Według obecnych założeń inwestycyjnych w kompleksie Yokkaichi powstanie w pełni wyposażony, nowy zakład fabryczny, a inne działające tam fabryki otrzymają nowy sprzęt produkcyjny. Wydatki planowane przez firmę na okres najbliższych trzech lat mają być o 30% wyższe niż w analogicznych okresach wcześniejszych.
Rys. 1. Zdjęcie-schemat kompleksu technologiczno-produkcyjnego pamięci NAND flash w Yokkaichi, Japonia. Na niebiesko po prawej stronie zaznaczono miejsce, w którym postawiony ma być nowy zakład fabryczny. |
Yokkaichi, główne centrum technologiczne Toshiby, skupia szereg fabryk układów scalonych, m.in. Fab3, 4 i 5. W zakładach Fab 5 na wiosnę br. rozpoczęto produkcję masową układów pamięci flash 3D. Przejście na produkcję układów 3D wiąże się ze zwiększeniem wydajności produkcyjnej co najmniej ośmiokrotnie w porównaniu do planarnych układów pamięci flash. Najnowsze, trójwymiarowe pamięci oznaczają dalszą miniaturyzację podzespołów oraz niższy pobór prądu w smartfonach, urządzeniach magazynowania danych i innym sprzęcie elektronicznym.
Pamięć flash jest coraz powszechniej stosowana właściwie wszędzie, zastępując starsze typy pamięci. Serwis Nikkei przewiduje, że w 2020 r. sprzedaż układów flash będzie sześciokrotnie większa, niż w roku ubiegłym. Komercyjną sprzedaż układów pamięci flash 3D na świecie zainaugurował Samsung. Południowokoreańska firma w roku ubiegłym zainwestowała łącznie 12,8 mld dol. w rozwój technologii, w tym zarówno trójwymiarowych pamięci flash, jak i DRAM oraz układów SoC.
Toshiba już wcześniej wymiernie podwyższyła pulę środków przeznaczoną na inwestycje w rozwój technologii pamięci, w szczególności zaawansowanych układów flash 3D. Pierwotnie w marcu br. Japończycy zadeklarowali wydanie 3,2 mld dol. na nowy zakład produkcji flash 3D w okresie najbliższych 3 lat, tj. do marca 2019 r. Następnie już pod koniec marca Toshiba informowała o przyjęciu budżetu ponad 7,5 mld dol. na postawienie i uruchomienie nowej fabryki półprzewodników pamięci w Yokkaichi oraz inwestycje w narzędzia do produkcji 3D NAND w istniejących zakładach do roku 2016.
Przyspieszenie inwestycji
Rys. 2. Udział dostawców pamięci NAND flash w globalnym rynku w III kw. 2014 (kolor niebieski) i 2015 (kolor żółty) r., źródło: Market Realist
Toshiba i WD zamierzają ustalić szczegóły odnośnie inwestowanych 14,5 mld dol., w tym przyjąć harmonogram wydatków, na podstawie analiz warunków rynkowych. Sprzedaż pamięci flash, w tym 3D, jest obecnie oczkiem w głowie wielu potentatów branży.
Pamięci flash wytwarzają m.in. Micron, EMC Corp. przejęta w ostatnim kw. 2015 r. przez Della za rekordowe 76 mld dol., SK Hynix, WD - którego 10% udziałów zakupiła chińska Tsinghua, natomiast liderem rynku jest niezmiennie Samsung. Rywalizację z tym ostatnim Japończycy traktują szczególnie serio - prezes Toshiby Satoshi Tsunakawa stwierdził niedawno, że w produkcji pamięci flash jego firma chce utrzymać drugą pozycję na świecie.
Fabryki Samsunga, w których powstają pamięci 3D, znajdują się w Xi’an w Chinach i kilku innych lokalizacjach, natomiast Japończycy koncentrują większość prac projektowych i produkcyjnych właśnie w kompleksie technologicznym w Yokkaichi. Na razie Toshiba nie ujawnia jednak wielkości docelowej produkcji układów flash 3D w nowym zakładzie, wiemy natomiast, że wydajność Xi’an wynosi 100 tysięcy płytek krzemowych na miesiąc produkowanych w technologii 3D V-NAND.
Poza produkcją trójwymiarowych układów NAND Toshiba planuje rozwój układów pamięci typu ReRAM i MRAM, przeznaczonych do szybkich dysków SSD. Ponadto japońska firma zamierza otworzyć centrum projektowe dysków SSD w Ameryce Północnej oraz rozwijać ofertę dysków twardych Enterprise dla pamięci masowej typu nearline.
Marcin Tronowicz
