Przełom w rozwoju dużych wafli SiC
Opracowany monokryształ osiągnął efektywną grubość 30 mm i został wytworzony z wykorzystaniem własnych urządzeń firmy. Według Tiancheng Semiconductor osiągnięcie to wyznacza przejście krajowego sektora SiC z etapu wdrażania wafli 12-calowych do pierwszej fazy prac nad komercjalizacją technologii 14-calowej.
Większe wafle = niższe koszty i większa wydajność
Równolegle na świecie rośnie aktywność firm rozwijających technologie 12- i 14-calowych podłoży SiC. Celem tych działań jest zwiększenie efektywności produkcji, redukcja kosztów oraz zdobycie pozycji w segmencie zaawansowanych zastosowań półprzewodników szerokoprzerwowych.
W porównaniu z obecnie dominującymi waflami 6- i 8-calowymi, większe podłoża znacząco zwiększają efektywną powierzchnię układów przy tych samych warunkach produkcyjnych. Przekłada się to na niższy koszt jednostkowy chipa oraz lepsze dopasowanie do zastosowań takich jak urządzenia mocy czy komponenty dla sprzętu półprzewodnikowego. Wafle o większych średnicach mogą odegrać istotną rolę w rozwoju technologii dla pojazdów elektrycznych, magazynowania energii w fotowoltaice oraz centrów danych AI.
Szacunki branżowe wskazują, że 12-calowe podłoża SiC mogą zapewnić ponad trzykrotnie większą liczbę chipów na jednostkę powierzchni niż wafle 6-calowe, przy jednoczesnym obniżeniu kosztów o około 40%. Wprowadzenie wafli 14-calowych może dodatkowo wzmocnić te efekty.
Globalny wyścig technologiczny nabiera tempa
W segmencie 12-calowym aktywność wykazują zarówno duże chińskie firmy, jak i nowe podmioty. San’an Optoelectronics dostarczył już podłoża do walidacji u klientów, SemiSiC rozwija projekt produkcji na poziomie miliona podłoży rocznie, a Roshow zaprezentował pierwszy 12-calowy monokryształ. Postępy raportują również HiMahines oraz JSG, które osiągnęło m.in. jednorodność grubości podłoża (TTV) na poziomie ≤ 1 μm.
Wyścig technologiczny przyspiesza także poza Chinami. Wolfspeed ogłosił w styczniu 2026 r. produkcję 300 mm (12-calowego) wafla SiC, rozwijając platformę dla urządzeń mocy i podłoży półizolacyjnych. SK Siltron uruchomił fabrykę w Michigan o zdolności produkcyjnej 60 tys. wafli rocznie (głównie 8-calowych), kontynuując prace nad 12-calowymi. Infineon rozwija zakład w Malezji dla wafli 200 mm, a STMicroelectronics rozszerza produkcję 8-calowych urządzeń SiC we współpracy z San’an.
Rosnąca liczba inicjatyw wskazuje na przyspieszenie globalnej rywalizacji w obszarze dużych wafli SiC, które mogą wyznaczyć kolejny etap rozwoju technologii półprzewodników szerokoprzerwowych.
Źródło: Trend Force
