Innowacje technologiczne
Chińscy naukowcy stukrotnie zwiększyli trwałość pamięci nowej generacji
Badacze z Chin ograniczyli przemieszczanie się wakancji azotowych w ferroelektrykach o strukturze wurcytowej. Rozwiązanie to umożliwiło osiągnięcie 10 miliardów cykli zapisu i zwiększenie trwałości komponentów około 100 razy. Wyniki badań opublikowano 13 września 2026 roku.