Ok APA - Automatyka Podzespoły Aplikacje Zamów nowe wydanie
Katalog Firm Katalog Produktów
Zobacz wszystkie

Kategorie

Podzespoły półprzewodnikowe

Zapytania ofertowe
Złóż zapytanie ofertowe w tej kategorii
Zapytanie ofertowe
Mikrokontrolery Kinetis z wbudowanym transceiverem 2,4 GHz Bluetooth Smart/BLE i IEEE 802.15.4
Miniaturowy MOSFET 20 V/2,9 A w obudowie o powierzchni 0,8 x 0,8 mm
Resetowalny bezpiecznik elektroniczny 3,6 A z wbudowanymi zabezpieczeniami
STMicroelectronics SA oddział w Polsce Tranzystory IGBT m.cz. o niskim napięciu nasycenia
3,3-woltowe generatory zegarowe PCIe 9FGL06 i 9FGL08 o zawartości jitteru <3 ps rms
Mikroprocesory SHARC+ARM SoC do systemów audio i przemysłowych czasu rzeczywistego
Moduł pomiarów inercyjnych w obudowie o wymiarach 3,3 x 3,3 x 1,0 mm
Oscylatory 13,5...200 MHz z wyjściem różnicowym LVDS o zawartości jitteru od 200 fs
Oscylatory kwarcowe 32,768 kHz o stabilności od ±5 ppm do współpracy z zegarami RTC
3-woltowy liniowy czujnik Halla z wyjściem I²C
Microchip Kontrolery sygnałowe DSC zoptymalizowane do cyfrowych układów zasilania
Pamięć nieulotna SPI nvSRAM 66 MHz w wersji o pojemności 1 Mb
Najmniejszy na rynku 650-woltowy tranzystor GaN o prądzie ciągłym drenu do 15 A
Podwójny regulator LDO w obudowie o wymiarach 1,6 x 1,2 x 0,6 mm
Tłumiki programowalne w.cz. o bardzo dobrej liniowości i małych stratach wtrąconych
Oscylator TCXO 5...52 MHz o stabilności termicznej 0,5 ppm
Syntezer częstotliwości 34,375 MHz...4,4 GHz o bardzo małych szumach fazowych
n-kanałowe MOSFETy 30 i 60 V w obudowach z obustronnym chłodzeniem
5-woltowe mikrokontrolery Cortex-M0+ z kontrolerem ekranu dotykowego
Infineon Technologies AG Superzłączowe tranzystory MOSFET 600 V o małym współczynniku RDS(ON)A
Szybki izolator do sterowania tranzystorów IGBT w układach napędowych i zasilających
Absorpcyjny przełącznik SPDT 9 kHz...13 GHz o krótkim czasie stabilizacji sygnału
n-kanałowe MOSFETy 600 V o bardzo małym ładunku regeneracyjnym
Przedwzmacniacz do współpracy z sensorami z wyjściem prądowym
Miniaturowe oscylatory TCXO/VCTCXO w ceramicznych obudowach 2,5 x 2,0 x 0,8 mm
Tranzystor MOSFET 900 V/32 A zrealizowany w technologii SiC
Wysokoprądowy MOSFET 40 V/200 A do elektroniki samochodowej
GLYN Jones GmbH & Co KG oddział w Polsce Advanced Low Power SRAM od firmy Renesas
Seria oscylatorów OCXO 10...100 MHz kompatybilnych z wymogami Stratum 3E
Infineon Technologies AG Przełączniki półprzewodnikowe 10...800 mΩ/0,35...7,8 A z regulowanym współczynnikiem slew-rate
Zapytanie ofertowe
Dotyczy kategorii
Podzespoły półprzewodnikowe
Treść zapytania *
Imię i nazwisko *
Nazwa firmy
Adres firmy
Kod pocztowy
Miasto
E-mail *
Telefon
Usługa przesyłania zapytań ofertowych jest bezpłatna i nie rodzi żadnego zobowiązania po stronie zadającego pytanie. Administratorem danych osobowych jest AVT-Korporacja sp. z o.o. z siedzibą: ul. Leszczynowa 11, 03-197 Warszawa. Celem przetwarzania danych jest realizacja usługi i jest ograniczone czasowo do jej wykonania. Podstawa prawna: art. 5, 6, 12, 13 Ogólnego rozporządzenia o ochronie danych osobowych (RODO).