Podzespoły RF z GaN i SiC kluczowymi komponentami dla sieci 5G
| Gospodarka KomponentyNadciągająca szybkimi krokami technologia komunikacji w sieciach komórkowych piątej generacji 5G, ale także systemy autonomicznego transportu drogowego oraz aplikacje wirtualnej i poszerzonej rzeczywistości, będą źródłem zapotrzebowania na nowoczesne przyrządy półprzewodnikowe z azotku galu i węglika krzemu, przeznaczone do pracy w zakresie wysokich częstotliwości.
Nowa sieć radiowa będzie wymagać większej liczby urządzeń i wyższych częstotliwości, dlatego dostawcy chipów stoją przed ogromną szansą. Całkowite obroty w tym segmencie rynku mogą wzrosnąć o 75% w latach 2016-2022 - od 1,5 mld dolarów do 2,5 mld, a średni wzrost ma szansę wynieść w tym okresie 9,8%.
Najnowsze rozwiązania z tego zakresu, które w ostatnich miesiącach pojawiły się w ofertach czołowych graczy jak Cree lub Infineon, to tak naprawdę wierzchołek góry lodowej. Wydarzeniem ostatnich tygodni jest zapowiedź istotnego wzmocnienia przez Cree potencjału spółki zależnej Wolfspeed. Firma ta powstała w 2015 roku poprzez wydzielenie z Cree części biznesu związanego z półprzewodnikami SiC (power) i GaN (RF). W 2016 roku firma Cree wstępnie zgodziła się sprzedać Wolfspeed Infineonowi za 850 mln dolarów, ale transakcję zablokowały władze USA w roku 2017. Skoro sprzedaż nie wypaliła, Cree postanowił inwestować w rozwój tej firmy, gdyż na razie biznes ten ma "małą" skalę - obroty Wolfspeeda w 2017 roku wyniosły 221 mln dolarów.
Co więcej, Cree w marcu ogłosił, że kupi aktywa biznesowe Infineona związane z podzespołami RF Power za 345 mln euro, w tym m.in. zakład pakowania i testowania LDMOS i GaN-on-SiC w USA, przejmie kadrę 260 pracowników w USA, Finlandii, Szwecji, Chinach i Korei Płd. Dzięki tej transakcji firma Wolfspeed zdobyła kompetencje w zakresie zamykania struktur i uzyskała dostęp do długotrwałych strategicznych relacji z głównymi producentami urządzeń infrastruktury bezprzewodowej, takimi jak Ericsson i Nokia.
Poza tym rynek półprzewodników mocy z SiC jest bardzo ważny zarówno dla Cree, jak i Infineona. Dlatego obie firmy podpisały długoterminową umowę, aby Infineon miał dostęp do 6-calowych płytek podłożowych SiC wytwarzanych przez Cree dla zapewnienia odpowiedniego potencjału produkcyjnego tym razem w zakresie półprzewodników mocy, które Infineon chce produkować na potrzeby elektrycznej motoryzacji.
 |
 |
| Trendy i zjawiska w zakresie stacji bazowych telefonii komórkowej w latach 2017-2023 | Rynek półprzewodników w.cz. GaN w podziale na aplikacje |
