Produkcja elektronikiPCBKomponentyZasilanieElektromechanikaKomunikacja Mikrokontrolery i IoTOptoelektronikaPomiaryProjektowanie i badania
RynekFirmyProduktyGospodarkaRaportyWywiadyTechnikaOpiniePuls branżyKalendariumMagazyn
Produkty
Kategorie
Produkcja elektroniki
Usługi CEM/EMS Obwody drukowane Obudowy dla urządzeń Urządzenia i wyposażenie produkcji Materiały do produkcji Narzędzia ręczne Oprogramowanie projektowe Laboratoria pomiarowe i badawcze Biura inżynierskie Usługi
Automatyka przemysłowa
Automatyzacja procesów Komponenty automatyki
Aparatura pomiarowa
Aparatura elektroniczna Aparatura energetyczna Mierniki wielkości nieelektrycznych Systemy pomiarowe Sprzęt i usługi kalibracji
Podzespoły elektroniczne
Podzespoły półprzewodnikowe Podzespoły energoelektroniczne Podzespoły elektromechaniczne Elementy optoelektroniczne Podzespoły pasywne Moduły elektroniczne OEM Źródła zasilania Oświetlenie LED
Przeglądaj kategorie
Złóż zapytanie ofertowe
Zobacz katalog firm

Podzespoły półprzewodnikowe

Inteligentne moduły napędowe do 3-fazowych silników BLDC o mocy do 200 W STMicroelectronics SA oddział w Polsce Inteligentne moduły napędowe do 3-fazowych silników BLDC o mocy do 200 W
Tranzystory mocy GaN na pasmo 1805...3600 MHz do telekomunikacyjnych stacji bazowych NXP Tranzystory mocy GaN na pasmo 1805...3600 MHz do telekomunikacyjnych stacji bazowych
Półmostkowy moduł SiC dużej mocy 3. generacji o parametrach znamionowych 1200 V/180 A Rohm Półmostkowy moduł SiC dużej mocy 3. generacji o parametrach znamionowych 1200 V/180 A
Wzmacniacz 1400...2300 MHz do stacji bazowych z cyfrowym programowaniem wzmocnienia Wzmacniacz 1400...2300 MHz do stacji bazowych z cyfrowym programowaniem wzmocnienia
Pierwszy 14-bitowy przetwornik A/C o szybkości próbkowania 3 GSps Texas Instruments Pierwszy 14-bitowy przetwornik A/C o szybkości próbkowania 3 GSps
Sterownik diod LED o napięciu wejściowym 4...60 V z wewnętrznym kontrolerem DC-DC buck-boost Linear Technology Sterownik diod LED o napięciu wejściowym 4...60 V z wewnętrznym kontrolerem DC-DC buck-boost
Niskoszumowe regulatory LDO do zasilania układów radiowych Niskoszumowe regulatory LDO do zasilania układów radiowych
Tranzystory MOSFET 2-in-1 do przełączania obciążeń w urządzeniach mobilnych Tranzystory MOSFET 2-in-1 do przełączania obciążeń w urządzeniach mobilnych
Nowe małostratne tranzystory IGBT 1200 V bazujące na 3. generacji technologii Ultra Field Stop Nowe małostratne tranzystory IGBT 1200 V bazujące na 3. generacji technologii Ultra Field Stop
Konwerter DC-DC 150 mA o rekordowo małym prądzie spoczynkowym Texas Instruments Konwerter DC-DC 150 mA o rekordowo małym prądzie spoczynkowym
Precyzyjne 16-woltowe wzmacniacze operacyjne CMOS o wejściowym napięciu niezrównoważenia &lt;200 &micro;V STMicroelectronics SA oddział w Polsce Precyzyjne 16-woltowe wzmacniacze operacyjne CMOS o wejściowym napięciu niezrównoważenia <200 µV
Tranzystory CoolMOS C7 Gold 650 V w obudowach SMD z dodatkową linią źródła w układzie Kelvina Infineon Technologies AG Tranzystory CoolMOS C7 Gold 650 V w obudowach SMD z dodatkową linią źródła w układzie Kelvina
Impulsowe regulatory napięcia 15 i 20 A do zastosowań w serwerach Impulsowe regulatory napięcia 15 i 20 A do zastosowań w serwerach
Kontroler przetwornicy DC-DC buck-boost o szerokim zakresie napięć wejściowych i wyjściowych Linear Technology Kontroler przetwornicy DC-DC buck-boost o szerokim zakresie napięć wejściowych i wyjściowych
Sterownik diod LED o rekordowej sprawności i grubości 1 mm Sterownik diod LED o rekordowej sprawności i grubości 1 mm
Mikrokontroler do aparatury pomiarowej ze wzmacniaczem transimpedancyjnym i pamięcią FRAM Texas Instruments Mikrokontroler do aparatury pomiarowej ze wzmacniaczem transimpedancyjnym i pamięcią FRAM
20-amperowy konwerter DC-DC o wymiarach obudowy 7,5 x 6,25 x 2,2 mm Linear Technology 20-amperowy konwerter DC-DC o wymiarach obudowy 7,5 x 6,25 x 2,2 mm
Mikrokontrolery 32-bitowe do wektorowych układów sterowania silników AC z magnesem stałym Mikrokontrolery 32-bitowe do wektorowych układów sterowania silników AC z magnesem stałym
Programowalne tłumiki mikrofalowe o paśmie 40 GHz, zakresie 60 dB i rozdzielczości 0,03 dB Programowalne tłumiki mikrofalowe o paśmie 40 GHz, zakresie 60 dB i rozdzielczości 0,03 dB
Dwuwyjściowy regulator napięcia 2 x 4 A rodziny µModule o zakresie napięć wejściowych 2,375...20 V Linear Technology Dwuwyjściowy regulator napięcia 2 x 4 A rodziny µModule o zakresie napięć wejściowych 2,375...20 V
3-watowe konwertery DC-DC o małych wymiarach obudów i dużej gęstości mocy 3-watowe konwertery DC-DC o małych wymiarach obudów i dużej gęstości mocy
Seria MOSFETów 650 V z wewnętrzną szybką diodą zabezpieczającą Seria MOSFETów 650 V z wewnętrzną szybką diodą zabezpieczającą
Tani syntezer PLL 5,9 GHz z własnym źródłem referencyjnym ±2,5 ppm Tani syntezer PLL 5,9 GHz z własnym źródłem referencyjnym ±2,5 ppm
Diody Schottky\'ego SiC 650 i 1200 V o małym ładunku przełączania i odporności na duże impulsy prądowe Diody Schottky\'ego SiC 650 i 1200 V o małym ładunku przełączania i odporności na duże impulsy prądowe
Tranzystor GaN FET 600 V z wbudowanym stopniem sterującym Texas Instruments Tranzystor GaN FET 600 V z wbudowanym stopniem sterującym
Wielowyjściowy syntezer sygnałów zegarowych 2...2700 MHz o całkowitym błędzie jitteru 115 fs RMS Linear Technology Wielowyjściowy syntezer sygnałów zegarowych 2...2700 MHz o całkowitym błędzie jitteru 115 fs RMS
Szybkie sterowniki tranzystorów MOSFET i IGBT o napięciu offsetu do 600 V Diodes Incorporated Szybkie sterowniki tranzystorów MOSFET i IGBT o napięciu offsetu do 600 V
Układy FPGA z transceiverami dual-mode obsługującymi modulacje 56 Gbps PAM-4 i 30 Gbps NRZ Układy FPGA z transceiverami dual-mode obsługującymi modulacje 56 Gbps PAM-4 i 30 Gbps NRZ
Wzmacniacze operacyjne o napięciu zasilania 36 V do elektroniki samochodowej i przemysłowej STMicroelectronics SA oddział w Polsce Wzmacniacze operacyjne o napięciu zasilania 36 V do elektroniki samochodowej i przemysłowej
Podwójna dioda SiC o napięciu przebicia 1200 V Podwójna dioda SiC o napięciu przebicia 1200 V