NXP i Globalfoundries wyprodukują wbudowaną pamięć nieulotną w technologii 40 nm

| Gospodarka

Firmy Globalfoundries oraz NXP Semiconductor NV ogłosiły, że wspólnie opracowały nową generację wbudowanych pamięci nieulotnych - eNVM. Współpraca zaowocowała produkcją prototypowych płytek o średnicy 300 mm, wykonanych przy użyciu 40-nanometrowego procesu technologicznego Globalfoundries. Firma Globalfoundries jako pierwsza rozwija i wdraża proces 40 nm dla układów eNMV. Przewiduje się, że rozpoczęcie masowej produkcji nastąpi w 2016 roku, w zakładzie w Singapurze.

NXP i Globalfoundries wyprodukują wbudowaną pamięć nieulotną w technologii 40 nm

Zakład produkcyjny Globalfoundries w Singapurze jest certyfikowany przez Niemiecki Federalny Urząd ds Bezpieczeństwa Informacji (BSI) w zakresie wytwarzania bezpiecznych produktów IC. W 2012 roku otrzymał certyfikat Common Criteria ISO 15408-EAL 6, który odnowił w roku 2014.

źródło: Globalfoundries

Zobacz również