Produkcja elektronikiPCBKomponentyZasilanieElektromechanikaKomunikacja Mikrokontrolery i IoTOptoelektronikaPomiaryProjektowanie i badania
RynekFirmyProduktyGospodarkaRaportyWywiadyTechnikaOpiniePuls branżyKalendariumMagazyn
Produkty
Kategorie
Produkcja elektroniki
Usługi CEM/EMS Obwody drukowane Obudowy dla urządzeń Urządzenia i wyposażenie produkcji Materiały do produkcji Narzędzia ręczne Oprogramowanie projektowe Laboratoria pomiarowe i badawcze Biura inżynierskie Usługi
Automatyka przemysłowa
Automatyzacja procesów Komponenty automatyki
Aparatura pomiarowa
Aparatura elektroniczna Aparatura energetyczna Mierniki wielkości nieelektrycznych Systemy pomiarowe Sprzęt i usługi kalibracji
Podzespoły elektroniczne
Podzespoły półprzewodnikowe Podzespoły energoelektroniczne Podzespoły elektromechaniczne Elementy optoelektroniczne Podzespoły pasywne Moduły elektroniczne OEM Źródła zasilania Oświetlenie LED
Przeglądaj kategorie
Złóż zapytanie ofertowe
Zobacz katalog firm

Wszystkie

Układy ładowania akumulatora USB-C Buck-Boost do smartfonów i zestawów słuchawkowych Intersil Kenet Układy ładowania akumulatora USB-C Buck-Boost do smartfonów i zestawów słuchawkowych
4-rdzeniowy moduł CoM z SoC Qualcomm Snapdragon 410E GLYN Jones GmbH & Co KG 4-rdzeniowy moduł CoM z SoC Qualcomm Snapdragon 410E
Wysokonapięciowe dzielniki rezystorowe o wytrzymałości dielektrycznej zwiększonej do 2 kV Wysokonapięciowe dzielniki rezystorowe o wytrzymałości dielektrycznej zwiększonej do 2 kV
Wzmacniacz GaAs MMIC o współczynniku szumów 2,2 dB na pasmo DC...22 GHz Wzmacniacz GaAs MMIC o współczynniku szumów 2,2 dB na pasmo DC...22 GHz
Specjalizowane tranzystory MOSFET 100 V/35 A do zastosowań w przestrzeni kosmicznej Infineon Technologies AG Specjalizowane tranzystory MOSFET 100 V/35 A do zastosowań w przestrzeni kosmicznej
Zestaw referencyjny do 15-watowych systemów ładowania bezprzewodowego o rekordowej sprawności 87% Zestaw referencyjny do 15-watowych systemów ładowania bezprzewodowego o rekordowej sprawności 87%
3-fazowy moduł IGBT 650 V/50 A o powierzchni 44 x 26 mm 3-fazowy moduł IGBT 650 V/50 A o powierzchni 44 x 26 mm
Kondensatory chipowe o temperaturowym dryfcie pojemności &lt;0,3% w zakresie -55...+125&deg;C Kondensatory chipowe o temperaturowym dryfcie pojemności <0,3% w zakresie -55...+125°C
Quasi-rezonansowy kontroler PWM do zasilaczy sieciowych zgodnych z wymogami DOE6/COC Tier 2 Diodes Incorporated Quasi-rezonansowy kontroler PWM do zasilaczy sieciowych zgodnych z wymogami DOE6/COC Tier 2
Energooszczędna 4-megabitowa pamięć ReRAM o poborze prądu 0,2 mA w trybie odczytu Semicon Sp. z o.o. Energooszczędna 4-megabitowa pamięć ReRAM o poborze prądu 0,2 mA w trybie odczytu
Ultracienkie podłoża ceramiczne ze zintegrowaną ochroną ESD do 25 kV Ultracienkie podłoża ceramiczne ze zintegrowaną ochroną ESD do 25 kV
Jednokierunkowy liniowy czujnik Halla w obudowie SOT-23W Jednokierunkowy liniowy czujnik Halla w obudowie SOT-23W
3-osiowy czujnik przyspieszenia w obudowie CSP 1,3 x 1,1 mm 3-osiowy czujnik przyspieszenia w obudowie CSP 1,3 x 1,1 mm
Tłumiki SMD na pasmo DC...50 GHz w obudowach o powierzchni 0,76 x 0,76 mm Tłumiki SMD na pasmo DC...50 GHz w obudowach o powierzchni 0,76 x 0,76 mm
Zasilacze przemysłowe nowej generacji AMTEK spol. s r.o. (Sp. z o.o.) oddz. w Polsce Zasilacze przemysłowe nowej generacji
Przenośny 4-kanałowy rejestrator sygnałów RF/IF o szybkości próbkowania do 500 MSps/kanał Przenośny 4-kanałowy rejestrator sygnałów RF/IF o szybkości próbkowania do 500 MSps/kanał
Wielozakresowe anteny PCB do tabletów i laptopów Wielozakresowe anteny PCB do tabletów i laptopów
Seria oscylatorów zegarkowych 32,768 kHz o poborze prądu 1,5 mA Seria oscylatorów zegarkowych 32,768 kHz o poborze prądu 1,5 mA
Ekranowane cewki SMD 1...30 µH/9,2...37 A o małych gabarytach i szerokim zakresie temperatur pracy Ekranowane cewki SMD 1...30 µH/9,2...37 A o małych gabarytach i szerokim zakresie temperatur pracy
Różnicowe czujniki ciśnienia serii SPD800 od firmy Sensirion GLYN Jones GmbH & Co KG Różnicowe czujniki ciśnienia serii SPD800 od firmy Sensirion
Przekaźniki półprzewodnikowe o szerokim zakresie temperatur pracy i dużym napięciu wyjściowym Przekaźniki półprzewodnikowe o szerokim zakresie temperatur pracy i dużym napięciu wyjściowym