Produkcja elektronikiPCBKomponentyZasilanieElektromechanikaKomunikacja Mikrokontrolery i IoTOptoelektronikaPomiaryProjektowanie i badania
RynekFirmyProduktyGospodarkaRaportyWywiadyTechnikaOpiniePuls branżyKalendariumMagazyn
Produkty
Kategorie
Produkcja elektroniki
Usługi CEM/EMS Obwody drukowane Obudowy dla urządzeń Urządzenia i wyposażenie produkcji Materiały do produkcji Narzędzia ręczne Oprogramowanie projektowe Laboratoria pomiarowe i badawcze Biura inżynierskie Usługi
Automatyka przemysłowa
Automatyzacja procesów Komponenty automatyki
Aparatura pomiarowa
Aparatura elektroniczna Aparatura energetyczna Mierniki wielkości nieelektrycznych Systemy pomiarowe Sprzęt i usługi kalibracji
Podzespoły elektroniczne
Podzespoły półprzewodnikowe Podzespoły energoelektroniczne Podzespoły elektromechaniczne Elementy optoelektroniczne Podzespoły pasywne Moduły elektroniczne OEM Źródła zasilania Oświetlenie LED
Przeglądaj kategorie
Złóż zapytanie ofertowe
Zobacz katalog firm

Podzespoły półprzewodnikowe

Najmniejszy energooszczędny mikrokontroler rodziny RL78 w 8-pinowej obudowie WDFN Najmniejszy energooszczędny mikrokontroler rodziny RL78 w 8-pinowej obudowie WDFN
Układy zabezpieczające eFuse o szerokim zakresie napięcia wejściowego od 2,8 do 23 V Układy zabezpieczające eFuse o szerokim zakresie napięcia wejściowego od 2,8 do 23 V
1700-woltowe półprzewodniki rodziny EliteSiC do infrastruktury energetycznej i napędów przemysłowych 1700-woltowe półprzewodniki rodziny EliteSiC do infrastruktury energetycznej i napędów przemysłowych
Układ zarządzania zasilaniem do aplikacji z łącznością Bluetooth LE Układ zarządzania zasilaniem do aplikacji z łącznością Bluetooth LE
Wzmacniacze mocy w.cz. na pasmo 0,5...18 GHz Wzmacniacze mocy w.cz. na pasmo 0,5...18 GHz
Magnetyczny zatrzask/przełącznik 3-osiowy do wykrywania położenia liniowego i kątowego Magnetyczny zatrzask/przełącznik 3-osiowy do wykrywania położenia liniowego i kątowego
70-watowe tranzystory GaN-HEMT do systemów komunikacji satelitarnej na pasmo Ku 70-watowe tranzystory GaN-HEMT do systemów komunikacji satelitarnej na pasmo Ku
Przemysłowy czujnik kąta o dużych możliwościach konfiguracji Przemysłowy czujnik kąta o dużych możliwościach konfiguracji
Mikrokontroler "bezprzewodowy" tri-radio z obsługą protokołów Wi-Fi 6, Bluetooth LE 5.3 i 802.15.4 Mikrokontroler "bezprzewodowy" tri-radio z obsługą protokołów Wi-Fi 6, Bluetooth LE 5.3 i 802.15.4
Ultraniskoszumowe wzmacniacze operacyjne do zastosowań w systemach audio Ultraniskoszumowe wzmacniacze operacyjne do zastosowań w systemach audio
Liniowy regulator napięcia o wydajności prądowej 600 mA i napięciu dropout 290 mV Liniowy regulator napięcia o wydajności prądowej 600 mA i napięciu dropout 290 mV
Dwukierunkowy transil o prądzie udarowym 20 kA w obudowie DFN Dwukierunkowy transil o prądzie udarowym 20 kA w obudowie DFN
Wzmacniacz na pasmo 10 MHz...11 GHz do sterowania wejść przetworników A/C Wzmacniacz na pasmo 10 MHz...11 GHz do sterowania wejść przetworników A/C
80-woltowy tranzystor GaN FET o rezystancji RDS(on) 4 mΩ i powierzchni 2,5 x 1,5 mm 80-woltowy tranzystor GaN FET o rezystancji RDS(on) 4 mΩ i powierzchni 2,5 x 1,5 mm
n-kanałowy MOSFET o ciągłym prądzie drenu ±3 A w obudowie o wymiarach 1,0 x 0,6 x 0,25 mm n-kanałowy MOSFET o ciągłym prądzie drenu ±3 A w obudowie o wymiarach 1,0 x 0,6 x 0,25 mm
Układy zabezpieczania ogniw litowo-jonowych z wbudowanymi funkcjami watchdog i forced reset Układy zabezpieczania ogniw litowo-jonowych z wbudowanymi funkcjami watchdog i forced reset
Monolityczny 3-osiowy żyroskop MEMS o zakresie temperatury pracy od -40 do +105°C Monolityczny 3-osiowy żyroskop MEMS o zakresie temperatury pracy od -40 do +105°C
Tranzystory mocy MOSFET OptiMOS o w obudowach 3,3 x 3,3 mm o konfiguracji Source-Down Tranzystory mocy MOSFET OptiMOS o w obudowach 3,3 x 3,3 mm o konfiguracji Source-Down
Przełącznik SPDT TX/RX na pasmo 6...12 GHz do radarów i komunikacji satelitarnej Przełącznik SPDT TX/RX na pasmo 6...12 GHz do radarów i komunikacji satelitarnej
Szeregowe pamięci NOR Flash o pojemności 128 Mb i napięciu zasilania 1,8 V Szeregowe pamięci NOR Flash o pojemności 128 Mb i napięciu zasilania 1,8 V
Energooszczędny 24-bitowy przetwornik A/C sigma-delta ze wzmacniaczem PGA i pamięcią FIFO Energooszczędny 24-bitowy przetwornik A/C sigma-delta ze wzmacniaczem PGA i pamięcią FIFO
Zmodernizowany regulator napięcia BMR510 firmy Flex o sprawności do 90% Zmodernizowany regulator napięcia BMR510 firmy Flex o sprawności do 90%
Wzmacniacze na pasmo 6...18 GHz o dodatnim nachyleniu charakterystyki częstotliwościowej Wzmacniacze na pasmo 6...18 GHz o dodatnim nachyleniu charakterystyki częstotliwościowej
Mikrokontrolery PIC oparte na rdzeniu ARM Cortex-M4F z wbudowanym modułem Bluetooth LE Mikrokontrolery PIC oparte na rdzeniu ARM Cortex-M4F z wbudowanym modułem Bluetooth LE
Programowalne generatory sygnału zegarowego o małym błędzie jitteru i małym poborze mocy Programowalne generatory sygnału zegarowego o małym błędzie jitteru i małym poborze mocy
6-osiowy moduł nawigacyjny IMU ze sztuczną inteligencją 6-osiowy moduł nawigacyjny IMU ze sztuczną inteligencją
Ultraszybkie diody prostownicze 650 V do zastosowań w przemyśle i motoryzacji Ultraszybkie diody prostownicze 650 V do zastosowań w przemyśle i motoryzacji
Seria specjalizowanych tranzystorów MOSFET o szerokim obszarze bezpiecznej pracy Seria specjalizowanych tranzystorów MOSFET o szerokim obszarze bezpiecznej pracy
Switche rodziny InnoSwitch4-Pro do zasilaczy USB PD i szybkich ładowarek sieciowych o mocy do 220 W Switche rodziny InnoSwitch4-Pro do zasilaczy USB PD i szybkich ładowarek sieciowych o mocy do 220 W
Wzmacniacze audio 2 x 37 W klasy D w obudowach o powierzchni 6 x 6 mm Wzmacniacze audio 2 x 37 W klasy D w obudowach o powierzchni 6 x 6 mm