Nowy proces technologiczny będzie oparty na tranzystorach Nanosheet. Jest to zupełnie inna architektura niż FinFET. Wspomnianą architekturę wykorzystuje się w układach scalonych wytwarzanych w procesie 5 nm. TSMC ma w tym roku uruchomić produkcję chipów w 3-nanometrowym procesie technologicznym. Układy te będą powstawały w zakładzie zlokalizowanym w tajwańskim mieście Tainan.
TSMC ogłosiło nowe plany w odpowiedzi na podobne przedsięwzięcia ze strony konkurencji. Samsung poinformował, że rozpocznie produkcję chipów 2 nm do 2025 roku. Dodatkowo koreański koncern zapowiedział w kwietniu, że do końca czerwca tego roku rozpocznie produkcję 3-nanometrowych chipów.
Intel zamierza uruchomić produkcję zaawansowanych układów do końca 2024 roku. Obserwatorzy wskazują, że Japonia będzie współpracować z USA nad produkcją w technologii 2 nm, która ma zostać wdrożona do 2025 roku.
Obecna sytuacja pokazuje, że Samsung i Intel rzucają wyzwanie tajwańskiemu gigantowi w dziedzinie technologii półprzewodnikowych.
Źródło: Nikkei Asia
