Tranzystory SiC wychodzą z rynkowej niszy do mainstreamu

Czas szybko płynie i niedługo pierwsza komercyjnie dostępna dioda z węglika krzemu osiągnie pełnoletniość. Tranzystory MOSFET z SiC można kupić już od ponad dekady, niemniej dopiero od niedawna w wielu zastosowaniach stanowią one rzeczywistą alternatywę dla elementów krzemowych, mimo że nadal są droższe.

Posłuchaj
00:00

Główni gracze rynkowi w zakresie materiałów półprzewodnikowych SiC wg Yole Developpement

Yole Developpement prognozuje, że w ciągu najbliższych pięciu lat średnia stopa wzrostu dla podzespołów półprzewodnikowych z SiC wyniesie aż 29%. Innymi słowy rynek w ciągu pięciu lat czterokrotnie zwiększy obroty - z 320 mln dolarów w 2017 roku do 1,4 mld dolarów w roku 2023.

Na skok ten czekaliśmy długo głównie dlatego, że branża motoryzacyjna - a więc główny odbiorca - ostrożnie podchodzi do nowości technologicznych i zanim zostaną one zastosowane na szeroką skalę muszą przejść długotrwały proces kwalifikacji. Poza parametrami technicznymi taka aprobata obejmuje też cenę, dlatego całość procesu tak bardzo się ślimaczy - tranzystory były przez lata za drogie.

Rynek podzespołów mocy SiC w podziale na aplikacje wg Yole Developpement

Głównym odbiorcą półprzewodników SiC jest i będzie elektryczna motoryzacja, gdzie elementy te będą podstawą wydajnych ładowarek, inwerterów zasilających w takich pojazdach silniki i elementem wykonawczym w infrastrukturze ładowania. W drugiej kolejności, w kolejnych latach będzie to sektor energii odnawialnej. Yole uważa, że rok 2018 będzie punktem zwrotnym dla technologii SiC, gdyż elementy te stracą niszowy charakter i staną się podstawowym typem dla elektroniki mocy. W 2023 roku tranzystory SiC będą już stanowić 10% rynku IGBT.

Przykładowe moduły mocy SiC i ich parametry

Można też liczyć, że ceny takich tranzystorów niedługo spadną, bo rynek materiałów podłożowych z węglika krzemu jest aktualnie w fazie transformacji z krążków 4-calowych na 6-calowe i jest na nim aktywnych coraz więcej firm. Większa powierzchnia płytek poprawi też wydajność produkcji podzespołów, bo na razie przy użyciu krążków 4-calowych producenci mają za małe moce wytwórcze i nie nadążają z produkcją w stosunku do rynkowego zapotrzebowania. Warto odnotować, że firmy Cree i Infineon podpisały umowę o współpracy w zakresie prac nad materiałami podłożowymi po to, by wspólnie inwestować w potencjał wytwórczy w zakresie płytek, gdyż są to bardzo duże wydatki. Takie działania sprzyjają rozwojowi półprzewodników innych niż krzemowe i likwidują podstawowy problem z inwestycją przy braku uzasadniającego ją wysokiego wolumenu sprzedaży.

Powiązane treści
Tranzystory mocy zdrożeją w 2022 roku o 11%
ST kupuje dostawcę płytek SiC
GaN i SiC - rosnący potencjał w układach mocy
Podzespoły RF z GaN i SiC kluczowymi komponentami dla sieci 5G
W przyszłym roku rynek tranzystorów mocy powróci do wzrostu
Urządzenia konsumenckie otworzą elektronikę na GaN
Konkurencyjność cenowa zdecyduje o przyszłości rynku podzespołów z SiC i GaN
STMicroelectronics stawia na węglik krzemu
Cree zainwestuje 1 mld dolarów w fabrykę półprzewodników SiC
Tainergy rozpocznie produkcję płytek SiC
Zobacz więcej w kategorii: Gospodarka
PCB
Recykling PCB już za chwilę
Pomiary
Danisense uruchamia portal do kalibracji przetworników prądowych – niezależnie od marki i z certyfikatem ISO 17025
Optoelektronika
MIT rozwija przełomowe ultracienkie materiały do technologii noktowizyjnych
Aktualności
STMicroelectronics rozpoczyna restrukturyzację
Aktualności
Advantech wprowadzi na rynek systemy brzegowe AI następnej generacji
PCB
Siemens przejmuje DownStream Technologies
Zobacz więcej z tagiem: Produkcja elektroniki
Targi zagraniczne
HKTDC Hong Kong Electronics Fair (edycja jesienna)
Gospodarka
Popyt na sprzęt do produkcji wyznacznikiem stanu branży
Prezentacje firmowe
Odzież ESD i cleanroom
Zapytania ofertowe
Unikalny branżowy system komunikacji B2B Znajdź produkty i usługi, których potrzebujesz Katalog ponad 7000 firm i 60 tys. produktów