Produkcja elektronikiPCBKomponentyZasilanieElektromechanikaKomunikacja Mikrokontrolery i IoTOptoelektronikaPomiaryProjektowanie i badania
RynekFirmyProduktyGospodarkaRaportyWywiadyTechnikaOpiniePuls branżyKalendariumMagazynDla firm
Produkty
Kategorie
Produkcja elektroniki
Usługi CEM/EMS Obwody drukowane Obudowy dla urządzeń Urządzenia i wyposażenie produkcji Materiały do produkcji Narzędzia ręczne Oprogramowanie projektowe Laboratoria pomiarowe i badawcze Biura inżynierskie Usługi
Automatyka przemysłowa
Automatyzacja procesów Komponenty automatyki
Aparatura pomiarowa
Aparatura elektroniczna Aparatura energetyczna Mierniki wielkości nieelektrycznych Systemy pomiarowe Sprzęt i usługi kalibracji
Podzespoły elektroniczne
Podzespoły półprzewodnikowe Podzespoły energoelektroniczne Podzespoły elektromechaniczne Elementy optoelektroniczne Podzespoły pasywne Moduły elektroniczne OEM Źródła zasilania Oświetlenie LED
Przeglądaj kategorie
Złóż zapytanie ofertowe
Zobacz katalog firm

Podzespoły półprzewodnikowe

Niskoszumowy wzmacniacz GaAs pHEMT na pasmo 18...54 GHz Niskoszumowy wzmacniacz GaAs pHEMT na pasmo 18...54 GHz
Miniaturowe przekaźniki MOSFET o dużej wytrzymałości dielektrycznej Miniaturowe przekaźniki MOSFET o dużej wytrzymałości dielektrycznej
Podwójne n-kanałowe tranzystory MOSFET 30 V o powierzchni montażowej 3,3 x 3,3 mm Podwójne n-kanałowe tranzystory MOSFET 30 V o powierzchni montażowej 3,3 x 3,3 mm
Pamięci LPSRAM o pojemności 1 Mb i 4 Mb z korekcją ECC Pamięci LPSRAM o pojemności 1 Mb i 4 Mb z korekcją ECC
3-fazowy 160-woltowy sterownik bramek tranzystorów MOSFET do układów napędowych 3-fazowy 160-woltowy sterownik bramek tranzystorów MOSFET do układów napędowych
Wysokonapięciowy 8-kanałowy sterownik przełączników MEMS do aplikacji testowych Wysokonapięciowy 8-kanałowy sterownik przełączników MEMS do aplikacji testowych
Tanie 32-bitowe mikrokontrolery STM32 z gwarancją 10-letniej dostępności Tanie 32-bitowe mikrokontrolery STM32 z gwarancją 10-letniej dostępności
3-amperowy regulator LDO o zwiększonej odporności na promieniowanie jonizujące 3-amperowy regulator LDO o zwiększonej odporności na promieniowanie jonizujące
Szybkie diody prostownicze 1200 V rodziny FRED Pt w obudowach SMA Szybkie diody prostownicze 1200 V rodziny FRED Pt w obudowach SMA
Tani wzmacniacz audio klasy D o mocy wyjściowej 13,8 W i powierzchni obudowy 1,78 x 1,21 mm Tani wzmacniacz audio klasy D o mocy wyjściowej 13,8 W i powierzchni obudowy 1,78 x 1,21 mm
Samochodowe podzespoły mocy w nowych obudowach ACEPACK SMIT z lepszym chłodzeniem Samochodowe podzespoły mocy w nowych obudowach ACEPACK SMIT z lepszym chłodzeniem
Najmniejszy energooszczędny mikrokontroler rodziny RL78 w 8-pinowej obudowie WDFN Najmniejszy energooszczędny mikrokontroler rodziny RL78 w 8-pinowej obudowie WDFN
Układy zabezpieczające eFuse o szerokim zakresie napięcia wejściowego od 2,8 do 23 V Układy zabezpieczające eFuse o szerokim zakresie napięcia wejściowego od 2,8 do 23 V
1700-woltowe półprzewodniki rodziny EliteSiC do infrastruktury energetycznej i napędów przemysłowych 1700-woltowe półprzewodniki rodziny EliteSiC do infrastruktury energetycznej i napędów przemysłowych
Układ zarządzania zasilaniem do aplikacji z łącznością Bluetooth LE Układ zarządzania zasilaniem do aplikacji z łącznością Bluetooth LE
Wzmacniacze mocy w.cz. na pasmo 0,5...18 GHz Wzmacniacze mocy w.cz. na pasmo 0,5...18 GHz
Magnetyczny zatrzask/przełącznik 3-osiowy do wykrywania położenia liniowego i kątowego Magnetyczny zatrzask/przełącznik 3-osiowy do wykrywania położenia liniowego i kątowego
70-watowe tranzystory GaN-HEMT do systemów komunikacji satelitarnej na pasmo Ku 70-watowe tranzystory GaN-HEMT do systemów komunikacji satelitarnej na pasmo Ku
Przemysłowy czujnik kąta o dużych możliwościach konfiguracji Przemysłowy czujnik kąta o dużych możliwościach konfiguracji
Mikrokontroler "bezprzewodowy" tri-radio z obsługą protokołów Wi-Fi 6, Bluetooth LE 5.3 i 802.15.4 Mikrokontroler "bezprzewodowy" tri-radio z obsługą protokołów Wi-Fi 6, Bluetooth LE 5.3 i 802.15.4
Ultraniskoszumowe wzmacniacze operacyjne do zastosowań w systemach audio Ultraniskoszumowe wzmacniacze operacyjne do zastosowań w systemach audio
Liniowy regulator napięcia o wydajności prądowej 600 mA i napięciu dropout 290 mV Liniowy regulator napięcia o wydajności prądowej 600 mA i napięciu dropout 290 mV
Dwukierunkowy transil o prądzie udarowym 20 kA w obudowie DFN Dwukierunkowy transil o prądzie udarowym 20 kA w obudowie DFN
Wzmacniacz na pasmo 10 MHz...11 GHz do sterowania wejść przetworników A/C Wzmacniacz na pasmo 10 MHz...11 GHz do sterowania wejść przetworników A/C
80-woltowy tranzystor GaN FET o rezystancji RDS(on) 4 mΩ i powierzchni 2,5 x 1,5 mm 80-woltowy tranzystor GaN FET o rezystancji RDS(on) 4 mΩ i powierzchni 2,5 x 1,5 mm
n-kanałowy MOSFET o ciągłym prądzie drenu ±3 A w obudowie o wymiarach 1,0 x 0,6 x 0,25 mm n-kanałowy MOSFET o ciągłym prądzie drenu ±3 A w obudowie o wymiarach 1,0 x 0,6 x 0,25 mm
Układy zabezpieczania ogniw litowo-jonowych z wbudowanymi funkcjami watchdog i forced reset Układy zabezpieczania ogniw litowo-jonowych z wbudowanymi funkcjami watchdog i forced reset
Monolityczny 3-osiowy żyroskop MEMS o zakresie temperatury pracy od -40 do +105°C Monolityczny 3-osiowy żyroskop MEMS o zakresie temperatury pracy od -40 do +105°C
Tranzystory mocy MOSFET OptiMOS o w obudowach 3,3 x 3,3 mm o konfiguracji Source-Down Tranzystory mocy MOSFET OptiMOS o w obudowach 3,3 x 3,3 mm o konfiguracji Source-Down
Przełącznik SPDT TX/RX na pasmo 6...12 GHz do radarów i komunikacji satelitarnej Przełącznik SPDT TX/RX na pasmo 6...12 GHz do radarów i komunikacji satelitarnej