W listopadzie General Electric przejął dwa start-upy technologiczne, aby rozwijać wykorzystanie sztucznej inteligencji, co ma pomóc firmie rywalizować z takimi projektami, jak Watson firmy IBM. Watson to superkomputer o 2880 rdzeniach i pamięci operacyjnej 15 TB, zdolny do pracy w oparciu o połączenia algorytmów, dzięki czemu m.in. samodzielnie wyszukuje informacje, wyprowadza wnioski i ma zdolność samouczenia.
Przejęcie firm Bit Stew Systems oraz Wise.io ma umożliwić GE rozwój platformy Predix i jej zastosowanie na dużą skalę przy połączonych przez internet urządzeniach i maszynach oraz związanym z nimi automatycznym przetwarzaniu danych. Przykładem może być połączenie instalacji i maszyn, takich jak elektrownie czy silniki samolotowe z bazami danych i oprogramowaniem analitycznym.
Wise.io posiada zaawansowaną technologię uczenia maszynowego rozwijaną z myślą o branży przemysłowej. Uczenie maszynowe pozwala komputerom pozyskiwać i przyswajać nowe dane bez dodatkowego programowania. Bit Stew, częściowo wspierany przez IBM kapitałem wysokiego ryzyka, wiąże uczenie maszynowe z dużymi zbiorami danych związanymi z zakładami użyteczności publicznej, lotnictwem, producentami ropy i gazu oraz ogólnie przemysłem wytwórczym.
źródło: Reuters
» General Electric zwiększa moce w Bielsku-Białej
» ABB i IBM będą współpracować nad sztuczną inteligencją w przemyśle
» Rośnie liczba fuzji i przejęć w sektorze AI
» IBM i MIT tworzą laboratorium badań nad sztuczną inteligencją
» Samsung utworzył w Kanadzie laboratorium sztucznej inteligencji
» Google uruchamia w Chinach centrum badań nad sztuczną inteligencją
» Chińskie firmy robią postępy w rozwoju chipów AI
» Unia Europejska zainwestuje 1,5 miliarda euro w sztuczną inteligencję
» Sztuczna inteligencja w magazynach
imec presented considerable progress in enabling germanium nanowire pFET devices as a practical solution to extend scaling beyond the 5nm node. In a first paper, the research center unveiled an in-depth study of the electrical properties of strained germanium nanowire pFETs. A second paper presents the first demonstration of vertically-stacked gate-all-around highly-strained germanium nanowire pFETs. “With a number of scaling boosters, the industry will be able to extend FinFET technology to the 7- or even 5nm node,” says An Steegen, EVP at imec’s Semiconductor Technology and Systems division.
więcej na: www.imec-int.com
