Toshiba wprowadza nowe rozwiązanie w zakresie pamięci masowych
| Gospodarka Mikrokontrolery i IoTSpółka Toshiba Memory wprowadza nowe rozwiązanie w zakresie pamięci trwałych, które zapewni niskie opóźnienia i wysoką wydajność. Technologia XL-FLASH została oparta o wielowarstwową architekturę BiCS FLASH 3D z możliwością zapisu 1 bitu na komórkę. Firma planuje rozpocząć próbne dostawy nowych układów we wrześniu, a w roku 2020 produkcję masową.
Producent pamięci wskazuje, że jego nowa technologia uzupełnia lukę w wydajności między pamięcią NAND a DRAM (Dynamic Random-Access Memory). Rozwiązania z pamięcią ulotną DRAM zapewniają szybki dostęp wymagany przez aplikacje, ale także wiążą się z wysokimi kosztami produkcji i ograniczeniami w skalowalności poziomów.
Początkowo firma wdroży układy w postaci dysków SSD (Solid State Drive), by następnie rozszerzyć zastosowanie o urządzenia podłączone do kanałów pamięci, które korzystają z magistrali DRAM, takie jak przyszłe hybrydowe moduły do przechowywania danych NVDIMM (Non-Volatile Dual In-Line Memory Module).
źródło: DigiTimes
