Produkcja elektronikiPCBKomponentyZasilanieElektromechanikaKomunikacja Mikrokontrolery i IoTOptoelektronikaPomiaryProjektowanie i badania
RynekFirmyProduktyGospodarkaRaportyWywiadyTechnikaOpiniePuls branżyKalendariumMagazynDla firm
Produkty
Kategorie
Produkcja elektroniki
Usługi CEM/EMS Obwody drukowane Obudowy dla urządzeń Urządzenia i wyposażenie produkcji Materiały do produkcji Narzędzia ręczne Oprogramowanie projektowe Laboratoria pomiarowe i badawcze Biura inżynierskie Usługi
Automatyka przemysłowa
Automatyzacja procesów Komponenty automatyki
Aparatura pomiarowa
Aparatura elektroniczna Aparatura energetyczna Mierniki wielkości nieelektrycznych Systemy pomiarowe Sprzęt i usługi kalibracji
Podzespoły elektroniczne
Podzespoły półprzewodnikowe Podzespoły energoelektroniczne Podzespoły elektromechaniczne Elementy optoelektroniczne Podzespoły pasywne Moduły elektroniczne OEM Źródła zasilania Oświetlenie LED
Przeglądaj kategorie
Złóż zapytanie ofertowe
Zobacz katalog firm

Wszystkie

Pierwsza na rynku szeregowa pamięć F-RAM 2 Mb do pracy w przestrzeni kosmicznej Pierwsza na rynku szeregowa pamięć F-RAM 2 Mb do pracy w przestrzeni kosmicznej
20-watowy zasilacz sieciowy zgodny z wymogami kategorii przepięciowej OVC III 20-watowy zasilacz sieciowy zgodny z wymogami kategorii przepięciowej OVC III
Podłączanie przewodów do PCB - seria 2065 Podłączanie przewodów do PCB - seria 2065
Termistory NTC rozmiaru 0603 i 0805 w wersjach o nowych wartościach rezystancji Termistory NTC rozmiaru 0603 i 0805 w wersjach o nowych wartościach rezystancji
Mierniki LCR serii LCX produkcji Rohde & Schwarz w ofercie firmy Farnell Mierniki LCR serii LCX produkcji Rohde & Schwarz w ofercie firmy Farnell
Nowa seria rezystorów wysokonapięciowych o tolerancji od 0,1% i rezystancji do 50 GΩ Nowa seria rezystorów wysokonapięciowych o tolerancji od 0,1% i rezystancji do 50 GΩ
Chipset do realizacji konwerterów LLC o dużej sprawności i małej liczbie komponentów Chipset do realizacji konwerterów LLC o dużej sprawności i małej liczbie komponentów
Półekranowane cewki indukcyjne o dopuszczalnej temperaturze pracy +150°C Półekranowane cewki indukcyjne o dopuszczalnej temperaturze pracy +150°C
Układy obsługi kluczy kryptograficznych do nadajników ładowania bezprzewodowego Qi 1.3 Układy obsługi kluczy kryptograficznych do nadajników ładowania bezprzewodowego Qi 1.3
Efektywne zarządzanie ciepłem. Wentylatory z opcją montażu bez użycia narzędzi CSI S.A. Efektywne zarządzanie ciepłem. Wentylatory z opcją montażu bez użycia narzędzi
100-watowy konwerter DC-DC rozmiaru sixteenth-brick o zakresie napięcia wejściowego od 30 V 100-watowy konwerter DC-DC rozmiaru sixteenth-brick o zakresie napięcia wejściowego od 30 V
Nowe superzłączowe tranzystory MOSFET o napięciu przebicia 650 V Nowe superzłączowe tranzystory MOSFET o napięciu przebicia 650 V
Moduły przełączające PXI/PXIe rozmiaru do 32 x 8 kanałów o paśmie 300 MHz Moduły przełączające PXI/PXIe rozmiaru do 32 x 8 kanałów o paśmie 300 MHz
Energooszczędny barometryczny czujnik ciśnienia o dokładności względnej ±0,06 hPa Energooszczędny barometryczny czujnik ciśnienia o dokładności względnej ±0,06 hPa
Niskoprofilowe kondensatory polimerowe o żywotności 5500 h @ +125°C Niskoprofilowe kondensatory polimerowe o żywotności 5500 h @ +125°C
Chipset do systemów komunikacyjnych na pasmo 5G NR FR2 Chipset do systemów komunikacyjnych na pasmo 5G NR FR2
Minikomputery Aaeon z modułami NVIDIA Jetson dla AI i Edge Computing CSI S.A. Minikomputery Aaeon z modułami NVIDIA Jetson dla AI i Edge Computing
Dławiki skompensowane prądowo do instalacji oświetleniowych z diodami LED Dławiki skompensowane prądowo do instalacji oświetleniowych z diodami LED
Układ energy harvesting z rozszerzonymi funkcjami zarządzania mocą Układ energy harvesting z rozszerzonymi funkcjami zarządzania mocą
Tyrystory SIDACtor do ochrony nadprądowej w obudowach SMD o wymiarach 7,1 x 6,2 x 3,2 mm Tyrystory SIDACtor do ochrony nadprądowej w obudowach SMD o wymiarach 7,1 x 6,2 x 3,2 mm
150-woltowy tranzystor n-MOSFET o rezystancji kanału 9 mΩ 150-woltowy tranzystor n-MOSFET o rezystancji kanału 9 mΩ