Tranzystory SiC wychodzą z rynkowej niszy do mainstreamu

Czas szybko płynie i niedługo pierwsza komercyjnie dostępna dioda z węglika krzemu osiągnie pełnoletniość. Tranzystory MOSFET z SiC można kupić już od ponad dekady, niemniej dopiero od niedawna w wielu zastosowaniach stanowią one rzeczywistą alternatywę dla elementów krzemowych, mimo że nadal są droższe.

Posłuchaj
00:00

Główni gracze rynkowi w zakresie materiałów półprzewodnikowych SiC wg Yole Developpement

Yole Developpement prognozuje, że w ciągu najbliższych pięciu lat średnia stopa wzrostu dla podzespołów półprzewodnikowych z SiC wyniesie aż 29%. Innymi słowy rynek w ciągu pięciu lat czterokrotnie zwiększy obroty - z 320 mln dolarów w 2017 roku do 1,4 mld dolarów w roku 2023.

Na skok ten czekaliśmy długo głównie dlatego, że branża motoryzacyjna - a więc główny odbiorca - ostrożnie podchodzi do nowości technologicznych i zanim zostaną one zastosowane na szeroką skalę muszą przejść długotrwały proces kwalifikacji. Poza parametrami technicznymi taka aprobata obejmuje też cenę, dlatego całość procesu tak bardzo się ślimaczy - tranzystory były przez lata za drogie.

Rynek podzespołów mocy SiC w podziale na aplikacje wg Yole Developpement

Głównym odbiorcą półprzewodników SiC jest i będzie elektryczna motoryzacja, gdzie elementy te będą podstawą wydajnych ładowarek, inwerterów zasilających w takich pojazdach silniki i elementem wykonawczym w infrastrukturze ładowania. W drugiej kolejności, w kolejnych latach będzie to sektor energii odnawialnej. Yole uważa, że rok 2018 będzie punktem zwrotnym dla technologii SiC, gdyż elementy te stracą niszowy charakter i staną się podstawowym typem dla elektroniki mocy. W 2023 roku tranzystory SiC będą już stanowić 10% rynku IGBT.

Przykładowe moduły mocy SiC i ich parametry

Można też liczyć, że ceny takich tranzystorów niedługo spadną, bo rynek materiałów podłożowych z węglika krzemu jest aktualnie w fazie transformacji z krążków 4-calowych na 6-calowe i jest na nim aktywnych coraz więcej firm. Większa powierzchnia płytek poprawi też wydajność produkcji podzespołów, bo na razie przy użyciu krążków 4-calowych producenci mają za małe moce wytwórcze i nie nadążają z produkcją w stosunku do rynkowego zapotrzebowania. Warto odnotować, że firmy Cree i Infineon podpisały umowę o współpracy w zakresie prac nad materiałami podłożowymi po to, by wspólnie inwestować w potencjał wytwórczy w zakresie płytek, gdyż są to bardzo duże wydatki. Takie działania sprzyjają rozwojowi półprzewodników innych niż krzemowe i likwidują podstawowy problem z inwestycją przy braku uzasadniającego ją wysokiego wolumenu sprzedaży.

Powiązane treści
Tranzystory mocy zdrożeją w 2022 roku o 11%
ST kupuje dostawcę płytek SiC
GaN i SiC - rosnący potencjał w układach mocy
Podzespoły RF z GaN i SiC kluczowymi komponentami dla sieci 5G
W przyszłym roku rynek tranzystorów mocy powróci do wzrostu
Urządzenia konsumenckie otworzą elektronikę na GaN
Konkurencyjność cenowa zdecyduje o przyszłości rynku podzespołów z SiC i GaN
STMicroelectronics stawia na węglik krzemu
Cree zainwestuje 1 mld dolarów w fabrykę półprzewodników SiC
Tainergy rozpocznie produkcję płytek SiC
Zobacz więcej w kategorii: Gospodarka
Mikrokontrolery i IoT
Mouser Electronics rozszerza ofertę IoT – globalna umowa dystrybucyjna z Telit Cinterion
Produkcja elektroniki
Materiały szklane do produkcji półprzewodników zmieniają przyszłość urządzeń, procesów i łańcuchów dostaw
Komponenty
CBTG Technologie nawiązuje współpracę z Etron - nowe możliwości dla projektantów elektroniki
PCB
EUROCIRCUITS wspiera MAD Formula Team - niezawodna elektronika w ekstremalnych warunkach Formula Student
Produkcja elektroniki
Rochester Electronics wesprze przedłużanie cyklu życia procesorów NXP
Mikrokontrolery i IoT
Advantech i Axelera AI rozszerzają partnerstwo w obszarze akceleratorów AI dla systemów embedded
Zobacz więcej z tagiem: Produkcja elektroniki
Gospodarka
Materiały szklane do produkcji półprzewodników zmieniają przyszłość urządzeń, procesów i łańcuchów dostaw
Gospodarka
Rochester Electronics wesprze przedłużanie cyklu życia procesorów NXP
Informacje z firm
Pierwsze spotkanie rady doradczej EFX - FUJI aktywnie współtworzy nową targową inicjatywę dla przemysłu elektronicznego

Bonding optyczny made in Poland

W świecie nowoczesnych wyświetlaczy detale mają znaczenie. Jeden milimetr kieszeni powietrznej potrafi zadecydować o tym, czy obraz na ekranie będzie zachwycał kontrastem i głębią, czy zniknie pod warstwą refleksów. Dlatego właśnie bonding optyczny – precyzyjne łączenie wyświetlacza z panelem dotykowym lub szybą ochronną – stał się symbolem jakości w projektowaniu interfejsów użytkownika. A w Polsce liderem tej technologii jest firma QWERTY Sp. z o.o., jedyny krajowy producent, który wykonuje bonding we własnej fabryce, bez podzlecania procesów za granicę.
Zapytania ofertowe
Unikalny branżowy system komunikacji B2B Znajdź produkty i usługi, których potrzebujesz Katalog ponad 7000 firm i 60 tys. produktów