Zajmująca się analizami rynku firma IC Insights obniżyła niedawno swoją długoterminową prognozę sprzedaży produktów IoT, tłumacząc to przede wszystkim szacowanym mniejszym przyspieszeniem inwestycji związanych z projektami typu "inteligentne miasto", takimi jak inteligentne metro czy inteligentna infrastruktura. Prognozowana całkowita wartość sprzedaży układów półprzewodnikowych na potrzeby rynku IoT dla roku 2020 obniżona została o prawie 1 mld dolarów, do poziomu 31 mld dolarów.
Prognozy krótkoterminowe nie uległy znaczącym zmianom - pod koniec obecnego roku wciąż oczekuje się wzrostu na poziomie 16%. Z 15,6% do 14,9% zmalała jednak szacowana na okres 2015-2020 wartość skumulowanego rocznego wskaźnika wzrostu (CAGR, Compound Annual Growth Rate). CAGR liczony jedynie dla sprzedaży układów na potrzeby inteligentnych miast obniżono z 9,7% na 8,9%.
Zdaniem IC Insights korekta prognoz dla rynku IoT jest wynikiem przewidywanej polityki ograniczania wydatków przez instytucje rządowe na całym świecie, jak również obserwowanego wyhamowania części już realizowanych inwestycji tego typu. Obniżono również prognozowany w tym samym okresie poziom CAGR dla rynku urządzeń elektroniki noszonej (zaliczanych do IoT) z 18,8 % do 17,1%.
» Poziom zabezpieczeń produktów IoT wciąż zbyt niski
» Jak wybrać antenę do aplikacji IoT - poradnik
» Intel redukuje zatrudnienie w sektorze IoT
» Powstało pierwsze laboratorium rozwoju IIoT
» Przemysłowy Internet Rzeczy - szanse i wyzwania dla dostawców elektroniki
» Samsung Electronics zainwestuje 1,2 mld dolarów w Internet rzeczy
» Czy Internet Rzeczy może być niebezpieczny?
» Przemysłowy Internet Rzeczy (IIoT) i jego wpływ na projektowanie urządzeń
» Internet rzeczy motorem rozwoju rynku mikrokontrolerów
imec demonstrates for the first time the possibility to fabricate state-of-the-art spin-orbit torque MRAM devices on 300mm wafers using CMOS compatible processes. With an unlimited endurance (>5x1010), fast switching speed (210ps), and power consumption as low as 300pJ, the SOT-MRAM devices manufactured in a 300mm line achieve the same or better performance as lab devices. This next-generation MRAM technology targets replacement of L1/L2 SRAM cache memories in high-performance computing applications. SOT-MRAM has recently emerged as a non-volatile memory technology that promises a high endurance and low-power, sub-ns switching speed.
więcej na: www.imec-int.com
