Tranzystory SiC wychodzą z rynkowej niszy do mainstreamu

Czas szybko płynie i niedługo pierwsza komercyjnie dostępna dioda z węglika krzemu osiągnie pełnoletniość. Tranzystory MOSFET z SiC można kupić już od ponad dekady, niemniej dopiero od niedawna w wielu zastosowaniach stanowią one rzeczywistą alternatywę dla elementów krzemowych, mimo że nadal są droższe.

Dodaj do ulubionych źródeł w Google
Posłuchaj
00:00

Główni gracze rynkowi w zakresie materiałów półprzewodnikowych SiC wg Yole Developpement

Yole Developpement prognozuje, że w ciągu najbliższych pięciu lat średnia stopa wzrostu dla podzespołów półprzewodnikowych z SiC wyniesie aż 29%. Innymi słowy rynek w ciągu pięciu lat czterokrotnie zwiększy obroty - z 320 mln dolarów w 2017 roku do 1,4 mld dolarów w roku 2023.

Na skok ten czekaliśmy długo głównie dlatego, że branża motoryzacyjna - a więc główny odbiorca - ostrożnie podchodzi do nowości technologicznych i zanim zostaną one zastosowane na szeroką skalę muszą przejść długotrwały proces kwalifikacji. Poza parametrami technicznymi taka aprobata obejmuje też cenę, dlatego całość procesu tak bardzo się ślimaczy - tranzystory były przez lata za drogie.

Rynek podzespołów mocy SiC w podziale na aplikacje wg Yole Developpement

Głównym odbiorcą półprzewodników SiC jest i będzie elektryczna motoryzacja, gdzie elementy te będą podstawą wydajnych ładowarek, inwerterów zasilających w takich pojazdach silniki i elementem wykonawczym w infrastrukturze ładowania. W drugiej kolejności, w kolejnych latach będzie to sektor energii odnawialnej. Yole uważa, że rok 2018 będzie punktem zwrotnym dla technologii SiC, gdyż elementy te stracą niszowy charakter i staną się podstawowym typem dla elektroniki mocy. W 2023 roku tranzystory SiC będą już stanowić 10% rynku IGBT.

Przykładowe moduły mocy SiC i ich parametry

Można też liczyć, że ceny takich tranzystorów niedługo spadną, bo rynek materiałów podłożowych z węglika krzemu jest aktualnie w fazie transformacji z krążków 4-calowych na 6-calowe i jest na nim aktywnych coraz więcej firm. Większa powierzchnia płytek poprawi też wydajność produkcji podzespołów, bo na razie przy użyciu krążków 4-calowych producenci mają za małe moce wytwórcze i nie nadążają z produkcją w stosunku do rynkowego zapotrzebowania. Warto odnotować, że firmy Cree i Infineon podpisały umowę o współpracy w zakresie prac nad materiałami podłożowymi po to, by wspólnie inwestować w potencjał wytwórczy w zakresie płytek, gdyż są to bardzo duże wydatki. Takie działania sprzyjają rozwojowi półprzewodników innych niż krzemowe i likwidują podstawowy problem z inwestycją przy braku uzasadniającego ją wysokiego wolumenu sprzedaży.

Chcesz częściej widzieć nasze artykuły w Google? Dodaj ElektronikaB2B do ulubionych źródeł
Powiązane treści
Tranzystory mocy zdrożeją w 2022 roku o 11%
ST kupuje dostawcę płytek SiC
GaN i SiC - rosnący potencjał w układach mocy
Podzespoły RF z GaN i SiC kluczowymi komponentami dla sieci 5G
W przyszłym roku rynek tranzystorów mocy powróci do wzrostu
Urządzenia konsumenckie otworzą elektronikę na GaN
Konkurencyjność cenowa zdecyduje o przyszłości rynku podzespołów z SiC i GaN
STMicroelectronics stawia na węglik krzemu
Cree zainwestuje 1 mld dolarów w fabrykę półprzewodników SiC
Tainergy rozpocznie produkcję płytek SiC
Zobacz więcej w kategorii: Gospodarka
Zasilanie
Infineon sfinalizował przejęcie C2i Semiconductors. Wzmocni rozwiązania zasilania dla centrów danych AI
Elektromechanika
Więcej zaawansowanych i wytrzymałych rozwiązań połączeniowych - Farnell nawiązuje współpracę z Amphenol Nexus Technologies
Komunikacja
Europa poniesie olbrzymie koszty usuwania chińskiej technologii
Zasilanie
SMA otwiera w Niemczech nową fabrykę gigawatową. Inwestycja za 80 mln euro wzmocni europejski przemysł OZE
Aktualności
Farnell nominuje dr Sarę Ghaemi na stanowisko Regional Sales Director dla regionów Beneluksu i DACH
Produkcja elektroniki
Electro Welle inwestuje blisko 20 mln zł w rozwój zakładu w Marcinkowicach
Zobacz więcej z tagiem: Produkcja elektroniki
Prezentacje firmowe
Nowa, piąta generacja systemu Raith PIONEER - przełomowa hybryda EBL-SEM w ofercie firmy PROKON
Technika
Analiza przyczyn wad montażu SMT i ograniczenia systemów inspekcyjnych
Technika
Dokumentacja do wyceny montażu PCBA – jak przygotować kompletny pakiet danych?

Zobaczyć obiekt oczami radaru, czyli dlaczego potrzebujemy laboratorium do pomiarów RCS?

Radar postrzega świat inaczej niż człowiek. Zamiast obrazu tworzonego przez światło widzialne rejestruje echo wysłanej fali elektromagnetycznej. Na odpowiedź radarową obiektu wpływają nie tylko jego rozmiary, lecz także kształt, zastosowane materiały, częstotliwość oraz kierunek obserwacji. Dlatego dwa przedmioty o podobnych wymiarach mogą być dla radaru widoczne zupełnie inaczej. Jak zatem sprawdzić, co radar rzeczywiście "widzi"? Służą temu pomiary RCS, prowadzone między innymi w specjalistycznych laboratoriach, które zapewniają kontrolowane i powtarzalne warunki oraz umożliwiają uzyskanie dokładności wymaganej w danym zastosowaniu.
Zapytania ofertowe
Unikalny branżowy system komunikacji B2B Znajdź produkty i usługi, których potrzebujesz Katalog ponad 7000 firm i 60 tys. produktów