Chiński rynek półprzewodników mocy jest stosunkowo niewrażliwy na wojnę handlową USA-Chiny ze względu na silny popyt lokalny z sektorów EV i kontroli przemysłowej, który generuje wzrost cen tranzystorów IGBT, MOSFET i innych produktów.
Polityka Chin w zakresie wymiany produktów zagranicznych na krajowe przyczyniła się do dobrych wyników lokalnych dostawców, takich jak BYD Microelectronics, który ma 20% udziału w rynku półprzewodników mocy w Chinach. Duży wzrost przychodów odnotowali producenci układów MOSFET - Sino-Microelectronics i Yangjie Technology.
Chińscy dostawcy inwestują w swoje możliwości produkcyjne. Silan Microelectronics buduje 12-calową linię produkcyjną IGBT w Xiamen, China Resources Microelectronics buduje 12-calową linię produkcyjną IGBT w Chongqing, a GTA Semiconductor rozwija profesjonalne linie produkcyjne IGBT klasy motoryzacyjnej.
Kilku producentów rozwija się również w kierunku SiC i innych, nowych technologii materiałowych, a BASiC Semiconductor prowadzi już masową produkcję elementów SiC MOSFET.
Firma foundry Sanan Optoelectronics otworzyła już swoje linie produkcyjne SiC dla zewnętrznych zamówień; BYD Microelectronics opracował SiC MOSFET i do 2023 r. zamierza całkowicie zastąpić tranzystory IGBT, oparte na krzemie, elementami SiC MOSFET.
Jako główne czynniki napędzające wzrost na chińskim rynku półprzewodników mocy postrzegane są pojazdy elektryczne, systemy ADAS oraz sprzęt niezbędny do rozwoju infrastruktury 5G.
Źródło: Electronics Weekly
