Grafenowe nanowstążki mogą przyspieszyć poprawę efektywności elektroniki

Inżynierowie z Uniwersytetu w Wisconsin-Madison odkryli metodę umożliwiającą wzrost grafenowych nanowstążek charakteryzujących się pożądanymi właściwościami, bezpośrednio na germanowym podłożu półprzewodnikowym. Badacze zazwyczaj uzyskiwali nanowstążki przy użyciu technik litograficznych i cięciu większych arkuszy grafenu do postaci wstążki. Jednak takiemu ​​podejściu brakowało precyzji, a nanowstążki miały bardzo ostre krawędzie. Jak przekonują odkrywcy nowej metody, ich technika może być łatwo skalowana do masowej produkcji i jest kompatybilna z infrastrukturą stosowaną w przemyśle półprzewodnikowym.