Produkcja elektronikiPCBKomponentyZasilanieElektromechanikaKomunikacja Mikrokontrolery i IoTOptoelektronikaPomiaryProjektowanie i badania
RynekFirmyProduktyGospodarkaRaportyWywiadyTechnikaOpiniePuls branżyKalendariumMagazynDla firm
Produkty
Kategorie
Produkcja elektroniki
Usługi CEM/EMS Obwody drukowane Obudowy dla urządzeń Urządzenia i wyposażenie produkcji Materiały do produkcji Narzędzia ręczne Oprogramowanie projektowe Laboratoria pomiarowe i badawcze Biura inżynierskie Usługi
Automatyka przemysłowa
Automatyzacja procesów Komponenty automatyki
Aparatura pomiarowa
Aparatura elektroniczna Aparatura energetyczna Mierniki wielkości nieelektrycznych Systemy pomiarowe Sprzęt i usługi kalibracji
Podzespoły elektroniczne
Podzespoły półprzewodnikowe Podzespoły energoelektroniczne Podzespoły elektromechaniczne Elementy optoelektroniczne Podzespoły pasywne Moduły elektroniczne OEM Źródła zasilania Oświetlenie LED
Przeglądaj kategorie
Złóż zapytanie ofertowe
Zobacz katalog firm

Podzespoły półprzewodnikowe

Szybkie diody prostownicze do współpracy z superzłączowymi tranzystorami MOSFET Szybkie diody prostownicze do współpracy z superzłączowymi tranzystorami MOSFET
Niskoszumowy regulator LDO o wydajności prądowej 3 A Niskoszumowy regulator LDO o wydajności prądowej 3 A
Moduły wysokoprądowe SiC do samochodowych systemów ładowania o mocy do 22 kW Moduły wysokoprądowe SiC do samochodowych systemów ładowania o mocy do 22 kW
6-osiowy moduł inercyjny do systemów tłumienia wibracji anten i kamer 6-osiowy moduł inercyjny do systemów tłumienia wibracji anten i kamer
Dwukanałowy redriver 10 Gbps kompatybilny ze standardem USB 3.2 Gen 2x1 Dwukanałowy redriver 10 Gbps kompatybilny ze standardem USB 3.2 Gen 2x1
32-bitowy mikrokontroler z interfejsem CAN i sprzętowym modułem bezpieczeństwa 32-bitowy mikrokontroler z interfejsem CAN i sprzętowym modułem bezpieczeństwa
Tranzystory MOSFET w innowacyjnych obudowach o małej powierzchni i małej rezystancji RDS(ON) Tranzystory MOSFET w innowacyjnych obudowach o małej powierzchni i małej rezystancji RDS(ON)
4-kanałowy sterownik obciążeń indukcyjnych z zaawansowanymi obwodami diagnostycznymi 4-kanałowy sterownik obciążeń indukcyjnych z zaawansowanymi obwodami diagnostycznymi
Transil o małym napięciu VRWM do ochrony ESD interfejsów USB4 i Thunderbolt 4 Transil o małym napięciu VRWM do ochrony ESD interfejsów USB4 i Thunderbolt 4
Precyzyjny wzmacniacz operacyjny CMOS o napięciu offsetu 50 µV i paśmie 40 MHz Precyzyjny wzmacniacz operacyjny CMOS o napięciu offsetu 50 µV i paśmie 40 MHz
Układ zabezpieczania superkondensatorów do systemów zasilania rezerwowego Układ zabezpieczania superkondensatorów do systemów zasilania rezerwowego
100-woltowe podwójne tranzystory MOSFET o małej rezystancji RDS(on) 100-woltowe podwójne tranzystory MOSFET o małej rezystancji RDS(on)
Precyzyjny, cyfrowy czujnik prądu o 20-bitowej rozdzielczości i napięciu sumacyjnym do 85 V Precyzyjny, cyfrowy czujnik prądu o 20-bitowej rozdzielczości i napięciu sumacyjnym do 85 V
Wielokanałowy niskoszumowy front-end analogowy do precyzyjnych urządzeń pomiarowych Wielokanałowy niskoszumowy front-end analogowy do precyzyjnych urządzeń pomiarowych
p-kanałowy tranzystor MOSFET z kwalifikacją AEC-Q101 p-kanałowy tranzystor MOSFET z kwalifikacją AEC-Q101
Diody zabezpieczające przed wyładowaniami ESD o pojemności wewnętrznej 0,28 pF Diody zabezpieczające przed wyładowaniami ESD o pojemności wewnętrznej 0,28 pF
Aluminiowe kondensatory elektrolityczne o gwarantowanej żywotności 8000 godzin Aluminiowe kondensatory elektrolityczne o gwarantowanej żywotności 8000 godzin
"Samochodowy" układ zarządzania zasilaniem z interfejsami CAN FD i LIN "Samochodowy" układ zarządzania zasilaniem z interfejsami CAN FD i LIN
800-woltowy tranzystor n-MOSFET w obudowie o wymiarach 7,0 x 6,5 x 1,8 mm 800-woltowy tranzystor n-MOSFET w obudowie o wymiarach 7,0 x 6,5 x 1,8 mm
Szybkie 16-bitowe mikrokontrolery Renesas rodziny RL78 do układów napędowych i systemów zasilania Szybkie 16-bitowe mikrokontrolery Renesas rodziny RL78 do układów napędowych i systemów zasilania
Podwójne tranzystory RET z wbudowanymi rezystorami w obudowach o wymiarach 2 x 2 x 0,65 mm Podwójne tranzystory RET z wbudowanymi rezystorami w obudowach o wymiarach 2 x 2 x 0,65 mm
Ultraniskoszumowy wzmacniacz InGaAs pHEMT 6 GHz do systemów komunikacyjnych i wojskowych Ultraniskoszumowy wzmacniacz InGaAs pHEMT 6 GHz do systemów komunikacyjnych i wojskowych
4-wyjściowy kontroler przetwornicy DC-DC boost do sterowania łańcuchów diod LED 4-wyjściowy kontroler przetwornicy DC-DC boost do sterowania łańcuchów diod LED
Kontrolery 10BASE-T1S MAC-PHY z interfejsem I²C do zastosowań w motoryzacji Kontrolery 10BASE-T1S MAC-PHY z interfejsem I²C do zastosowań w motoryzacji
Monolityczny wzmacniacz na pasmo Ku o rekordowej mocy wyjściowej 41 dBm Monolityczny wzmacniacz na pasmo Ku o rekordowej mocy wyjściowej 41 dBm
Wzmacniacze audio klasy D z układem sprzężenia zwrotnego IV i zabezpieczeniem podnapięciowym Wzmacniacze audio klasy D z układem sprzężenia zwrotnego IV i zabezpieczeniem podnapięciowym
Tranzystory IGBT o napięciu przebicia 1350 V i dopuszczalnej temperaturze pracy od -55 do +175°C Tranzystory IGBT o napięciu przebicia 1350 V i dopuszczalnej temperaturze pracy od -55 do +175°C
Precyzyjne źródło napięciowe 2,5 V o małym poborze prądu i dużej wydajności prądowej Precyzyjne źródło napięciowe 2,5 V o małym poborze prądu i dużej wydajności prądowej
Najmniejsze w branży regulatory napięcia POL o wydajności prądowej 6, 20 i 25 A Najmniejsze w branży regulatory napięcia POL o wydajności prądowej 6, 20 i 25 A
Logarytmiczny wzmacniacz transimpedancyjny o zakresie dynamicznym 188 dB Logarytmiczny wzmacniacz transimpedancyjny o zakresie dynamicznym 188 dB