Produkcja elektronikiPCBKomponentyZasilanieElektromechanikaKomunikacja Mikrokontrolery i IoTOptoelektronikaPomiaryProjektowanie i badania
RynekFirmyProduktyGospodarkaRaportyWywiadyTechnikaOpiniePuls branżyKalendariumMagazyn
Produkty
Kategorie
Produkcja elektroniki
Usługi CEM/EMS Obwody drukowane Obudowy dla urządzeń Urządzenia i wyposażenie produkcji Materiały do produkcji Narzędzia ręczne Oprogramowanie projektowe Laboratoria pomiarowe i badawcze Biura inżynierskie Usługi
Automatyka przemysłowa
Automatyzacja procesów Komponenty automatyki
Aparatura pomiarowa
Aparatura elektroniczna Aparatura energetyczna Mierniki wielkości nieelektrycznych Systemy pomiarowe Sprzęt i usługi kalibracji
Podzespoły elektroniczne
Podzespoły półprzewodnikowe Podzespoły energoelektroniczne Podzespoły elektromechaniczne Elementy optoelektroniczne Podzespoły pasywne Moduły elektroniczne OEM Źródła zasilania Oświetlenie LED
Przeglądaj kategorie
Złóż zapytanie ofertowe
Zobacz katalog firm

Podzespoły półprzewodnikowe

800-woltowy tranzystor n-MOSFET w obudowie o wymiarach 7,0 x 6,5 x 1,8 mm 800-woltowy tranzystor n-MOSFET w obudowie o wymiarach 7,0 x 6,5 x 1,8 mm
Szybkie 16-bitowe mikrokontrolery Renesas rodziny RL78 do układów napędowych i systemów zasilania Szybkie 16-bitowe mikrokontrolery Renesas rodziny RL78 do układów napędowych i systemów zasilania
Podwójne tranzystory RET z wbudowanymi rezystorami w obudowach o wymiarach 2 x 2 x 0,65 mm Podwójne tranzystory RET z wbudowanymi rezystorami w obudowach o wymiarach 2 x 2 x 0,65 mm
Ultraniskoszumowy wzmacniacz InGaAs pHEMT 6 GHz do systemów komunikacyjnych i wojskowych Ultraniskoszumowy wzmacniacz InGaAs pHEMT 6 GHz do systemów komunikacyjnych i wojskowych
4-wyjściowy kontroler przetwornicy DC-DC boost do sterowania łańcuchów diod LED 4-wyjściowy kontroler przetwornicy DC-DC boost do sterowania łańcuchów diod LED
Kontrolery 10BASE-T1S MAC-PHY z interfejsem I²C do zastosowań w motoryzacji Kontrolery 10BASE-T1S MAC-PHY z interfejsem I²C do zastosowań w motoryzacji
Monolityczny wzmacniacz na pasmo Ku o rekordowej mocy wyjściowej 41 dBm Monolityczny wzmacniacz na pasmo Ku o rekordowej mocy wyjściowej 41 dBm
Wzmacniacze audio klasy D z układem sprzężenia zwrotnego IV i zabezpieczeniem podnapięciowym Wzmacniacze audio klasy D z układem sprzężenia zwrotnego IV i zabezpieczeniem podnapięciowym
Tranzystory IGBT o napięciu przebicia 1350 V i dopuszczalnej temperaturze pracy od -55 do +175°C Tranzystory IGBT o napięciu przebicia 1350 V i dopuszczalnej temperaturze pracy od -55 do +175°C
Precyzyjne źródło napięciowe 2,5 V o małym poborze prądu i dużej wydajności prądowej Precyzyjne źródło napięciowe 2,5 V o małym poborze prądu i dużej wydajności prądowej
Najmniejsze w branży regulatory napięcia POL o wydajności prądowej 6, 20 i 25 A Najmniejsze w branży regulatory napięcia POL o wydajności prądowej 6, 20 i 25 A
Logarytmiczny wzmacniacz transimpedancyjny o zakresie dynamicznym 188 dB Logarytmiczny wzmacniacz transimpedancyjny o zakresie dynamicznym 188 dB
Zestaw ewaluacyjny 65-watowej ładowarki wieloportowej do aplikacji USB-PD i QC Zestaw ewaluacyjny 65-watowej ładowarki wieloportowej do aplikacji USB-PD i QC
Precyzyjne wzmacniacze operacyjne o dopuszczalnej temperaturze pracy +175°C Precyzyjne wzmacniacze operacyjne o dopuszczalnej temperaturze pracy +175°C
Proste w implementacji kontrolery do nieizolowanych zasilaczy impulsowych off-line o mocy do 15 W Proste w implementacji kontrolery do nieizolowanych zasilaczy impulsowych off-line o mocy do 15 W
Detektor napięcia zasilającego z wejściem odpornym na przepięcia do 76 V Detektor napięcia zasilającego z wejściem odpornym na przepięcia do 76 V
Wysokowydajny mikroprocesor Microchip SAM9X60 Wysokowydajny mikroprocesor Microchip SAM9X60
600-woltowe moduły IPD do układów sterowania silnikami BLDC 600-woltowe moduły IPD do układów sterowania silnikami BLDC
Wodoszczelny mikrofon MEMS do pracy w ciężkich warunkach środowiskowych Wodoszczelny mikrofon MEMS do pracy w ciężkich warunkach środowiskowych
Precyzyjny wzmacniacz "samochodowy" ze wzmocnioną izolacją o zakresie wejściowym ±250 mV Precyzyjny wzmacniacz "samochodowy" ze wzmocnioną izolacją o zakresie wejściowym ±250 mV
Tanie mikrokontrolery z rdzeniem ARM Cortex-M0+ do pracy w temperaturze otoczenia do +125°C Tanie mikrokontrolery z rdzeniem ARM Cortex-M0+ do pracy w temperaturze otoczenia do +125°C
650-woltowe stopnie mocy EcoGaN z wewnętrznym tranzystorem HEMT GaN i sterownikiem bramek 650-woltowe stopnie mocy EcoGaN z wewnętrznym tranzystorem HEMT GaN i sterownikiem bramek
Kontroler PSR do zasilaczy impulsowych offline o mocy do 45 W Kontroler PSR do zasilaczy impulsowych offline o mocy do 45 W
Transceivery szeregowe upraszczające okablowanie systemów kontrolno-pomiarowych Transceivery szeregowe upraszczające okablowanie systemów kontrolno-pomiarowych
Szerokopasmowy wzmacniacz GaAs pHEMT do komunikacji satelitarnej, radarów i zastosowań militarnych Szerokopasmowy wzmacniacz GaAs pHEMT do komunikacji satelitarnej, radarów i zastosowań militarnych
Pierwszy na rynku 2-wejściowy układ energy harvesting Pierwszy na rynku 2-wejściowy układ energy harvesting
Seria 650- i 1200-woltowych tranzystorów SiC MOSFET o zredukowanych stratach na przełączanie Seria 650- i 1200-woltowych tranzystorów SiC MOSFET o zredukowanych stratach na przełączanie
Podwójny tranzystor SiC MOSFET o napięciu znamionowym 2200 V do instalacji fotowoltaicznych Podwójny tranzystor SiC MOSFET o napięciu znamionowym 2200 V do instalacji fotowoltaicznych
Wysokonapięciowy wzmacniacz operacyjny o napięciu zasilania do 440 V Wysokonapięciowy wzmacniacz operacyjny o napięciu zasilania do 440 V
Energooszczędne mikrokontrolery 8-bitowe do urządzeń bezbateryjnych Energooszczędne mikrokontrolery 8-bitowe do urządzeń bezbateryjnych