budowę zakładu Fab 6 oraz centrum R&D w Yokkaichi
Toshiba Memory i Western Digital oficjalnie otwierają nową fabrykę układów NAND flash 3D
Zobacz więcej w kategorii: Gospodarka
Projektowanie i badania
730 mln euro na APECS. Europa wzmacnia sektor mikroelektroniki
Produkcja elektroniki
Globalna ekspansja półprzewodników mocy GaN - rynek osiągnie 3,5 mld dolarów do 2031 roku
Komponenty
Infineon przejmuje C2i Semiconductors. Cel: zasilanie centrów danych AI
Produkcja elektroniki
Rynek półprzewodników mocy dla EV osiągnie wartość 14,5 mld dolarów
Komponenty
Google rozszerza współpracę z Marvell przy układach AI. Umowa obejmuje opcję zakupu akcji za 12,2 mld dolarów
Projektowanie i badania
BGK i EIF przeznaczają 129 mln zł na polskie startupy deep tech. W grze AI, cybersecurity i defense tech
Zobacz więcej z tagiem: Artykuły
Magazyn
Sierpień 2026
Targi zagraniczne
Electronica 2026 - targi i konferencja producentów elektroniki
Targi zagraniczne
Elmässan Stockholm 2026

Kompatybilność elektromagnetyczna

Historia EMC (electromagnetic compatibility) zaczyna się od potrzeby opanowania problemu: co zrobić, gdy jedno urządzenie zaczyna zakłócać pracę drugiego. Miała swój początek wraz z pojawianiem się coraz większej liczby urządzeń elektrycznych wykonujących bardziej złożone zadania. Początkowo problem ten miał charakter niemal przypadkowy, a przybrał rolę istotnego wyzwania technicznego wymagającego systematycznego podejścia. Aktualnie jest to obowiązkowy punkt w produkcji urządzeń elektrycznych oraz elektronicznych.
Zapytania ofertowe
Unikalny branżowy system komunikacji B2B Znajdź produkty i usługi, których potrzebujesz Katalog ponad 7000 firm i 60 tys. produktów