Produkcja elektronikiPCBKomponentyZasilanieElektromechanikaKomunikacja Mikrokontrolery i IoTOptoelektronikaPomiaryProjektowanie i badania
RynekFirmyProduktyGospodarkaRaportyWywiadyTechnikaOpiniePuls branżyKalendariumMagazynDla firm
Produkty
Kategorie
Produkcja elektroniki
Usługi CEM/EMS Obwody drukowane Obudowy dla urządzeń Urządzenia i wyposażenie produkcji Materiały do produkcji Narzędzia ręczne Oprogramowanie projektowe Laboratoria pomiarowe i badawcze Biura inżynierskie Usługi
Automatyka przemysłowa
Automatyzacja procesów Komponenty automatyki
Aparatura pomiarowa
Aparatura elektroniczna Aparatura energetyczna Mierniki wielkości nieelektrycznych Systemy pomiarowe Sprzęt i usługi kalibracji
Podzespoły elektroniczne
Podzespoły półprzewodnikowe Podzespoły energoelektroniczne Podzespoły elektromechaniczne Elementy optoelektroniczne Podzespoły pasywne Moduły elektroniczne OEM Źródła zasilania Oświetlenie LED
Przeglądaj kategorie
Złóż zapytanie ofertowe
Zobacz katalog firm

Podzespoły półprzewodnikowe

Dwukierunkowy wzmacniacz current-sense o zakresie wejściowego napięcia sumacyjnego -40...+76 V Dwukierunkowy wzmacniacz current-sense o zakresie wejściowego napięcia sumacyjnego -40...+76 V
Małostratne tranzystory n-MOSFET do zastosowań w układach zasilania i napędowych Małostratne tranzystory n-MOSFET do zastosowań w układach zasilania i napędowych
1200-woltowy tranzystor CoolSiC MOSFET nowej generacji w obudowie TO263-7 1200-woltowy tranzystor CoolSiC MOSFET nowej generacji w obudowie TO263-7
Mikrofony MEMS o zakresie częstotliwości pracy od 20 Hz do 20 kHz Mikrofony MEMS o zakresie częstotliwości pracy od 20 Hz do 20 kHz
16-kanałowy sterownik diod LED/OLED o napięciu wejściowym do 40 V 16-kanałowy sterownik diod LED/OLED o napięciu wejściowym do 40 V
Transceiver Gigabit Ethernet PHY o zwiększonej odporności na promieniowanie jonizujące Transceiver Gigabit Ethernet PHY o zwiększonej odporności na promieniowanie jonizujące
Nowa oferta mikrokontrolerów Renesas do układów napędowych Nowa oferta mikrokontrolerów Renesas do układów napędowych
600-woltowy tranzystor superzłączowy do wysokonapięciowych systemów zasilania 600-woltowy tranzystor superzłączowy do wysokonapięciowych systemów zasilania
Samochodowy moduł inercyjny MEMS z certyfikowaną biblioteką oprogramowania ASIL B Samochodowy moduł inercyjny MEMS z certyfikowaną biblioteką oprogramowania ASIL B
Układ zabezpieczający do ogniwa litowo-jonowego z precyzyjnym detektorem nadprądowym Układ zabezpieczający do ogniwa litowo-jonowego z precyzyjnym detektorem nadprądowym
40-woltowe tranzystory MOSFET OptiMOS 7 do instalacji samochodowych 40-woltowe tranzystory MOSFET OptiMOS 7 do instalacji samochodowych
Sterowniki linii USB 3.2 do transmisji sygnałów na odległość do 15 m Sterowniki linii USB 3.2 do transmisji sygnałów na odległość do 15 m
Przełączniki zasilania z ograniczeniem prądowym 3,5 A do portów USB 3.2/USB-C Przełączniki zasilania z ograniczeniem prądowym 3,5 A do portów USB 3.2/USB-C
3-amperowy konwerter DC-DC step-down o dopuszczalnej temperaturze złącza +165°C 3-amperowy konwerter DC-DC step-down o dopuszczalnej temperaturze złącza +165°C
Najmniejsza na rynku pamięć Flash SPI NOR 128Mb w obudowie o wymiarach 3 x 3 x 0,4 mm Najmniejsza na rynku pamięć Flash SPI NOR 128Mb w obudowie o wymiarach 3 x 3 x 0,4 mm
Wzmacniacz izolacyjny z wyjściem asymetrycznym i stałym wzmocnieniem G=1 Wzmacniacz izolacyjny z wyjściem asymetrycznym i stałym wzmocnieniem G=1
Tranzystory GaN FET e-mode w obudowach DFN do aplikacji o napięciu roboczym do 650 V Tranzystory GaN FET e-mode w obudowach DFN do aplikacji o napięciu roboczym do 650 V
Sterowniki bramek do modułów IGBT/SiC z funkcją odczytu temperatury z czujnika NTC Sterowniki bramek do modułów IGBT/SiC z funkcją odczytu temperatury z czujnika NTC
Tłumiki programowalne na pasmo 1 MHz...43,5 GHz ze sterowaniem sygnałem TTL Tłumiki programowalne na pasmo 1 MHz...43,5 GHz ze sterowaniem sygnałem TTL
650-woltowe diody Schottky'ego SiC do zasilaczy impulsowych 650-woltowe diody Schottky'ego SiC do zasilaczy impulsowych
4-kanałowe izolatory cyfrowe do transmisji danych z szybkością do 150 Mbps 4-kanałowe izolatory cyfrowe do transmisji danych z szybkością do 150 Mbps
Przełącznik SP4T MM5140 w wersji o paśmie rozszerzonym do 8 GHz Przełącznik SP4T MM5140 w wersji o paśmie rozszerzonym do 8 GHz
16-bitowe ekspandery GPIO z interfejsem I²C i konfigurowalnym rezystorem pull-up 16-bitowe ekspandery GPIO z interfejsem I²C i konfigurowalnym rezystorem pull-up
Kontroler 50-watowego nadajnika ładowania bezprzewodowego zgodny z Qi v1.3.x EPP i BPP Kontroler 50-watowego nadajnika ładowania bezprzewodowego zgodny z Qi v1.3.x EPP i BPP
650-woltowe tranzystory GaN HEMT do zastosowań w systemach zasilania 650-woltowe tranzystory GaN HEMT do zastosowań w systemach zasilania
1200-woltowe sterowniki bramek tranzystorów SiC MOSFET i IGBT 1200-woltowe sterowniki bramek tranzystorów SiC MOSFET i IGBT
Tranzystor SiC MOSFET 1200 V w obudowie TO247-4 do aplikacji o dużej gęstości mocy Tranzystor SiC MOSFET 1200 V w obudowie TO247-4 do aplikacji o dużej gęstości mocy
Energooszczędne akcelerometry MEMS z zaawansowanymi funkcjami przetwarzania danych Energooszczędne akcelerometry MEMS z zaawansowanymi funkcjami przetwarzania danych
Przełącznik 2 x DP3T do testerów półprzewodnikowych o paśmie 20 GHz i przepustowości 64 Gbps Przełącznik 2 x DP3T do testerów półprzewodnikowych o paśmie 20 GHz i przepustowości 64 Gbps
Miniaturowy, dwukierunkowy transil do ochrony szybkich linii różnicowych Miniaturowy, dwukierunkowy transil do ochrony szybkich linii różnicowych