Producent ujawnił, że proces EUV zostanie w pełni wdrożony w przyszłych generacjach pamięci DRAM, zaczynając od układów klasy 10 nm (D1a) lub wysoce zaawansowanych chipów klasy 14 nm. Firma spodziewa się, że w 2021 roku rozpocznie masową produkcję modułów DDR5 i LPDDR5, bazujących na rozwiązaniu D1A. To umożliwiłoby dwukrotny wzrost wydajności przy użyciu 12-calowych wafli krzemowych.
W związku z poszerzeniem rynku DDR5/LPDDR5 w przyszłym roku Samsung będzie kontynuował współpracę z głównymi klientami z branży IT i producentami półprzewodników w zakresie optymalizacji standardów. Ma to przyczynić się do przyspieszenia przejścia do nowej generacji modułów DRAM na światowym rynku pamięci.
Ponadto Samsung uruchomi w drugiej połowie bieżącego roku kolejną linię produkcyjną półprzewodników w Pyeongtaek, w Korei Południowej.
Źródło: DigiTimes
