TSMC zakupiło już tereny w Hsinchu, aby rozbudować swoje centrum badawczo-rozwojowe - potwierdził YP Chin, starszy wiceprezes tajwańskiej firmy. Litografia 2 nm będzie rozwijana na bazie technologii GAA (gate-all-around), a nie na FinFET, wykorzystywanej w fabryce działającej w procesie 3 nm.
Główny konkurent TSMC - Samsung - także ogłosił plany wykorzystania technologii GAA w swoim procesie 3 nm do 2022 roku. Obecność rywala przyczyni się do szybszego wdrażania nowych rozwiązań i utrzymania stosunkowo niskich kosztów produkcji dla dostawców smartfonów.
Źródło: GSMArena.com
Chcesz częściej widzieć nasze artykuły w Google?
Dodaj ElektronikaB2B do ulubionych źródeł
