Grafenowe nanowstążki mogą przyspieszyć poprawę efektywności elektroniki
| GospodarkaInżynierowie z Uniwersytetu w Wisconsin-Madison odkryli metodę umożliwiającą wzrost grafenowych nanowstążek charakteryzujących się pożądanymi właściwościami, bezpośrednio na germanowym podłożu półprzewodnikowym. Badacze zazwyczaj uzyskiwali nanowstążki przy użyciu technik litograficznych i cięciu większych arkuszy grafenu do postaci wstążki. Jednak takiemu podejściu brakowało precyzji, a nanowstążki miały bardzo ostre krawędzie. Jak przekonują odkrywcy nowej metody, ich technika może być łatwo skalowana do masowej produkcji i jest kompatybilna z infrastrukturą stosowaną w przemyśle półprzewodnikowym.
W artykule opublikowanym 10 sierpnia w czasopiśmie Nature Communications, Michael Arnold - profesor materiałoznawstwa i inżynierii na UW-Madison oraz Robert Jacobberger i ich współpracownicy opisują swoje nowe podejście do produkcji grafenowych nanowstążek. Może ona umożliwić producentom łatwe wykorzystanie nanowstążek przy tworzeniu hybrydowych układów scalonych, które obiecują znaczne zwiększenie wydajności urządzeń elektronicznych nowej generacji. Technologia może mieć również zastosowanie w aplikacjach przemysłowych i wojskowych.
źródło: University of Wisconsin-Madison
