SK Hynix opracowuje 238-warstwową pamięć flash 4D NAND
| Gospodarka Produkcja elektronikiSK Hynix poinformował o prowadzeniu prac rozwojowych w zakresie 238-warstwowej pamięci flash 4D NAND, przy czym dostawy 512 Gb próbek chipów TLC (Triple Level Cell) już się rozpoczynają. Firma planuje uruchomić masową produkcję tych chipów w pierwszej połowie 2023 roku.
Nowy produkt NAND firmy SK Hynix, osiągając 238 warstw, jest rozmiarowo najmniejszym chipem NAND. Jak twierdzi firma, jego ogólna wydajność wzrosła o 34% w porównaniu z chipem 176-warstwowym. Szybkość przesyłania danych w tym produkcie wynosi 2,4 Gb na sekundę, co stanowi 50% wzrost w porównaniu z poprzednią generacją.
Nowa, 238-warstwowa pamięć flash NAND 512 Gb TLC 4D NAND firmy SK Hynix zostanie najpierw zastosowana w dyskach SSD, które są używane jako urządzenia pamięci masowej komputerów PC. W kolejnym etapie będzie adaptowana do smartfonów i serwerowych dysków SSD o dużej pojemności. W przyszłym roku firma planuje również wprowadzić 238-warstwowe produkty o pojemności jednego terabita (Tb).
SK Hynix zaprezentował swoją 238-warstwową pamięć flash 512 Gb TLC 4D NAND na targach Flash Memory Summit 2022 w Santa Clara. Z kolei Kioxia pokazała podczas tej imprezy swoją drugą generację XL-Flash - rozwiązania pamięci masowej (SCM) opartego na technologii pamięci BiCS Flash 3D. Nowy chip XL-Flash będzie miał pojemność pamięci 256 gigabitów. Dostawy próbek mają się rozpocząć w listopadzie 2022 roku.
źródło: DigiTimes
