wersja mobilna
Online: 744 Wtorek, 2018.06.19

Biznes

Intel zarobił na czysto 11,7 mld dolarów i zwiększył dostawy układów do tabletów o 460%

środa, 04 marca 2015 07:50

Rekordowa sprzedaż za kwotę 55,9 mld dolarów osiągnięta przez Intela w 2014 r. i wyższa o 6% w skali roku oraz 11,7 mld dolarów zysku pozwoliły firmie przewyższyć oczekiwania analityków. Intel wygenerował około 20,4 mld dolarów gotówki, z czego jako dywidendę wypłacił 4,4 mld a 10,8 mld wykorzystał na wykup od udziałowców 332 mln akcji własnych. Wyjątkowo silny okazał się dla firmy ostatni kwartał roku, w którym potentat rynku procesorów uzyskał 14,7 mld dolarów obrotów oraz 3,7 mld zysku.

Obroty w grupie komputerów osobistych Intela (PCG) w roku ubiegłym wyniosły 37,4 mld dolarów, o 4% więcej w skali roku. Szybciej, bo o 18%, rosły obroty grupy centrów danych (DCG), wynosząc 14,4 mld dolarów. Z początkiem roku w strukturę świetnie prosperującej PCG Intel włączył grupę układów mobilnych (MCG), która w całym roku miała spadek obrotów aż o 85% do 202 mln dolarów. Takie zaszeregowanie grupy mobilnej ma służyć jej wzmocnieniu.

Na rynku komputerów PC Intel w minionym roku zdołał rozwinąć działalność. Jednym z osiągnięć jest przekroczenie w 2014 r. celu dostaw 40 mln procesorów do tabletów o 6 milionów układów, co w porównaniu do 2013 r. stanowi wzrost dostaw o 460%. W rynku tym Intel ma obecnie około 20-procentowy udział.

W tym roku na rynek mobilny firma planuje skierować niskobudżetowe układy do smartfonów - modemy Sofia 3G i Sofia LTE. Sofia 3G przechodzi obecnie końcowy proces certyfikacji u operatorów, a modem LTE ma być gotowy w drugiej połowie roku.

źródło: Intel, seekingalpha.com

 

World News 24h

wtorek, 19 czerwca 2018 12:05

imec demonstrates for the first time the possibility to fabricate state-of-the-art spin-orbit torque MRAM devices on 300mm wafers using CMOS compatible processes. With an unlimited endurance (>5x1010), fast switching speed (210ps), and power consumption as low as 300pJ, the SOT-MRAM devices manufactured in a 300mm line achieve the same or better performance as lab devices. This next-generation MRAM technology targets replacement of L1/L2 SRAM cache memories in high-performance computing applications. SOT-MRAM has recently emerged as a non-volatile memory technology that promises a high endurance and low-power, sub-ns switching speed.

więcej na: www.imec-int.com