Czwarta generacja 10-nanometrowego procesu technologicznego "1a-nm" opracowanego przez SK Hynix zostanie pierwszy raz zastosowana przy produkcji pamięci DRAM EUV. Zakład M16 o powierzchni 57 tys. m² został umiejscowiony w Icheon, gdzie znajduje się siedziba SK Hynix. Fima rozpoczęła budowę tej fabryki w listopadzie 2018 roku.
Pierwszym dostawcą pamięci DRAM, który do ich produkcji zastosował proces EUV był Samsung Electronics. Koncern wcześniej ogłosił plany wdrożenia tej technologii do produkcji chipów DRAM w procesie 10 lub 14 nm. Samsung zamierza w tym roku uruchomić masową produkcję pamięci DRAM opartych o ten proces i specyfikację LPDDR5.
Źródło: Digitimes
Chcesz częściej widzieć nasze artykuły w Google?
Dodaj ElektronikaB2B do ulubionych źródeł
