Produkcja elektronikiPCBKomponentyZasilanieElektromechanikaKomunikacja Mikrokontrolery i IoTOptoelektronikaPomiaryProjektowanie i badania
RynekFirmyProduktyGospodarkaRaportyWywiadyTechnikaOpiniePuls branżyKalendariumMagazyn
Produkty
Kategorie
Produkcja elektroniki
Usługi CEM/EMS Obwody drukowane Obudowy dla urządzeń Urządzenia i wyposażenie produkcji Materiały do produkcji Narzędzia ręczne Oprogramowanie projektowe Laboratoria pomiarowe i badawcze Biura inżynierskie Usługi
Automatyka przemysłowa
Automatyzacja procesów Komponenty automatyki
Aparatura pomiarowa
Aparatura elektroniczna Aparatura energetyczna Mierniki wielkości nieelektrycznych Systemy pomiarowe Sprzęt i usługi kalibracji
Podzespoły elektroniczne
Podzespoły półprzewodnikowe Podzespoły energoelektroniczne Podzespoły elektromechaniczne Elementy optoelektroniczne Podzespoły pasywne Moduły elektroniczne OEM Źródła zasilania Oświetlenie LED
Przeglądaj kategorie
Złóż zapytanie ofertowe
Zobacz katalog firm

Podzespoły elektroniczne

150-woltowy tranzystor n-MOSFET o rezystancji kanału 9 mΩ Toshiba Corporation 150-woltowy tranzystor n-MOSFET o rezystancji kanału 9 mΩ
Płytki Mikroelektronika Click ze sterownikami silników krokowych firmy Toshiba Toshiba Corporation Płytki Mikroelektronika Click ze sterownikami silników krokowych firmy Toshiba
Wysokonapięciowe rezystory grubowarstwowe serii TNPV e3 w obudowach SMD rozmiaru 0805 Vishay Intertechnology, Inc. Wysokonapięciowe rezystory grubowarstwowe serii TNPV e3 w obudowach SMD rozmiaru 0805
Projekt referencyjny taniego falownika na tranzystorach GaN FET do 3-fazowych silników BLDC Projekt referencyjny taniego falownika na tranzystorach GaN FET do 3-fazowych silników BLDC
Miniaturowe oscylatory kwarcowe o błędzie jitteru 50 fs Miniaturowe oscylatory kwarcowe o błędzie jitteru 50 fs
Ekranowane cewki wysokoprądowe wytrzymałe na wibracje do 30 g Ekranowane cewki wysokoprądowe wytrzymałe na wibracje do 30 g
Złącza akumulatorowe Board-to-Board o rozstawie wyprowadzeń 1,27 mm Złącza akumulatorowe Board-to-Board o rozstawie wyprowadzeń 1,27 mm
Niskoprofilowy konwerter DC-DC step-down 72 W z przełączanymi pojemnościami Niskoprofilowy konwerter DC-DC step-down 72 W z przełączanymi pojemnościami
Miniaturowy 50-watowy konwerter DC-DC flyback z wewnętrznym tranzystorem GaN HEMT STMicroelectronics SA oddział w Polsce Miniaturowy 50-watowy konwerter DC-DC flyback z wewnętrznym tranzystorem GaN HEMT
Jednobiegunowy przełącznik SPDT do elektroniki samochodowej Jednobiegunowy przełącznik SPDT do elektroniki samochodowej
Wielospektralny 14-kanałowy czujnik optyczny na pasmo widzialne i IR Wielospektralny 14-kanałowy czujnik optyczny na pasmo widzialne i IR
Szybka i łatwa konfiguracja dystrybutora zasilania (PDU) pod indywidualne potrzeby użytkowników CSI S.A. Szybka i łatwa konfiguracja dystrybutora zasilania (PDU) pod indywidualne potrzeby użytkowników
20-watowy konwerter DC-DC do taboru kolejowego z opatentowaną, rozszerzoną funkcją hold-up 20-watowy konwerter DC-DC do taboru kolejowego z opatentowaną, rozszerzoną funkcją hold-up
Wysokostabilny 2-osiowy czujnik nachylenia MEMS z interfejsem SPI Wysokostabilny 2-osiowy czujnik nachylenia MEMS z interfejsem SPI
Czujniki temperatury o ultramałym poborze prądu i dokładności ±0,2°C Czujniki temperatury o ultramałym poborze prądu i dokładności ±0,2°C
Podwójny, precyzyjny wzmacniacz operacyjny o paśmie 20 MHz i małym napięciu offsetu STMicroelectronics SA oddział w Polsce Podwójny, precyzyjny wzmacniacz operacyjny o paśmie 20 MHz i małym napięciu offsetu
Programowalny bezpiecznik elektroniczny eFuse o zakresie programowania prądu od 1 do 5 A Programowalny bezpiecznik elektroniczny eFuse o zakresie programowania prądu od 1 do 5 A
Magnetorezystancyjny czujnik prędkości obrotowej i odległości do samochodowych aplikacji ADAS Magnetorezystancyjny czujnik prędkości obrotowej i odległości do samochodowych aplikacji ADAS
Quasi-rezonansowy kontroler PFC z wbudowanym przełącznikiem GaN 750 V Quasi-rezonansowy kontroler PFC z wbudowanym przełącznikiem GaN 750 V
150-woltowe tranzystory GaN HEMT o dopuszczalnym napięciu bramki 8 V 150-woltowe tranzystory GaN HEMT o dopuszczalnym napięciu bramki 8 V
Bezpieczniki kasetowe z kwalifikacją AEC-Q200 o zdolności wyłączania do 10 kA @ 1000 VDC Bezpieczniki kasetowe z kwalifikacją AEC-Q200 o zdolności wyłączania do 10 kA @ 1000 VDC
60-woltowy n-kanałowy tranzystor MOSFET o rezystancji kanału 0,65 mΩ Vishay Intertechnology, Inc. 60-woltowy n-kanałowy tranzystor MOSFET o rezystancji kanału 0,65 mΩ
1200-watowy nieizolowany konwerter DC-DC formatu quarter-brick 1200-watowy nieizolowany konwerter DC-DC formatu quarter-brick
Miniaturowe diody Zenera o maksymalnym prądzie wstecznym 50 µA Miniaturowe diody Zenera o maksymalnym prądzie wstecznym 50 µA
Przełączniki zasilania o poborze prądu 0,08 nA w stanie spoczynkowym Toshiba Corporation Przełączniki zasilania o poborze prądu 0,08 nA w stanie spoczynkowym
Emitery IR o małych gabarytach i dużej intensywności promieniowania Emitery IR o małych gabarytach i dużej intensywności promieniowania
Zasilacze medyczne TPP oraz przemysłowe TPI AMTEK spol. s r.o. (Sp. z o.o.) oddz. w Polsce Zasilacze medyczne TPP oraz przemysłowe TPI
Tranzystor SiC MOSFET o napięciu przebicia 3,3 kV i rezystancji RDS(on) równej 25 mΩ Microchip Tranzystor SiC MOSFET o napięciu przebicia 3,3 kV i rezystancji RDS(on) równej 25 mΩ
Małostratne tranzystory CoolSiC MOSFET 650 V o dużej niezawodności Małostratne tranzystory CoolSiC MOSFET 650 V o dużej niezawodności
Moduł komunikacyjny Wi-Fi 6E/Bluetooth 5.2 do medycznych i przemysłowych urządzeń IoT Moduł komunikacyjny Wi-Fi 6E/Bluetooth 5.2 do medycznych i przemysłowych urządzeń IoT