Cree zainwestuje 1 mld dolarów w fabrykę półprzewodników SiC

Firma Cree zadeklarowała, że zainwestuje do 1 miliarda dolarów w zwiększenie swoich możliwości produkcyjnych w zakresie półprzewodników SiC. Zapowiedź będzie realizowana poprzez budowę najnowocześniejszego, zautomatyzowanego zakładu produkcji 200-milimetrowych płytek z węglika krzemu i megafabryki materiałowej na terenie głównego amerykańskiego kampusu w Durham, w Karolinie Północnej.

Posłuchaj
00:00

To największa dotychczasowa inwestycja firmy w półprzewodnikowy biznes SiC i GaN, prowadzony przez spółkę zależną Wolfspeed. Wszystkie zaplanowane obiekty mają być gotowe do prowadzenia działalności w 2024 r.

Poprzez rozbudowę istniejącej infrastruktury realizacja inwestycji zwiększy wydajność, wiodącej w dziedzinie węglika krzemu, firmy Wolfspeed, co stanowić będzie pierwszy krok w kierunku zaspokojenia rynkowego popytu. Działalność nowego obiektu North Fab ma być w pełni skoncentrowana na branży motoryzacyjnej i zapewni prawie 18 razy więcej powierzchni do produkcji niż obecnie, startując od wytwarzania płytek o średnicy 150 mm. Zakład w Durham stanie się megafabryką materiałową.

- Cały czas obserwujemy duże zainteresowanie sektora motoryzacyjnego i komunikacyjnego wykorzystaniem zalet węglika krzemu do napędzania innowacji. Jednak zapotrzebowanie na węglik krzemu od dawna przewyższa podaż. Dzisiaj ogłaszamy naszą największą w historii inwestycję w produkcję, by radykalnie tę podaż zwiększyć i pomóc klientom wprowadzać na rynek produkty i usługi o charakterze transformacyjnym. Ta inwestycja w sprzęt, infrastrukturę i naszą siłę roboczą jest w stanie zwiększyć naszą zdolność produkcji płytek z węglika krzemu i produkcję materiałową nawet 30-krotnie w porównaniu z I kwartałem roku 2017, kiedy to rozpoczęliśmy pierwszą fazę rozbudowy zdolności wytwórczych. Wierzymy, że pozwoli nam to osiągnąć oczekiwany wzrost zamówień na węglik krzemu i produkty Wolfspeed w ciągu najbliższych pięciu lat, a także później - powiedział Gregg Lowe, CEO Cree.

Rozbudowa kampusu stworzy również nowe możliwości zatrudnienia w zakresie zaawansowanych technologii i posłuży jako baza rozwoju wysoko wykwalifikowanych pracowników produkcyjnych. Firma Cree planuje nawiązać współpracę ze stanową i lokalną społecznością oraz czteroletnimi koledżami w celu opracowania programów szkoleniowych przygotowujących pracowników do długoterminowego zatrudnienia i dalszego rozwoju, czego wykorzystanie zagwarantują nowe obiekty.

Źródło: Electronics Weekly

Powiązane treści
Czy rynek półprzewodników potwierdzi obserwowaną od narodzin cykliczność zachowań?
Cree sprzedaje biznes oświetleniowy
Za 430 mln dolarów Cree kupuje od Infineona biznes RF Power
Gregg Lowe obejmuje stanowisko CEO firmy Cree
ST kupuje dostawcę płytek SiC
Tainergy rozpocznie produkcję płytek SiC
Rynki półprzewodników mocy GaN i SiC przekroczą 1 mld dolarów
Tranzystory SiC wychodzą z rynkowej niszy do mainstreamu
GaN i SiC - rosnący potencjał w układach mocy
Podzespoły RF z GaN i SiC kluczowymi komponentami dla sieci 5G
W ciągu 10 minionych lat zamknięto lub przeorganizowano blisko 100 fabryk płytek półprzewodnikowych
Urządzenia konsumenckie otworzą elektronikę na GaN
Zobacz więcej w kategorii: Gospodarka
Komunikacja
5G na rzecz obronności: Ericsson i Wojskowa Akademia Techniczna łączą siły
Komponenty
Samsung i SK Hynix zainwestują 518 miliardów dolarów w nowe centrum produkcji chipów
Komunikacja
AI w chmurze a prywatność. Czy sztuczna inteligencja nas obserwuje?
Optoelektronika
Sztuczna inteligencja redefiniuje rynek transceiverów optycznych - 112 mld dolarów w 2031 roku
Produkcja elektroniki
Onsemi zredukuje zatrudnienie w czeskiej fabryce SiC
Pomiary
Systemy ALPR: Znacznie więcej niż odczyty tablic rejestracyjnych i fotoradary
Zobacz więcej z tagiem: Produkcja elektroniki
Gospodarka
Onsemi zredukuje zatrudnienie w czeskiej fabryce SiC
Wywiady
Chemia i materiały do produkcji: miniwywiad - Eryk Wójcicki, BLeletronik
Wywiady
Chemia i materiały do produkcji: miniwywiad - Barbara Ligenza, właścicielka firmy BLelektronik

Mikrokontrolery PIC32CM PL10 - wydajność 32-bitowego rdzenia Arm Cortex-M0+ i odporność na zakłócenia w projektach 5 V

Firma Microchip Technology prezentuje nową rodzinę mikrokontrolerów (MCU) PIC32CM PL10, która wprowadza wydajność 32-bitowych rdzeni Arm® Cortex®-M0+ do systemów zasilanych napięciem 5 V. Dzięki zgodności wyprowadzeń z 8-bitowymi rodzinami układów AVR® Dx, nowa seria stanowi doskonałą propozycję dla inżynierów poszukujących łatwej ścieżki migracji z architektury 8-bitowej na 32-bitową, pozbawionej konieczności poważnego przebudowywania układów zasilania na płycie czy uczenia się od nowa obsługi układów peryferyjnych.
Zapytania ofertowe
Unikalny branżowy system komunikacji B2B Znajdź produkty i usługi, których potrzebujesz Katalog ponad 7000 firm i 60 tys. produktów