Nadciągająca szybkimi krokami technologia komunikacji w sieciach komórkowych piątej generacji 5G, ale także systemy autonomicznego transportu drogowego oraz aplikacje wirtualnej i poszerzonej rzeczywistości, będą źródłem zapotrzebowania na nowoczesne przyrządy półprzewodnikowe z azotku galu i węglika krzemu, przeznaczone do pracy w zakresie wysokich częstotliwości.
Nowa sieć radiowa będzie wymagać większej liczby urządzeń i wyższych częstotliwości, dlatego dostawcy chipów stoją przed ogromną szansą. Całkowite obroty w tym segmencie rynku mogą wzrosnąć o 75% w latach 2016-2022 - od 1,5 mld dolarów do 2,5 mld, a średni wzrost ma szansę wynieść w tym okresie 9,8%.
Najnowsze rozwiązania z tego zakresu, które w ostatnich miesiącach pojawiły się w ofertach czołowych graczy jak Cree lub Infineon, to tak naprawdę wierzchołek góry lodowej. Wydarzeniem ostatnich tygodni jest zapowiedź istotnego wzmocnienia przez Cree potencjału spółki zależnej Wolfspeed. Firma ta powstała w 2015 roku poprzez wydzielenie z Cree części biznesu związanego z półprzewodnikami SiC (power) i GaN (RF). W 2016 roku firma Cree wstępnie zgodziła się sprzedać Wolfspeed Infineonowi za 850 mln dolarów, ale transakcję zablokowały władze USA w roku 2017. Skoro sprzedaż nie wypaliła, Cree postanowił inwestować w rozwój tej firmy, gdyż na razie biznes ten ma "małą" skalę - obroty Wolfspeeda w 2017 roku wyniosły 221 mln dolarów.
Co więcej, Cree w marcu ogłosił, że kupi aktywa biznesowe Infineona związane z podzespołami RF Power za 345 mln euro, w tym m.in. zakład pakowania i testowania LDMOS i GaN-on-SiC w USA, przejmie kadrę 260 pracowników w USA, Finlandii, Szwecji, Chinach i Korei Płd. Dzięki tej transakcji firma Wolfspeed zdobyła kompetencje w zakresie zamykania struktur i uzyskała dostęp do długotrwałych strategicznych relacji z głównymi producentami urządzeń infrastruktury bezprzewodowej, takimi jak Ericsson i Nokia.
Poza tym rynek półprzewodników mocy z SiC jest bardzo ważny zarówno dla Cree, jak i Infineona. Dlatego obie firmy podpisały długoterminową umowę, aby Infineon miał dostęp do 6-calowych płytek podłożowych SiC wytwarzanych przez Cree dla zapewnienia odpowiedniego potencjału produkcyjnego tym razem w zakresie półprzewodników mocy, które Infineon chce produkować na potrzeby elektrycznej motoryzacji.
» Nadchodzi eksplozja zastosowań układów mocy z azotku galu
» Za 430 mln dolarów Cree kupuje od Infineona biznes RF Power
» Konkurencyjność cenowa zdecyduje o przyszłości rynku podzespołów z SiC i GaN
» PEM równy 7 V/m może być przeszkodą dla sieci 5G
» Rohde & Schwarz utworzy w Chinach laboratorium 5G
» Ericsson zademonstrował w Krakowie technologię 5G
» Chiny planują skomercjalizować 5G już w 2018 roku
» Sieci 5G napędzą rynek na półprzewodniki w.cz.
According to DRAMeXchange China has entered the semiconductor sector and focused on the development of domestic memory industry. The three key players are YMTC, Innotron and JHICC, which work on NAND Flash, mobile DRAM and specialty DRAM respectively. All three companies have arranged trial production to begin in 2H18 and mass production to begin in 1H19. This will make 2019 the first year of China’s domestic memory chip production. As for the schedules of the three suppliers, the construction of Innotron’s fab was completed in June 2017 and the equipment installation took place during 3Q17. For now, Innotron and JHICC have both postponed trial production to 3Q18 and tentatively arrange mass production to take place in 1H19, falling behind their announced schedule.
więcej na: en.ctimes.com.tw
