Dostawcy układów NAND flash wprowadzą ponad 200-warstwowe chipy

| Gospodarka Aktualności

Na przełomie 2022 i 2023 roku wszyscy dostawcy pamięci flash NAND mają być gotowi do wprowadzenia na rynek ponad 200-warstwowych chipów, co stanowić będzie kamień milowy w przechodzeniu na układy 3D o większej gęstości. Źródła podają, że wśród producentów to Samsung Electronics i Micron Technology mogą być pierwszymi, którzy rozpoczną ich masową produkcję.

Dostawcy układów NAND flash wprowadzą ponad 200-warstwowe chipy

Samsung rozpoczął produkcję w swojej nowej fabryce w Pyeongtaek w Korei Południowej, w drugiej połowie 2021 roku i w bieżącym roku zwiększy tam produkcję 176-warstwowych chipów 3D NAND. Oczekuje się, że przejście na wytwarzanie układów 176-warstwowych ma w 2022 r. zwiększyć całkowitą produkcję Samsunga w nowej fabryce do 50 tys. płytek miesięcznie.

Samsung zwiększa również w Chinach, w Xi'an, produkcję 128-warstwowych chipów 3D NAND. Producent realizuje drugą fazę budowy zakładu, którego miesięczna zdolność produkcyjna wyniesie 130-140 tys. płytek. W ramach pierwszej fazy działania Samsung jest w stanie w tej fabryce wytwarzać 120 tys. płytek miesięcznie.

Źródła uważają, że fabryka Samsunga w Xi'an będzie kluczem do określenia strategii cenowej, ponieważ wzrost produkcji pomoże obniżyć ogólne koszty dostawcy. Zdolność do podwojenia produkcji w fabryce pozytywnie przyczyni się również do umacniania pozycji lidera na rynku.

Japońska Kioxia (wcześniej Toshiba Memory) ponownie odłożyła planowaną IPO. Firma "dąży do debiutu giełdowego we właściwym czasie" - powiedział agencji Reuters rzecznik Kioxii. Firma może być jednym z beneficjentów planowanego przez rząd Japonii dofinansowania krajowych inwestycji w półprzewodniki, w wysokości 774 mld JPY (6,8 mld USD). Dotacje rządowe mogą pomóc w realizacji projektu rozbudowy ośrodka w Kitakami, w prefekturze Iwate, gdzie powstanie nowa fabryka K2. Kioxia ma w tym miejscu zakład K1 produkujący pamięci 3D NAND.

Kioxia nie ujawniła planów przejścia na proces ponad 200-warstwowy, ale ogłosiła wspólne z Western Digital opracowanie 162-warstwowej trójwymiarowej pamięci NAND. Obserwatorzy rynku oczekują, że dla Kioxii 162-warstwowy proces produkcji będzie stanowił główny nurt między 2022 a 2023 rokiem.

Według źródeł branżowych, SK Hynix położy większy nacisk na pamięci masowe dla przedsiębiorstw po zakończeniu przejęcia biznesu pamięci NAND Intela. Technologia Intela ma pozwolić na wytwarzanie w 2023 r. pamięci o 196 warstwach.

Na początku stycznia 2022 r. Micron ogłosił, że rozpoczął masowe dostawy - według firmy pierwszych w branży - 176-warstwowych dysków SSD QLC NAND.

Chińska firma Yangtze Memory Technologies (YMTC), pomimo późnego wejścia na rynek pamięci flash NAND, czyni postępy w zwiększaniu wydajności produkcji chipów 128-warstwowych. Według źródeł z Chin, YMTC zwiększył wydajność produkcji 64-warstwowej pamięci flash 3D NAND do poziomów masowych. YMTC jest na dobrej drodze do osiągnięcia celu, jakim jest zwiększenie miesięcznej produkcji do 100 tys. płytek w pierwszej połowie 2022 roku. Producent stara się wejść do łańcucha dostaw wiodących marek w Chinach i rozszerzyć swoje rynki docelowe na zastosowania w telefonach i komputerach PC.

Według ChinaFlashMarket, globalny rynek pamięci NAND flash w latach 2020-2025 będzie rósł o 30% (CAGR), a segment centrów danych - o 39%.

źródło: DigiTimes