Choć obecnie do modelu iPhone 7 Samsung dostarcza tylko układy pamięci DRAM, sytuacja ta ma się zmienić i Samsung może się ponownie stać głównym dostawcą podzespołów do iPhone'a, poinformował Forbes. Może być to związane z wydaniem przez sąd najwyższy USA w grudniu 2016 r. przychylnego dla Samsunga orzeczenia w sporze z Applem o naruszenie patentów.
Do najdroższych podzespołów smartfona należą ekran oraz układy pamięci - zarówno NAND flash jak i DRAM. Jak podliczyła firma analityczna IHS Markit, w 7 modelu iPhone'a wartość wspomnianych komponentów stanowi ponad jedną czwartą wartości wszystkich komponentów smartfona.
Do następnych modeli iPhone'a Samsung ma dostarczać ekran OLED, układy pamięci NAND flash, oraz ponownie DRAM, co uczyni koreańską firmę znowu głównym dostawcą Apple'a.
Jeszcze w tym roku Apple ma zastosować w telefonach zakrzywione ekrany OLED i kalifornijskiej firmie dostarczy je właśnie Samsung, informował Bloomberg pod koniec roku. W podjęciu decyzji o wyborze dostawcy Apple nie za bardzo ma możliwość wyboru, ponieważ Samsung dominuje na rynku dostaw podzespołów, w tym ekranów.
Podobnie na rynku NAND flash, do koreańskiej firmy należy około jednej trzeciej rynku. Na rynku mobilnych pamięci DRAM dostawy Samsunga pokrywają ok. 60% rynku.
» Sąd Najwyższy USA cofa orzeczenie przeciwko Samsungowi o naruszenie patentów Apple'a
» Dwie różne wady akumulatorów powodem samozapłonów Galaxy Note 7
» Lee Jae-yong, szef Samsunga, oskarżony w skandalu korupcyjnym w Korei Południowej
» Dobre wyniki Samsunga za ostatni kwartał
» TSMC dostarczy firmie Apple 100 milionów nowych chipów dla iPhone'ów
» Samsung planuje w Teksasie kolejną inwestycję rzędu miliarda dolarów
» Samsung Electronics przejmuje amerykański QD Vision
» Samsung rozważa sprzedaż jednostki PC firmie Lenovo
» Apple zbuduje centrum badań i rozwoju w Shenzhen - swój drugi tego typu ośrodek w Chinach
imec demonstrates for the first time the possibility to fabricate state-of-the-art spin-orbit torque MRAM devices on 300mm wafers using CMOS compatible processes. With an unlimited endurance (>5x1010), fast switching speed (210ps), and power consumption as low as 300pJ, the SOT-MRAM devices manufactured in a 300mm line achieve the same or better performance as lab devices. This next-generation MRAM technology targets replacement of L1/L2 SRAM cache memories in high-performance computing applications. SOT-MRAM has recently emerged as a non-volatile memory technology that promises a high endurance and low-power, sub-ns switching speed.
więcej na: www.imec-int.com
