Produkcja elektronikiPCBKomponentyZasilanieElektromechanikaKomunikacja Mikrokontrolery i IoTOptoelektronikaPomiaryProjektowanie i badania
RynekFirmyProduktyGospodarkaRaportyWywiadyTechnikaOpiniePuls branżyKalendariumMagazynDla firm
Produkty
Kategorie
Produkcja elektroniki
Usługi CEM/EMS Obwody drukowane Obudowy dla urządzeń Urządzenia i wyposażenie produkcji Materiały do produkcji Narzędzia ręczne Oprogramowanie projektowe Laboratoria pomiarowe i badawcze Biura inżynierskie Usługi
Automatyka przemysłowa
Automatyzacja procesów Komponenty automatyki
Aparatura pomiarowa
Aparatura elektroniczna Aparatura energetyczna Mierniki wielkości nieelektrycznych Systemy pomiarowe Sprzęt i usługi kalibracji
Podzespoły elektroniczne
Podzespoły półprzewodnikowe Podzespoły energoelektroniczne Podzespoły elektromechaniczne Elementy optoelektroniczne Podzespoły pasywne Moduły elektroniczne OEM Źródła zasilania Oświetlenie LED
Przeglądaj kategorie
Złóż zapytanie ofertowe
Zobacz katalog firm

Podzespoły półprzewodnikowe

Małostratny tranzystor IGBT 650 V/60 A nowej generacji do układów korekcji PFC Małostratny tranzystor IGBT 650 V/60 A nowej generacji do układów korekcji PFC
Wzmacniacz pomiarowy o dokładności ±1% w obudowie o powierzchni 2,9 x 2,8 mm Wzmacniacz pomiarowy o dokładności ±1% w obudowie o powierzchni 2,9 x 2,8 mm
Diody Schottky'ego do obwodów zabezpieczeń akumulatorów samochodowych Cell to Chassis Diody Schottky'ego do obwodów zabezpieczeń akumulatorów samochodowych Cell to Chassis
16-bitowy przetwornik A/C Σ-Δ z wbudowanym wzmacniaczem programowalnym i pamięcią FIFO 16-bitowy przetwornik A/C Σ-Δ z wbudowanym wzmacniaczem programowalnym i pamięcią FIFO
256-megabitowa pamięć NOR Flash SEMPER Nano o małych gabarytach i energooszczędnej pracy 256-megabitowa pamięć NOR Flash SEMPER Nano o małych gabarytach i energooszczędnej pracy
IAR Embedded Workbench wspiera tanie mikrokontrolery serii STM32C0 IAR Embedded Workbench wspiera tanie mikrokontrolery serii STM32C0
Tranzystor GaN FET 600 V ze sterownikiem bramki, zabezpieczeniami i czujnikiem temperatury Tranzystor GaN FET 600 V ze sterownikiem bramki, zabezpieczeniami i czujnikiem temperatury
Wysokoprądowe samochodowe przełączniki obciążenia high-side z funkcjami zabezpieczającymi Wysokoprądowe samochodowe przełączniki obciążenia high-side z funkcjami zabezpieczającymi
Akcelerometry cyfrowe do przemysłowych systemów lokalizacji i stabilizacji Akcelerometry cyfrowe do przemysłowych systemów lokalizacji i stabilizacji
Diody prostownicze o prądzie przewodzenia do 4 A w obudowach o wymiarach 3,9 x 2,1 x 0,9 mm Diody prostownicze o prądzie przewodzenia do 4 A w obudowach o wymiarach 3,9 x 2,1 x 0,9 mm
Niskoszumowy wzmacniacz operacyjny z wejściem JFET do urządzeń audio Niskoszumowy wzmacniacz operacyjny z wejściem JFET do urządzeń audio
Zasilacze serii AMED od Aimtec – do pracy na szynie DIN, z napięciem wejściowym stałym i zmiennym, o dużych mocach JM elektronik Sp. z o.o. Zasilacze serii AMED od Aimtec – do pracy na szynie DIN, z napięciem wejściowym stałym i zmiennym, o dużych mocach
Tranzystory GaN FET 150/200 V o bardzo małej rezystancji kanału do przetwornic DC-DC Tranzystory GaN FET 150/200 V o bardzo małej rezystancji kanału do przetwornic DC-DC
36-kanałowy sterownik diod LED z interfejsem I2C/SPI 36-kanałowy sterownik diod LED z interfejsem I2C/SPI
256-kanałowy przetwornik A/C do detektorów CT 256-kanałowy przetwornik A/C do detektorów CT
Miniaturowy 80-woltowy tranzystor GaN FET o prądzie impulsowym 231 A Miniaturowy 80-woltowy tranzystor GaN FET o prądzie impulsowym 231 A
4-amperowy przełącznik zasilania high-side z wieloma funkcjami diagnostyki i zabezpieczeń 4-amperowy przełącznik zasilania high-side z wieloma funkcjami diagnostyki i zabezpieczeń
2-amperowe układy ładowania ogniw Li-ion i Li-polymer z interfejsem I2C i trybem boost 2-amperowe układy ładowania ogniw Li-ion i Li-polymer z interfejsem I2C i trybem boost
Tani wzmacniacz audio klasy D o mocy 3,2 W w obudowie WLP o powierzchni 1,53 x 1,53 mm Tani wzmacniacz audio klasy D o mocy 3,2 W w obudowie WLP o powierzchni 1,53 x 1,53 mm
Konwertery DC-DC step-up o wymiarach 3,0 x 3,0 x 1,7 mm i wydajności prądowej 1,4 A Konwertery DC-DC step-up o wymiarach 3,0 x 3,0 x 1,7 mm i wydajności prądowej 1,4 A
Pamięć DDR4 SDRAM CMOS o pojemności 16 Gb Pamięć DDR4 SDRAM CMOS o pojemności 16 Gb
Wieloprotokołowy, bezprzewodowy mikrokontroler 2,4 GHz z rdzeniem ARM Cortex-M4F Wieloprotokołowy, bezprzewodowy mikrokontroler 2,4 GHz z rdzeniem ARM Cortex-M4F
8-kanałowe przełączniki obciążenia high-side i low-side do zastosowań przemysłowych 8-kanałowe przełączniki obciążenia high-side i low-side do zastosowań przemysłowych
Małostratne przełączniki low-side do zastosowań motoryzacyjnych i przemysłowych Małostratne przełączniki low-side do zastosowań motoryzacyjnych i przemysłowych
40-woltowe n-kanałowe tranzystory MOSFET o dopuszczalnym prądzie przewodzenia do 400 A 40-woltowe n-kanałowe tranzystory MOSFET o dopuszczalnym prądzie przewodzenia do 400 A
Regulator LDO o małym prądzie spoczynkowym i skutecznym tłumieniu tętnień na linii zasilania Regulator LDO o małym prądzie spoczynkowym i skutecznym tłumieniu tętnień na linii zasilania
Dwukanałowe izolatory cyfrowe o przepustowości 100 Mbps Dwukanałowe izolatory cyfrowe o przepustowości 100 Mbps
Przełącznik obciążenia high-side o konfigurowalnej szybkości narastania napięcia wyjściowego Przełącznik obciążenia high-side o konfigurowalnej szybkości narastania napięcia wyjściowego
Konwerter AC-DC step-down o poborze mocy w trybie standby równym 10 mW Konwerter AC-DC step-down o poborze mocy w trybie standby równym 10 mW
Sterownik bramek tranzystorów IGBT i SiC MOSFET o napięciu izolacji 3,75 kV rms Sterownik bramek tranzystorów IGBT i SiC MOSFET o napięciu izolacji 3,75 kV rms