Tranzystory SiC wychodzą z rynkowej niszy do mainstreamu

Czas szybko płynie i niedługo pierwsza komercyjnie dostępna dioda z węglika krzemu osiągnie pełnoletniość. Tranzystory MOSFET z SiC można kupić już od ponad dekady, niemniej dopiero od niedawna w wielu zastosowaniach stanowią one rzeczywistą alternatywę dla elementów krzemowych, mimo że nadal są droższe.

Dodaj do ulubionych źródeł w Google
Posłuchaj
00:00

Główni gracze rynkowi w zakresie materiałów półprzewodnikowych SiC wg Yole Developpement

Yole Developpement prognozuje, że w ciągu najbliższych pięciu lat średnia stopa wzrostu dla podzespołów półprzewodnikowych z SiC wyniesie aż 29%. Innymi słowy rynek w ciągu pięciu lat czterokrotnie zwiększy obroty - z 320 mln dolarów w 2017 roku do 1,4 mld dolarów w roku 2023.

Na skok ten czekaliśmy długo głównie dlatego, że branża motoryzacyjna - a więc główny odbiorca - ostrożnie podchodzi do nowości technologicznych i zanim zostaną one zastosowane na szeroką skalę muszą przejść długotrwały proces kwalifikacji. Poza parametrami technicznymi taka aprobata obejmuje też cenę, dlatego całość procesu tak bardzo się ślimaczy - tranzystory były przez lata za drogie.

Rynek podzespołów mocy SiC w podziale na aplikacje wg Yole Developpement

Głównym odbiorcą półprzewodników SiC jest i będzie elektryczna motoryzacja, gdzie elementy te będą podstawą wydajnych ładowarek, inwerterów zasilających w takich pojazdach silniki i elementem wykonawczym w infrastrukturze ładowania. W drugiej kolejności, w kolejnych latach będzie to sektor energii odnawialnej. Yole uważa, że rok 2018 będzie punktem zwrotnym dla technologii SiC, gdyż elementy te stracą niszowy charakter i staną się podstawowym typem dla elektroniki mocy. W 2023 roku tranzystory SiC będą już stanowić 10% rynku IGBT.

Przykładowe moduły mocy SiC i ich parametry

Można też liczyć, że ceny takich tranzystorów niedługo spadną, bo rynek materiałów podłożowych z węglika krzemu jest aktualnie w fazie transformacji z krążków 4-calowych na 6-calowe i jest na nim aktywnych coraz więcej firm. Większa powierzchnia płytek poprawi też wydajność produkcji podzespołów, bo na razie przy użyciu krążków 4-calowych producenci mają za małe moce wytwórcze i nie nadążają z produkcją w stosunku do rynkowego zapotrzebowania. Warto odnotować, że firmy Cree i Infineon podpisały umowę o współpracy w zakresie prac nad materiałami podłożowymi po to, by wspólnie inwestować w potencjał wytwórczy w zakresie płytek, gdyż są to bardzo duże wydatki. Takie działania sprzyjają rozwojowi półprzewodników innych niż krzemowe i likwidują podstawowy problem z inwestycją przy braku uzasadniającego ją wysokiego wolumenu sprzedaży.

Chcesz częściej widzieć nasze artykuły w Google? Dodaj ElektronikaB2B do ulubionych źródeł
Powiązane treści
Tranzystory mocy zdrożeją w 2022 roku o 11%
ST kupuje dostawcę płytek SiC
GaN i SiC - rosnący potencjał w układach mocy
Podzespoły RF z GaN i SiC kluczowymi komponentami dla sieci 5G
W przyszłym roku rynek tranzystorów mocy powróci do wzrostu
Urządzenia konsumenckie otworzą elektronikę na GaN
Konkurencyjność cenowa zdecyduje o przyszłości rynku podzespołów z SiC i GaN
STMicroelectronics stawia na węglik krzemu
Cree zainwestuje 1 mld dolarów w fabrykę półprzewodników SiC
Tainergy rozpocznie produkcję płytek SiC
Zobacz więcej w kategorii: Gospodarka
Komunikacja
HAPS-y staną się ratunkiem dla zatłoczonej orbity?
Produkcja elektroniki
Scanfil rozbuduje zakład w Mysłowicach o 6 tys. m²
Komponenty
Altera przygotowuje się do IPO. Może pozyskać ponad 2 mld dolarów
Projektowanie i badania
Unia chce własnej infrastruktury AI
Produkcja elektroniki
Samsung i ASML rozszerzają współpracę w technologii High NA EUV
Komponenty
Qualcomm i Amazon zawierają umowę na dostawy chipów AI za nawet 60 mld dolarów
Zobacz więcej z tagiem: Produkcja elektroniki
Gospodarka
Scanfil rozbuduje zakład w Mysłowicach o 6 tys. m²
Szkolenie
Praktyka i teoria łączenia drutowego - szkolenie inżynierskie z technologii wire bonding
Szkolenie
Warsztaty z mikropołączeń cienkodrutowych

Kompatybilność elektromagnetyczna

Historia EMC (electromagnetic compatibility) zaczyna się od potrzeby opanowania problemu: co zrobić, gdy jedno urządzenie zaczyna zakłócać pracę drugiego. Miała swój początek wraz z pojawianiem się coraz większej liczby urządzeń elektrycznych wykonujących bardziej złożone zadania. Początkowo problem ten miał charakter niemal przypadkowy, a przybrał rolę istotnego wyzwania technicznego wymagającego systematycznego podejścia. Aktualnie jest to obowiązkowy punkt w produkcji urządzeń elektrycznych oraz elektronicznych.
Zapytania ofertowe
Unikalny branżowy system komunikacji B2B Znajdź produkty i usługi, których potrzebujesz Katalog ponad 7000 firm i 60 tys. produktów