Toshiba Corporation rozpoczęła budowę nowego zakładu produkcji półprzewodników - Fab 6 oraz nowego centrum badawczo-rozwojowego - Memory R&D Center w Yokkaichi w prefekturze Mie w Japonii, gdzie znajduje się główna baza produkcyjna pamięci firmy. Fab 6 będzie produkował układy BiCS Flash, czyli pamięci Flash 3D Toshiby. Podobnie jak w przypadku obiektu Fab 5 budowa będzie przebiegać w dwóch etapach. Zakończenie fazy 1 zaplanowano na lato 2018 roku.
Tempo inwestycji i ostateczne zdolności produkcyjne zakładu Fab 6 mają być zoptymalizowane w stosunku do tendencji rynkowych. By określić cele i harmonogramy produkcyjne powstającej fabryki Toshiba prowadzić będzie dokładne monitorowanie rynku.
W sąsiedztwie nowej fabryki powstanie także centrum badawczo-rozwojowe zajmujące się układami pamięci. Zakończenie jego budowy przewidziano na grudzień 2017.
źródło: Toshiba
Poszukuję produktu lub usługi
Chcę skontaktować się z firmą
Mam pytanie ogólne
