Produkcja elektroniki
PCB
Komponenty
Zasilanie
Elektromechanika
Komunikacja
Mikrokontrolery i IoT
Optoelektronika
Pomiary
Projektowanie i badania
Rynek
Firmy
Produkty
Gospodarka
Raporty
Wywiady
Technika
Opinie
Puls branży
Kalendarium
Magazyn
Strona Główna
»
Produkty
»
Podzespoły elektroniczne
»
Podzespoły półprzewodnikowe
Produkty
Kategorie
Produkcja elektroniki
Usługi CEM/EMS
Obwody drukowane
Obudowy dla urządzeń
Urządzenia i wyposażenie produkcji
Materiały do produkcji
Narzędzia ręczne
Oprogramowanie projektowe
Laboratoria pomiarowe i badawcze
Biura inżynierskie
Usługi
Automatyka przemysłowa
Automatyzacja procesów
Komponenty automatyki
Aparatura pomiarowa
Aparatura elektroniczna
Aparatura energetyczna
Mierniki wielkości nieelektrycznych
Systemy pomiarowe
Sprzęt i usługi kalibracji
Podzespoły elektroniczne
Podzespoły półprzewodnikowe
Podzespoły energoelektroniczne
Podzespoły elektromechaniczne
Elementy optoelektroniczne
Podzespoły pasywne
Moduły elektroniczne OEM
Źródła zasilania
Oświetlenie LED
Przeglądaj kategorie
Złóż zapytanie ofertowe
Zobacz katalog firm
Podzespoły półprzewodnikowe
STMicroelectronics SA oddział w Polsce
Inteligentne moduły napędowe do 3-fazowych silników BLDC o mocy do 200 W
NXP
Tranzystory mocy GaN na pasmo 1805...3600 MHz do telekomunikacyjnych stacji bazowych
Rohm
Półmostkowy moduł SiC dużej mocy 3. generacji o parametrach znamionowych 1200 V/180 A
Wzmacniacz 1400...2300 MHz do stacji bazowych z cyfrowym programowaniem wzmocnienia
Texas Instruments
Pierwszy 14-bitowy przetwornik A/C o szybkości próbkowania 3 GSps
Linear Technology
Sterownik diod LED o napięciu wejściowym 4...60 V z wewnętrznym kontrolerem DC-DC buck-boost
Niskoszumowe regulatory LDO do zasilania układów radiowych
Tranzystory MOSFET 2-in-1 do przełączania obciążeń w urządzeniach mobilnych
Nowe małostratne tranzystory IGBT 1200 V bazujące na 3. generacji technologii Ultra Field Stop
Texas Instruments
Konwerter DC-DC 150 mA o rekordowo małym prądzie spoczynkowym
STMicroelectronics SA oddział w Polsce
Precyzyjne 16-woltowe wzmacniacze operacyjne CMOS o wejściowym napięciu niezrównoważenia <200 µV
Infineon Technologies AG
Tranzystory CoolMOS C7 Gold 650 V w obudowach SMD z dodatkową linią źródła w układzie Kelvina
Impulsowe regulatory napięcia 15 i 20 A do zastosowań w serwerach
Linear Technology
Kontroler przetwornicy DC-DC buck-boost o szerokim zakresie napięć wejściowych i wyjściowych
Sterownik diod LED o rekordowej sprawności i grubości 1 mm
Texas Instruments
Mikrokontroler do aparatury pomiarowej ze wzmacniaczem transimpedancyjnym i pamięcią FRAM
Linear Technology
20-amperowy konwerter DC-DC o wymiarach obudowy 7,5 x 6,25 x 2,2 mm
Mikrokontrolery 32-bitowe do wektorowych układów sterowania silników AC z magnesem stałym
Programowalne tłumiki mikrofalowe o paśmie 40 GHz, zakresie 60 dB i rozdzielczości 0,03 dB
Linear Technology
Dwuwyjściowy regulator napięcia 2 x 4 A rodziny µModule o zakresie napięć wejściowych 2,375...20 V
3-watowe konwertery DC-DC o małych wymiarach obudów i dużej gęstości mocy
Seria MOSFETów 650 V z wewnętrzną szybką diodą zabezpieczającą
Tani syntezer PLL 5,9 GHz z własnym źródłem referencyjnym ±2,5 ppm
Diody Schottky\'ego SiC 650 i 1200 V o małym ładunku przełączania i odporności na duże impulsy prądowe
Texas Instruments
Tranzystor GaN FET 600 V z wbudowanym stopniem sterującym
Linear Technology
Wielowyjściowy syntezer sygnałów zegarowych 2...2700 MHz o całkowitym błędzie jitteru 115 fs RMS
Diodes Incorporated
Szybkie sterowniki tranzystorów MOSFET i IGBT o napięciu offsetu do 600 V
Układy FPGA z transceiverami dual-mode obsługującymi modulacje 56 Gbps PAM-4 i 30 Gbps NRZ
STMicroelectronics SA oddział w Polsce
Wzmacniacze operacyjne o napięciu zasilania 36 V do elektroniki samochodowej i przemysłowej
Podwójna dioda SiC o napięciu przebicia 1200 V
1
...
78
79
80
81
82
83
84
...
139