NXP i Globalfoundries wyprodukują wbudowaną pamięć nieulotną w technologii 40 nm

Firmy Globalfoundries oraz NXP Semiconductor NV ogłosiły, że wspólnie opracowały nową generację wbudowanych pamięci nieulotnych - eNVM. Współpraca zaowocowała produkcją prototypowych płytek o średnicy 300 mm, wykonanych przy użyciu 40-nanometrowego procesu technologicznego Globalfoundries. Firma Globalfoundries jako pierwsza rozwija i wdraża proces 40 nm dla układów eNMV. Przewiduje się, że rozpoczęcie masowej produkcji nastąpi w 2016 roku, w zakładzie w Singapurze.