Micron Technology wdrożył do masowej produkcji moduły DDR4 przy użyciu procesu technologicznego 1z nm, którym jest litografia 10 nm 3 generacji. Firma zapewnia, że nowe układy zapewnią znacznie wyższą gęstość bitów, a także lepszą wydajność i niższe koszty produkcji w porównaniu do technologii 1y nm, czyli poprzedniej generacji.
Pamięci wykonane w nowym procesie zużywają o 40% mniej energii niż poprzednia generacja oparta na DDR4 8 GB/s. Producent oferuje monolityczne 16-bitowe układy o podwójnej wydajności sięgającej 16 GB/s w pakietach wielochipowych opartych o standard UFS (Universal Flash Storage). Micron uważa, że jego nowe rozwiązanie zaspokoi potrzeby producentów urządzeń mobilnych, którzy poszukują wydajnych, energooszczędnych układów scalonych.
Źródło: DigiTimes
Poszukuję produktu lub usługi
Chcę skontaktować się z firmą
Mam pytanie ogólne
