Produkcja elektronikiPCBKomponentyZasilanieElektromechanikaKomunikacja Mikrokontrolery i IoTOptoelektronikaPomiaryProjektowanie i badania
RynekFirmyProduktyGospodarkaRaportyWywiadyTechnikaOpiniePuls branżyKalendariumMagazynDla firm
Produkty
Kategorie
Produkcja elektroniki
Usługi CEM/EMS Obwody drukowane Obudowy dla urządzeń Urządzenia i wyposażenie produkcji Materiały do produkcji Narzędzia ręczne Oprogramowanie projektowe Laboratoria pomiarowe i badawcze Biura inżynierskie Usługi
Automatyka przemysłowa
Automatyzacja procesów Komponenty automatyki
Aparatura pomiarowa
Aparatura elektroniczna Aparatura energetyczna Mierniki wielkości nieelektrycznych Systemy pomiarowe Sprzęt i usługi kalibracji
Podzespoły elektroniczne
Podzespoły półprzewodnikowe Podzespoły energoelektroniczne Podzespoły elektromechaniczne Elementy optoelektroniczne Podzespoły pasywne Moduły elektroniczne OEM Źródła zasilania Oświetlenie LED
Przeglądaj kategorie
Złóż zapytanie ofertowe
Zobacz katalog firm

Katalog produktów

Monolityczny 14-kanałowy system DAQ do monitorowania napięcia, prądu i temperatury akumulatorów Monolityczny 14-kanałowy system DAQ do monitorowania napięcia, prądu i temperatury akumulatorów
Czujniki różnicy ciśnień z obsługą do 7 zakresów pomiarowych konfigurowanych przez użytkownika Czujniki różnicy ciśnień z obsługą do 7 zakresów pomiarowych konfigurowanych przez użytkownika
650-woltowe tranzystory MOSFET SiC o dużej niezawodności i gęstości mocy 650-woltowe tranzystory MOSFET SiC o dużej niezawodności i gęstości mocy
Układ dopasowujący i zabezpieczający do odbiorników GNSS Układ dopasowujący i zabezpieczający do odbiorników GNSS
Materiały dla elektroniki Semicon Sp. z o.o. Materiały dla elektroniki
Usługi montażu płytek i urządzeń elektronicznych Semicon Sp. z o.o. Usługi montażu płytek i urządzeń elektronicznych
Narzędzie online do wyboru ograniczników prądu rozruchowego PTC Narzędzie online do wyboru ograniczników prądu rozruchowego PTC
Przetworniki ultradźwiękowe na zakres częstotliwości 23...40 kHz Przetworniki ultradźwiękowe na zakres częstotliwości 23...40 kHz
Dwubiegunowe matryce przełączające PXI/PXIe o paśmie 70 MHz w konfiguracjach 16 x 8 i 32 x 8 Dwubiegunowe matryce przełączające PXI/PXIe o paśmie 70 MHz w konfiguracjach 16 x 8 i 32 x 8
Kondensatory elektrolityczne aluminiowe o dużej odporności na impulsy prądowe Kondensatory elektrolityczne aluminiowe o dużej odporności na impulsy prądowe
Laser IR o wymiarach 3,5 x 3,5 x 1,8 mm do systemów przestrzennej identyfikacji obiektów Laser IR o wymiarach 3,5 x 3,5 x 1,8 mm do systemów przestrzennej identyfikacji obiektów
Szybka fotodioda PIN na zakres 350...1100 nm w obudowie o wymiarach 4,8 x 2,5 x 0,48 mm Szybka fotodioda PIN na zakres 350...1100 nm w obudowie o wymiarach 4,8 x 2,5 x 0,48 mm
4-calowe wyświetlacze LCD IPS z pojemnościowymi panelami dotykowymi 4-calowe wyświetlacze LCD IPS z pojemnościowymi panelami dotykowymi
Sterowniki silników 3-fazowych o zmiennej prędkości obrotowej Sterowniki silników 3-fazowych o zmiennej prędkości obrotowej
Wielowarstwowe ferrytowe cewki indukcyjne SMD do zastosowań w filtrach obwodów NFC Wielowarstwowe ferrytowe cewki indukcyjne SMD do zastosowań w filtrach obwodów NFC
Nowe kable Harwin Datamate dużej niezawodności o rozstawie wyprowadzeń 2,00 mm Nowe kable Harwin Datamate dużej niezawodności o rozstawie wyprowadzeń 2,00 mm
Wzmacniacze pomiarowe do monitorowania natężenia prądu w środowiskach wysokotemperaturowych Wzmacniacze pomiarowe do monitorowania natężenia prądu w środowiskach wysokotemperaturowych
Termistor NTC z wyprowadzeniami NiFe do pracy w zakresie temperatury otoczenia do +185°C Termistor NTC z wyprowadzeniami NiFe do pracy w zakresie temperatury otoczenia do +185°C
Zestaw rozszerzający z płytką ewaluacyjną do współpracy z wyświetlaczami e-paper iTC Zestaw rozszerzający z płytką ewaluacyjną do współpracy z wyświetlaczami e-paper iTC
Czujniki natężenia światła o wymiarach 2,0 x 1,0 x 0,5 mm Czujniki natężenia światła o wymiarach 2,0 x 1,0 x 0,5 mm
Tranzystory p-MOSFET 5. generacji o napięciu przebicia -40/-60 V i małej rezystancji RDS(on) Tranzystory p-MOSFET 5. generacji o napięciu przebicia -40/-60 V i małej rezystancji RDS(on)