Tranzystory SiC wychodzą z rynkowej niszy do mainstreamu

Czas szybko płynie i niedługo pierwsza komercyjnie dostępna dioda z węglika krzemu osiągnie pełnoletniość. Tranzystory MOSFET z SiC można kupić już od ponad dekady, niemniej dopiero od niedawna w wielu zastosowaniach stanowią one rzeczywistą alternatywę dla elementów krzemowych, mimo że nadal są droższe.

Posłuchaj
00:00

Główni gracze rynkowi w zakresie materiałów półprzewodnikowych SiC wg Yole Developpement

Yole Developpement prognozuje, że w ciągu najbliższych pięciu lat średnia stopa wzrostu dla podzespołów półprzewodnikowych z SiC wyniesie aż 29%. Innymi słowy rynek w ciągu pięciu lat czterokrotnie zwiększy obroty - z 320 mln dolarów w 2017 roku do 1,4 mld dolarów w roku 2023.

Na skok ten czekaliśmy długo głównie dlatego, że branża motoryzacyjna - a więc główny odbiorca - ostrożnie podchodzi do nowości technologicznych i zanim zostaną one zastosowane na szeroką skalę muszą przejść długotrwały proces kwalifikacji. Poza parametrami technicznymi taka aprobata obejmuje też cenę, dlatego całość procesu tak bardzo się ślimaczy - tranzystory były przez lata za drogie.

Rynek podzespołów mocy SiC w podziale na aplikacje wg Yole Developpement

Głównym odbiorcą półprzewodników SiC jest i będzie elektryczna motoryzacja, gdzie elementy te będą podstawą wydajnych ładowarek, inwerterów zasilających w takich pojazdach silniki i elementem wykonawczym w infrastrukturze ładowania. W drugiej kolejności, w kolejnych latach będzie to sektor energii odnawialnej. Yole uważa, że rok 2018 będzie punktem zwrotnym dla technologii SiC, gdyż elementy te stracą niszowy charakter i staną się podstawowym typem dla elektroniki mocy. W 2023 roku tranzystory SiC będą już stanowić 10% rynku IGBT.

Przykładowe moduły mocy SiC i ich parametry

Można też liczyć, że ceny takich tranzystorów niedługo spadną, bo rynek materiałów podłożowych z węglika krzemu jest aktualnie w fazie transformacji z krążków 4-calowych na 6-calowe i jest na nim aktywnych coraz więcej firm. Większa powierzchnia płytek poprawi też wydajność produkcji podzespołów, bo na razie przy użyciu krążków 4-calowych producenci mają za małe moce wytwórcze i nie nadążają z produkcją w stosunku do rynkowego zapotrzebowania. Warto odnotować, że firmy Cree i Infineon podpisały umowę o współpracy w zakresie prac nad materiałami podłożowymi po to, by wspólnie inwestować w potencjał wytwórczy w zakresie płytek, gdyż są to bardzo duże wydatki. Takie działania sprzyjają rozwojowi półprzewodników innych niż krzemowe i likwidują podstawowy problem z inwestycją przy braku uzasadniającego ją wysokiego wolumenu sprzedaży.

Powiązane treści
Tranzystory mocy zdrożeją w 2022 roku o 11%
ST kupuje dostawcę płytek SiC
GaN i SiC - rosnący potencjał w układach mocy
Podzespoły RF z GaN i SiC kluczowymi komponentami dla sieci 5G
W przyszłym roku rynek tranzystorów mocy powróci do wzrostu
Urządzenia konsumenckie otworzą elektronikę na GaN
Konkurencyjność cenowa zdecyduje o przyszłości rynku podzespołów z SiC i GaN
STMicroelectronics stawia na węglik krzemu
Cree zainwestuje 1 mld dolarów w fabrykę półprzewodników SiC
Tainergy rozpocznie produkcję płytek SiC
Zobacz więcej w kategorii: Gospodarka
Aktualności
Alphabet wyda na sztuczną inteligencję 185 mld dolarów
Produkcja elektroniki
Chiński gigant elektroniki mocy Sungrow zbuduje pod Wałbrzychem fabrykę falowników PV i magazynów energii za 230 mln euro
PCB
Biodegradowalne płytki PCB: szansa dla elektroniki o krótkim cyklu życia
Produkcja elektroniki
Ukazał się nowy katalog produktowy Grupy Renex
Mikrokontrolery i IoT
Texas Instruments kupuje Silicon Labs za 7,5 mld USD i wzmacnia segment bezprzewodowej łączności IoT
Komponenty
Positron pozyskuje 230 mln USD na ASIC do inferencji AI. Startup stawia na architekturę „memory-first”
Zobacz więcej z tagiem: Produkcja elektroniki
Prezentacje firmowe
Bezpieczne przechowywanie komponentów MSD? Tylko z szafami GHIBLI!
Targi zagraniczne
Embedded World Exhibition&Conference 2026
Gospodarka
Chiński gigant elektroniki mocy Sungrow zbuduje pod Wałbrzychem fabrykę falowników PV i magazynów energii za 230 mln euro

Projektowanie układów chłodzenia w elektronice - metody obliczeniowe i symulacyjne

Rosnące straty mocy w nowoczesnych układach elektronicznych sprawiają, że zarządzanie temperaturą przestaje być jedynie zagadnieniem pomocniczym, a staje się jednym z kluczowych elementów procesu projektowego. Od poprawnego odprowadzania ciepła zależy nie tylko spełnienie dopuszczalnych warunków pracy komponentów, lecz także długoterminowa niezawodność urządzenia, jego trwałość oraz zgodność z obowiązującymi normami. W niniejszym artykule przedstawiono uporządkowane podejście do projektowania układów chłodzenia, obejmujące metody obliczania strat mocy, analizę termiczną oraz wykorzystanie narzędzi symulacyjnych, w tym modeli cieplnych implementowanych w środowiskach symulacji elektrycznych.
Zapytania ofertowe
Unikalny branżowy system komunikacji B2B Znajdź produkty i usługi, których potrzebujesz Katalog ponad 7000 firm i 60 tys. produktów