Cree zainwestuje 1 mld dolarów w fabrykę półprzewodników SiC

Firma Cree zadeklarowała, że zainwestuje do 1 miliarda dolarów w zwiększenie swoich możliwości produkcyjnych w zakresie półprzewodników SiC. Zapowiedź będzie realizowana poprzez budowę najnowocześniejszego, zautomatyzowanego zakładu produkcji 200-milimetrowych płytek z węglika krzemu i megafabryki materiałowej na terenie głównego amerykańskiego kampusu w Durham, w Karolinie Północnej.

Dodaj do ulubionych źródeł w Google
Posłuchaj
00:00

To największa dotychczasowa inwestycja firmy w półprzewodnikowy biznes SiC i GaN, prowadzony przez spółkę zależną Wolfspeed. Wszystkie zaplanowane obiekty mają być gotowe do prowadzenia działalności w 2024 r.

Poprzez rozbudowę istniejącej infrastruktury realizacja inwestycji zwiększy wydajność, wiodącej w dziedzinie węglika krzemu, firmy Wolfspeed, co stanowić będzie pierwszy krok w kierunku zaspokojenia rynkowego popytu. Działalność nowego obiektu North Fab ma być w pełni skoncentrowana na branży motoryzacyjnej i zapewni prawie 18 razy więcej powierzchni do produkcji niż obecnie, startując od wytwarzania płytek o średnicy 150 mm. Zakład w Durham stanie się megafabryką materiałową.

- Cały czas obserwujemy duże zainteresowanie sektora motoryzacyjnego i komunikacyjnego wykorzystaniem zalet węglika krzemu do napędzania innowacji. Jednak zapotrzebowanie na węglik krzemu od dawna przewyższa podaż. Dzisiaj ogłaszamy naszą największą w historii inwestycję w produkcję, by radykalnie tę podaż zwiększyć i pomóc klientom wprowadzać na rynek produkty i usługi o charakterze transformacyjnym. Ta inwestycja w sprzęt, infrastrukturę i naszą siłę roboczą jest w stanie zwiększyć naszą zdolność produkcji płytek z węglika krzemu i produkcję materiałową nawet 30-krotnie w porównaniu z I kwartałem roku 2017, kiedy to rozpoczęliśmy pierwszą fazę rozbudowy zdolności wytwórczych. Wierzymy, że pozwoli nam to osiągnąć oczekiwany wzrost zamówień na węglik krzemu i produkty Wolfspeed w ciągu najbliższych pięciu lat, a także później - powiedział Gregg Lowe, CEO Cree.

Rozbudowa kampusu stworzy również nowe możliwości zatrudnienia w zakresie zaawansowanych technologii i posłuży jako baza rozwoju wysoko wykwalifikowanych pracowników produkcyjnych. Firma Cree planuje nawiązać współpracę ze stanową i lokalną społecznością oraz czteroletnimi koledżami w celu opracowania programów szkoleniowych przygotowujących pracowników do długoterminowego zatrudnienia i dalszego rozwoju, czego wykorzystanie zagwarantują nowe obiekty.

Źródło: Electronics Weekly

Chcesz częściej widzieć nasze artykuły w Google? Dodaj ElektronikaB2B do ulubionych źródeł
Powiązane treści
Czy rynek półprzewodników potwierdzi obserwowaną od narodzin cykliczność zachowań?
Cree sprzedaje biznes oświetleniowy
Za 430 mln dolarów Cree kupuje od Infineona biznes RF Power
Gregg Lowe obejmuje stanowisko CEO firmy Cree
ST kupuje dostawcę płytek SiC
Tainergy rozpocznie produkcję płytek SiC
Rynki półprzewodników mocy GaN i SiC przekroczą 1 mld dolarów
Tranzystory SiC wychodzą z rynkowej niszy do mainstreamu
GaN i SiC - rosnący potencjał w układach mocy
Podzespoły RF z GaN i SiC kluczowymi komponentami dla sieci 5G
W ciągu 10 minionych lat zamknięto lub przeorganizowano blisko 100 fabryk płytek półprzewodnikowych
Urządzenia konsumenckie otworzą elektronikę na GaN
Zobacz więcej w kategorii: Gospodarka
Projektowanie i badania
Społeczność element14 Community zaprasza inżynierów do bezpłatnego przetestowania nowego komputera jednopłytkowego Arduino VENTUNO Q
Produkcja elektroniki
Foxconn finalizuje rozmowy o fabryce półprzewodników w Polsce
Komponenty
Winbond przejmie biznes pamięci NOR Flash i F-RAM od Infineona za 1,12 mld dolarów
Elektromechanika
Czy ultradźwiękowe głośniki MEMS zmienią rynek audio?
Produkcja elektroniki
ESMC kończy budowę konstrukcji fabryki półprzewodników w Dreźnie
PCB
Drożeją materiały do produkcji PCB – rynek pod presją rosnącego zapotrzebowania na infrastrukturę AI
Zobacz więcej z tagiem: Produkcja elektroniki
Gospodarka
Foxconn finalizuje rozmowy o fabryce półprzewodników w Polsce
Gospodarka
ESMC kończy budowę konstrukcji fabryki półprzewodników w Dreźnie
Gospodarka
UE rozszerza kontrolę eksportu technologii podwójnego zastosowania

Kompatybilność elektromagnetyczna

Historia EMC (electromagnetic compatibility) zaczyna się od potrzeby opanowania problemu: co zrobić, gdy jedno urządzenie zaczyna zakłócać pracę drugiego. Miała swój początek wraz z pojawianiem się coraz większej liczby urządzeń elektrycznych wykonujących bardziej złożone zadania. Początkowo problem ten miał charakter niemal przypadkowy, a przybrał rolę istotnego wyzwania technicznego wymagającego systematycznego podejścia. Aktualnie jest to obowiązkowy punkt w produkcji urządzeń elektrycznych oraz elektronicznych.
Zapytania ofertowe
Unikalny branżowy system komunikacji B2B Znajdź produkty i usługi, których potrzebujesz Katalog ponad 7000 firm i 60 tys. produktów