Producent pamięci wskazuje, że jego nowa technologia uzupełnia lukę w wydajności między pamięcią NAND a DRAM (Dynamic Random-Access Memory). Rozwiązania z pamięcią ulotną DRAM zapewniają szybki dostęp wymagany przez aplikacje, ale także wiążą się z wysokimi kosztami produkcji i ograniczeniami w skalowalności poziomów.
Początkowo firma wdroży układy w postaci dysków SSD (Solid State Drive), by następnie rozszerzyć zastosowanie o urządzenia podłączone do kanałów pamięci, które korzystają z magistrali DRAM, takie jak przyszłe hybrydowe moduły do przechowywania danych NVDIMM (Non-Volatile Dual In-Line Memory Module).
Źródło: DigiTimes
Chcesz częściej widzieć nasze artykuły w Google?
Dodaj ElektronikaB2B do ulubionych źródeł
